工業(yè)催化試卷

1、工業(yè)催化參考試卷一、填空而不改變反應的_反應的平衡位置1. 催化劑只能改變化學反應到達平衡的速率2. 多相催化劑通常由、三部分組成。3. 評價工業(yè)催化劑性能好壞的指標有 、等。4. 在多相催化反應中有 、三類控制步驟。在連串反應中，控制步驟 總過程速度。當過程處于 時，催化劑內(nèi)表面利用率最高。5. 固體酸表面存在和兩類酸性中心；兩者的轉(zhuǎn)化條件是 。6. 催化劑表面能量分布的類型有 、三種形式。7. Langmuir 吸附等溫式用于 ，吸附量與壓力的關系是 。8. 吸附熱表征。催化活性與吸附熱之間的關系 。9.半導體的附加能級有和兩種，N型半導體的附加能級是能級，它使半導體的，電導率。10.絡合

2、物催化劑由和兩部分組成。11.常用的工業(yè)催化劑制備方法有、等。12.造成催化劑失活的原因有、等。13.催化劑上的吸附有和兩種類型：H2的吸附常采用，烯烴的吸附常采用。反應物在催化劑上的吸附態(tài)決定了催化反應的。14.按照助劑的功能，它可以分為、兩類。15.d軌道在四面體配位場中能級分裂為、兩組：當電子成對能PV分裂能時,電子采取排布。16.影響過渡金屬的催化劑活性的因素有、兩方面，組成合金可以調(diào)節(jié)過渡金屬催化劑的因素。17.分子篩催化劑的特點是。常用的分子篩催化劑有、等。18.均相催化的優(yōu)點是、;但其缺點是、等。19.選擇性的定義是，其計算公式是。、畫出Ptci 3（CH2=CH）-的空間構(gòu)型及

3、電子結(jié)構(gòu)圖，并指出C血CH活化的原因1 - ».1/ C一 I ： ft cJJ1 J八fY(I 5=c/X2.試解釋N型半導體催化劑利于三、（二選一）1.寫出CO+OHCQ在P型半導體催化劑上的反應機理。 加氫反應。n型半導體：陽離子過剩，陰離子缺位。例，ZnO中Zn2+離子過剩。為保持電中性，過剩的離子，拉住一個電子形成eZn2 +,在靠近導帶附近形成一附加能級。溫度升高時,此電子釋放出來，成為自由電子，這是 ZnO導電的來源。P-半導體：陰離子過剩，陽離子缺位。NiO，由于缺正離子造成非計量性，造陽離子空位NZ評亠 +NO3 -十諾-I” 2?<5+ +：3匸蘆-在空位附

4、近有兩個Ni2+變成（+）Ni2 +后者可看成為Ni2 +束縛一個空穴 +”。溫度升高時，此空穴變成自由 空穴，可遷移，成為NiO導電的來源。四、載體的作用有哪些？載體的功能：a分散作用b提高表面和孔結(jié)構(gòu)c增強機械強度d改善傳導性能e節(jié)約活性組分f提 供活性中心（較少情況加溢流現(xiàn)象和強相互作用（較少情況）OL酸OSi-O-AI-O-五、舉例說明混合氧化物的表面酸性是如何形成的。 o丫 Y加熱，-H2O11影響酸形成的因素0 O H*O-SS-O-AI-0-催化劑的組成、制備方法和預處理溫度等。六、判斷與改錯1. 催化劑加快化學反應速度，增大反應平衡常數(shù)。 不影響反應平衡的位置2. 催化劑吸附氣

5、體能力越強，其催化活性越高。 要求產(chǎn)物的吸附不能太牢固，使得脫附容易進行3. 金屬催化劑的d%越大，催化活性越高。FS p d或dsp雜化。在該雜化軌道中電子在d軌道的比例，定一般4050%的金屬活性比較好。美國化學家pauling金屬的d，s，p軌道線性組合雜化形成金屬鍵。 義未d%數(shù)。該數(shù)值與金屬加氫活性密切相關，提出的。4. 半導體的能帶結(jié)構(gòu)都相同。F金jbrja 盟znoNfO3-3S種崗怵的ffij帶結(jié)拘本征半導體-型半環(huán)體A-翹半導低絕堆體工業(yè)催化 參考試卷2一, 填空1. 催化劑加速反應的作用是通過 ,而實現(xiàn)的.在反應前后催化劑的不變.2. 選擇性的含義是不同反應要 ，相同的反應

6、物用不同催化劑，其產(chǎn)物，選擇性的計算公式是.3. 評價工業(yè)催化 劑性能好壞的指標有 ,等.在生產(chǎn)上常用,來表示催化劑的活性4. 化學吸附具有性,及層吸附的特點，因此用來測定催化劑的 .5. 化學吸附熱表征 ；吸附活化能隨 而變化；其原因是 .火山型曲線的含義是6. 固體酸催化劑表面有 ,等酸性中心；其強度大小主要與 有關.7. 造成催化劑失活的原因有 ,等.8. 常用的工業(yè)催化 劑制備方法有 ,等.9. 固體催化劑大多數(shù)由 ,三部分組成.10. 催化劑的毒物因 而異,還因而異.11. P型半導體的附加能級是 能級,它使半導體的Ef,電導率.12. Langmuir吸附等溫式用于 ,吸附量與壓力

