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文檔簡介
1、FET的阻抗變換作用一. 阻抗變換的基本概念:1、用作阻抗變換器器件的基本特征:輸入阻抗Rif 8,輸出阻抗一0。2、舉例說明阻抗變換的概念: 、當(dāng)具有內(nèi)阻為Rs二100KQ的信號源Vs直接驅(qū)動Rl二1KQ的負(fù)載時(shí),它 的輸出電壓為:如圖1所示:Rs圖1由式可以看出輸出電壓Vo很小。 、若負(fù)載電阻Rl二100KQ,此時(shí)輸出電壓為:Vo=星二一 Vs=0. 5VsRAR, 100 + 100 、若負(fù)載電阻Rl二300KQ,此時(shí)輸出電壓為:飛g二22 - Vs=0. 75Vs300+100二、FET的基本常識:1、場效應(yīng)管(FET: Field Effect Transistor):按基本結(jié)構(gòu)可以
2、分為絕緣柵型(金 屬-氧化物-半導(dǎo)體)場效應(yīng)管(Metal-Oxide-Semiconductor FET)和結(jié)型場效 應(yīng)管(Junction FET)。2、工作原理:場效應(yīng)管是一種利用電場效應(yīng)來控制其電流大小的半導(dǎo)體器 件;是一種靠柵源極之間的電壓控制漏源極之間電流的器件(電壓控制元 件)。3、FET的特性:這種器件不僅兼有體積小、重量輕、耗電省、壽命長等優(yōu)點(diǎn),而且還有 輸入阻抗高(柵-源之間的電阻可高達(dá)1(/10門Q)、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、 抗輻射能力強(qiáng)和控制工藝簡單等優(yōu)點(diǎn)。三、我司生產(chǎn)的駐極體電容傳聲器的電容容量及其阻抗:目前,我司生產(chǎn)的駐極體電容傳聲器的電容容量小4.0系列大約為6.0
3、 pF 左右,(1)6.0系列大約為10.0 pF左右,(t)9.7系列大約為20.0 pF左右。 山靜電學(xué)可知,對于平行板電容器,有如下的關(guān)系式:C =即電容的容量與介質(zhì)的介電常數(shù)成正比,與兩個(gè)極板的面積成正比,與兩個(gè) 極板之間的距離成反比。根據(jù)公式可以得出我司生產(chǎn)的不同尺寸MIC的電容容量分別約為:常規(guī)d)4. 0系列MIC電容容量大小為:(74 0 = -y-=8- 849 ' 1012 ' 3'14' 2' V"1-% 5. 56 pFw.uL20 10-6常規(guī)(b60系列MIC電容容量大小為:=8. 849 - 10"123
4、丄Q,訂汙2510一6w 10. 00 pF3.14 4.&* 10-630-10"621.79 pF常規(guī)(b97系列MIC電容容量大小為:C9.7=E'y- = 8. 849' W12 JLu其中空氣的介電常數(shù)£=8. 849xlO'12 F/m。其阻扌幾為:Zc = j訓(xùn)c j2JTfc取f=10 000Hz, C=10pF,那么其阻抗最小值約為:j-2-3.14- 10000-10-10= 1.59* 106駐極體電容傳聲器的特點(diǎn):駐極體電容傳聲器所制作電容的電容容量小,阻 抗特別咼。109q此時(shí),若MIC所制作的電容在聲壓的作用下所產(chǎn)生的交流電壓為Vs,取 厶|也91弦,F(xiàn)ET的輸入電阻Z滬I。 ,那么卩ET柵源之間的電壓為:'嗨二 s - Vi 二寧一=0. 998 F.加1.59,10 Q + 1()9©四、F
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