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文檔簡介

1、工業(yè)催化參考試卷一、填空而不改變反應的_反應的平衡位置1. 催化劑只能改變化學反應到達平衡的速率2. 多相催化劑通常由、三部分組成。3. 評價工業(yè)催化劑性能好壞的指標有 、等。4. 在多相催化反應中有 、三類控制步驟。在連串反應中,控制步驟 總過程速度。當過程處于 時,催化劑內(nèi)表面利用率最高。5. 固體酸表面存在和兩類酸性中心;兩者的轉(zhuǎn)化條件是 。6. 催化劑表面能量分布的類型有 、三種形式。7. Langmuir 吸附等溫式用于 ,吸附量與壓力的關系是 。8. 吸附熱表征。催化活性與吸附熱之間的關系 。9.半導體的附加能級有和兩種,N型半導體的附加能級是能級,它使半導體的,電導率。10.絡合

2、物催化劑由和兩部分組成。11.常用的工業(yè)催化劑制備方法有、等。12.造成催化劑失活的原因有、等。13.催化劑上的吸附有和兩種類型:H2的吸附常采用,烯烴的吸附常采用。反應物在催化劑上的吸附態(tài)決定了催化反應的。14.按照助劑的功能,它可以分為、兩類。15.d軌道在四面體配位場中能級分裂為、兩組:當電子成對能PV分裂能時,電子采取排布。16.影響過渡金屬的催化劑活性的因素有、兩方面,組成合金可以調(diào)節(jié)過渡金屬催化劑的因素。17.分子篩催化劑的特點是。常用的分子篩催化劑有、等。18.均相催化的優(yōu)點是、;但其缺點是、等。19.選擇性的定義是,其計算公式是。、畫出Ptci 3(CH2=CH)-的空間構(gòu)型及

3、電子結(jié)構(gòu)圖,并指出C血CH活化的原因1 - ».1/ C一 I : ft cJJ1 J八fY(I 5=c/X2.試解釋N型半導體催化劑利于三、(二選一)1.寫出CO+OHCQ在P型半導體催化劑上的反應機理。 加氫反應。n型半導體:陽離子過剩,陰離子缺位。例,ZnO中Zn2+離子過剩。為保持電中性,過剩的離子,拉住一個電子形成eZn2 +,在靠近導帶附近形成一附加能級。溫度升高時,此電子釋放出來,成為自由電子,這是 ZnO導電的來源。P-半導體:陰離子過剩,陽離子缺位。NiO,由于缺正離子造成非計量性,造陽離子空位NZ評亠 +NO3 -十諾-I” 2?<5+ +:3匸蘆-在空位附

4、近有兩個Ni2+變成(+)Ni2 +后者可看成為Ni2 +束縛一個空穴 +”。溫度升高時,此空穴變成自由 空穴,可遷移,成為NiO導電的來源。四、載體的作用有哪些?載體的功能:a分散作用b提高表面和孔結(jié)構(gòu)c增強機械強度d改善傳導性能e節(jié)約活性組分f提 供活性中心(較少情況加溢流現(xiàn)象和強相互作用(較少情況)OL酸OSi-O-AI-O-五、舉例說明混合氧化物的表面酸性是如何形成的。 o丫 Y加熱,-H2O11影響酸形成的因素0 O H*O-SS-O-AI-0-催化劑的組成、制備方法和預處理溫度等。六、判斷與改錯1. 催化劑加快化學反應速度,增大反應平衡常數(shù)。 不影響反應平衡的位置2. 催化劑吸附氣

5、體能力越強,其催化活性越高。 要求產(chǎn)物的吸附不能太牢固,使得脫附容易進行3. 金屬催化劑的d%越大,催化活性越高。FS p d或dsp雜化。在該雜化軌道中電子在d軌道的比例,定一般4050%的金屬活性比較好。美國化學家pauling金屬的d,s,p軌道線性組合雜化形成金屬鍵。 義未d%數(shù)。該數(shù)值與金屬加氫活性密切相關,提出的。4. 半導體的能帶結(jié)構(gòu)都相同。F金jbrja 盟znoNfO3-3S種崗怵的ffij帶結(jié)拘本征半導體-型半環(huán)體A-翹半導低絕堆體工業(yè)催化 參考試卷2一, 填空1. 催化劑加速反應的作用是通過 ,而實現(xiàn)的.在反應前后催化劑的不變.2. 選擇性的含義是不同反應要 ,相同的反應

6、物用不同催化劑,其產(chǎn)物,選擇性的計算公式是.3. 評價工業(yè)催化 劑性能好壞的指標有 ,等.在生產(chǎn)上常用,來表示催化劑的活性4. 化學吸附具有性,及層吸附的特點,因此用來測定催化劑的 .5. 化學吸附熱表征 ;吸附活化能隨 而變化;其原因是 .火山型曲線的含義是6. 固體酸催化劑表面有 ,等酸性中心;其強度大小主要與 有關.7. 造成催化劑失活的原因有 ,等.8. 常用的工業(yè)催化 劑制備方法有 ,等.9. 固體催化劑大多數(shù)由 ,三部分組成.10. 催化劑的毒物因 而異,還因而異.11. P型半導體的附加能級是 能級,它使半導體的Ef,電導率.12. Langmuir吸附等溫式用于 ,吸附量與壓力