7、的關系是 .13. 絡合物催化反應過程中的關鍵步驟有 ,.14. 在多相催化反應中有 ,三類控制步驟.在連串反應中，控制步驟總過程速度.當過程處于 時，催化劑內(nèi)表面利用率最高.15. 均相催化的優(yōu)點是 ,；但其缺點是,等.16. 催化劑按導電性分可分為 ,.17. 分子篩催化劑具有性能，其特點是.18. H2的吸附常采用,烯烴的吸附常采用.反應物在催化劑上的吸附態(tài)決定了催化反應的.二, 分別畫出ZnO和NiO的能帶結(jié)構(gòu)圖.見試卷1.六-4三, （二選一 ）.1.寫出CO+WCO2 在N型半導體催化劑上的反應機理 .2.試解釋P型半導體催 化劑利于氧化反應.見試卷1三四，沉淀法制備催化劑應該如何

8、選擇原料沉淀過程中控制的條件有哪些沉淀劑選擇（1）避免引入有害離子2）形成的沉淀物必須便于過濾和洗滌.晶形沉淀帶入的雜質(zhì)少，便于過濾和洗滌。（3）沉淀劑的溶解度要大。（4）形成的沉淀物溶解度要小。（5） 沉淀劑必須無毒，不應造成環(huán)境污染2沉淀法的影響因素濃度的影響 溫度的影響（3）pH的影響加料順序的影響五, 混合氧化物SQ2-AI2O3的表面酸性是如何形成的六, 判斷與改錯1. 催化劑加快化學反應速度，增大反應平衡常數(shù).F2. 催化劑的性能取決于其化學組成，與其他因素無關.F 催化劑的結(jié)構(gòu)，包物理的和化學的都明顯地受到環(huán)境影響。3. 酸催化劑的酸強度越大，催化活性越高；酸度越大，催化活性也越

9、高.F 酸強度越大酸量越小，活性一般也越低。不同的反應要求的算中心強度也會不同 例如;C-C斷裂：要求強度大的酸中心。如裂化、異構(gòu)、烷基轉(zhuǎn)移等C-H斷裂：要求弱的酸中心如丁烯的雙鍵異構(gòu)反應，ZrO2是比較好的催化劑4. 半導體的附加能級使其電子脫出功增大，電導率升高.F 附加使脫出功減小能級。具體可參考試卷1三工業(yè)催化參考試卷一、填空1. 催化劑的兩個基本特征是 、；其實際意義是。2. 多相催化劑通常由 、三部分組成。其作用分別為 、3. 在生產(chǎn)上常用 、來表示催化劑的活性?？蒲猩铣Ｓ?來表示催化劑的活性。4. 工業(yè)催化齊U應滿足的性能要求是 、等。5. 在多相催化反應中有 、三類控制步驟。當

10、過程處于 時，催化劑內(nèi)表面利用率最高。6. 化學吸附熱表征 ;吸附活化能隨 而變化；其原因是 ?；鹕叫颓€的含義是。7. Langmuir吸附等溫式用于，吸附量與壓力的關系是 。8. 造成催化齊U失活的原因有 、等。9. 沉淀法制備工業(yè)催化劑選擇原料應考慮 、等。10. 本征半導體的能帶結(jié)構(gòu)由 、和組成，半導體的附加能級有 和兩種。11. 絡合物催化劑由 和兩部分組成。12. 催化劑的毒物因 而異，還因 而異。13. d軌道在八面體配位場中能級分裂為 、兩組；當電子成對能P分裂能時，電子采取排布。14. 分子篩催化劑具有 催化性能，其特點是 。15. 均相催化的優(yōu)點是 、; 但其缺點是 、等。16. 選擇性的含義是不同反應要 、相同的反應物用不同催化劑，其產(chǎn)物 ，選擇性的計算公式是。17. 影響過渡金屬的催化劑活性的因素有 、兩方面，組成合金可以調(diào)節(jié)過渡金屬催化劑的因素。18. 化學吸附具有 性，及層吸附的特點，因此用來測定催化劑的 。二、分別畫出 ZnO和NiO的能帶結(jié)構(gòu)圖。試卷1六-4三、試解釋P型半導體催化劑利于氧化反應，N型半導體催化劑利于加氫反應。卷1三四、 沉淀過程中控制的條件有哪些？卷2-四五、舉例說明 Bron sted規(guī)則。六、判斷與改錯1. 催化劑在反應前后其組成和數(shù)量都不變，故催化劑使用沒有時間限制。F理論上：催化劑的壽命無限實際上： 有一定壽命。2. 催