7、的關系是 .13. 絡合物催化反應過程中的關鍵步驟有 ,.14. 在多相催化反應中有 ,三類控制步驟.在連串反應中,控制步驟總過程速度.當過程處于 時,催化劑內(nèi)表面利用率最高.15. 均相催化的優(yōu)點是 ,;但其缺點是,等.16. 催化劑按導電性分可分為 ,.17. 分子篩催化劑具有性能,其特點是.18. H2的吸附常采用,烯烴的吸附常采用.反應物在催化劑上的吸附態(tài)決定了催化反應的.二, 分別畫出ZnO和NiO的能帶結(jié)構(gòu)圖.見試卷1.六-4三, (二選一 ).1.寫出CO+WCO2 在N型半導體催化劑上的反應機理 .2.試解釋P型半導體催 化劑利于氧化反應.見試卷1三四,沉淀法制備催化劑應該如何

8、選擇原料沉淀過程中控制的條件有哪些沉淀劑選擇(1)避免引入有害離子2)形成的沉淀物必須便于過濾和洗滌.晶形沉淀帶入的雜質(zhì)少,便于過濾和洗滌。(3)沉淀劑的溶解度要大。(4)形成的沉淀物溶解度要小。(5) 沉淀劑必須無毒,不應造成環(huán)境污染2沉淀法的影響因素濃度的影響 溫度的影響(3)pH的影響加料順序的影響五, 混合氧化物SQ2-AI2O3的表面酸性是如何形成的六, 判斷與改錯1. 催化劑加快化學反應速度,增大反應平衡常數(shù).F2. 催化劑的性能取決于其化學組成,與其他因素無關.F 催化劑的結(jié)構(gòu),包物理的和化學的都明顯地受到環(huán)境影響。3. 酸催化劑的酸強度越大,催化活性越高;酸度越大,催化活性也越

9、高.F 酸強度越大酸量越小,活性一般也越低。不同的反應要求的算中心強度也會不同 例如;C-C斷裂:要求強度大的酸中心。如裂化、異構(gòu)、烷基轉(zhuǎn)移等C-H斷裂:要求弱的酸中心如丁烯的雙鍵異構(gòu)反應,ZrO2是比較好的催化劑4. 半導體的附加能級使其電子脫出功增大,電導率升高.F 附加使脫出功減小能級。具體可參考試卷1三工業(yè)催化參考試卷一、填空1. 催化劑的兩個基本特征是 、;其實際意義是。2. 多相催化劑通常由 、三部分組成。其作用分別為 、3. 在生產(chǎn)上常用 、來表示催化劑的活性??蒲猩铣S?來表示催化劑的活性。4. 工業(yè)催化齊U應滿足的性能要求是 、等。5. 在多相催化反應中有 、三類控制步驟。當

10、過程處于 時,催化劑內(nèi)表面利用率最高。6. 化學吸附熱表征 ;吸附活化能隨 而變化;其原因是 ?;鹕叫颓€的含義是。7. Langmuir吸附等溫式用于,吸附量與壓力的關系是 。8. 造成催化齊U失活的原因有 、等。9. 沉淀法制備工業(yè)催化劑選擇原料應考慮 、等。10. 本征半導體的能帶結(jié)構(gòu)由 、和組成,半導體的附加能級有 和兩種。11. 絡合物催化劑由 和兩部分組成。12. 催化劑的毒物因 而異,還因 而異。13. d軌道在八面體配位場中能級分裂為 、兩組;當電子成對能P分裂能時,電子采取排布。14. 分子篩催化劑具有 催化性能,其特點是 。15. 均相催化的優(yōu)點是 、; 但其缺點是 、等。16. 選擇性的含義是不同反應要 、相同的反應物用不同催化劑,其產(chǎn)物 ,選擇性的計算公式是。17. 影響過渡金屬的催化劑活性的因素有 、兩方面,組成合金可以調(diào)節(jié)過渡金屬催化劑的因素。18. 化學吸附具有 性,及層吸附的特點,因此用來測定催化劑的 。二、分別畫出 ZnO和NiO的能帶結(jié)構(gòu)圖。試卷1六-4三、試解釋P型半導體催化劑利于氧化反應,N型半導體催化劑利于加氫反應。卷1三四、 沉淀過程中控制的條件有哪些?卷2-四五、舉例說明 Bron sted規(guī)則。六、判斷與改錯1. 催化劑在反應前后其組成和數(shù)量都不變,故催化劑使用沒有時間限制。F理論上:催化劑的壽命無限實際上: 有一定壽命。2. 催

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