半導(dǎo)體制造基本概念

1、半導(dǎo)體制造基本概念晶圓（ Wafer ）晶圓（ Wafer ）的生產(chǎn)由砂即（二氧化硅）開(kāi)始，經(jīng)由電弧爐的提煉還原成 冶煉級(jí)的硅，再經(jīng)由鹽酸氯化，產(chǎn)生三氯化硅，經(jīng)蒸餾純化后，透過(guò)慢速分 解 過(guò)程，制成棒狀或粒狀的多晶硅。一般晶圓制造廠，將多晶硅融解 后，再 利用硅晶種慢慢拉出單晶硅晶棒。 一支 85 公分長(zhǎng)，重 76.6 公斤的 8? 硅晶棒， 約需 2 天半時(shí)間長(zhǎng)成。經(jīng)研磨、 ?光、切片后，即成半導(dǎo)體之原料 晶圓片。光學(xué)顯影光學(xué)顯影是在光阻上經(jīng)過(guò)曝光和顯影的程序，把光罩上的圖形轉(zhuǎn)換到光阻 下面的薄膜層或硅晶上。光學(xué)顯影主要包含了光阻涂布、烘烤、光罩對(duì)準(zhǔn)、 曝 光和顯影等程序。小尺寸之顯像分辨率

2、，更在 IC 制程的進(jìn)步上，扮演著 最關(guān) 鍵的角色。 由于光學(xué)上的需要， 此段制程之照明采用偏黃色的可見(jiàn)光。 因此俗稱(chēng) 此區(qū)為 黃光區(qū)。干式蝕刻技術(shù)在半導(dǎo)體的制程中，蝕刻被用來(lái)將某種材質(zhì)自晶圓表面上移除。 干式蝕刻（又 稱(chēng)為電漿蝕刻） 是目前最常用的蝕刻方式， 其以氣體作為主要的蝕刻媒介， 并藉 由電漿能量來(lái)驅(qū)動(dòng)反應(yīng)。電漿對(duì)蝕刻制程有物理性與化學(xué)性兩方面的影響。 首先，電漿會(huì)將蝕刻氣體 分子分解， 產(chǎn)生能夠快速蝕去材料的高活性分子。 此外，電漿也會(huì)把這些化學(xué)成 份離子化，使其帶有電荷。晶圓系置于帶負(fù)電的陰極之上， 因此當(dāng)帶正電荷的離子被陰極吸引并加速向 陰極方向前進(jìn)時(shí)， 會(huì)以垂直角度撞擊到晶圓

3、表面。 芯片制造商即是運(yùn)用此特性來(lái) 獲得絕佳的垂直蝕刻，而后者也是干式蝕刻的重要角色?；旧?，隨著所欲去除的材質(zhì)與所使用的蝕刻化學(xué)物質(zhì)之不同， 蝕刻由下列 兩種模式單獨(dú)或混會(huì)進(jìn)行：進(jìn)而將晶圓1. 電漿內(nèi)部所產(chǎn)生的活性反應(yīng)離子與自由基在撞擊晶圓表面后，將與某特 定成份之表面材質(zhì)起化學(xué)反應(yīng)而使之氣化。如此即可將表面材質(zhì)移出晶圓表面， 并透過(guò)抽氣動(dòng)作將其排出。2. 電漿離子可因加速而具有足夠的動(dòng)能來(lái)扯斷薄膜的化學(xué)鍵， 表面材質(zhì)分子一個(gè)個(gè)的打擊或?yàn)R擊（ sputtering ）出來(lái)。（film） 的技術(shù)， 或半導(dǎo)體。在進(jìn)化學(xué)氣相沉積技術(shù)化學(xué)氣相沉積是制造微電子組件時(shí)，被用來(lái)沉積出某種薄膜 所沉積出的薄

4、膜可能是介電材料 （絕緣體 ）（dielectrics） 、導(dǎo)體、 行化學(xué)氣相沉積制程時(shí)， 包含有被沉積材料之原子的氣體， 會(huì)被導(dǎo)入受到嚴(yán)密控 制的制程反應(yīng)室內(nèi)。 當(dāng)這些原子在受熱的昌圓表面上起化學(xué)反應(yīng)時(shí)， 會(huì)在晶圓表 面產(chǎn)生一層固態(tài)薄膜。而此一化學(xué)反應(yīng)通常必須使用單一或多種能量源（ 例如熱能或無(wú)線電頻率功率 ） 。CVD 制程產(chǎn)生的薄膜厚度從低于 0.5 微米到數(shù)微米都有，不過(guò)最重要的是 其厚度都必須足夠均勻。較為常見(jiàn)的 CVD 薄膜包括有：二氣化硅（通常直接稱(chēng)為氧化層）氮化硅多晶硅耐火金屬與這類(lèi)金屬之其硅化物可作為半導(dǎo)體組件絕緣體的二氧化硅薄膜與電漿氮化物介電層（ plasmas nitr

5、ide dielectrics ）是目前 CVD 技術(shù)最廣泛的應(yīng)用。這類(lèi)薄膜材料可以在芯 片內(nèi)部構(gòu)成三種主要的介質(zhì)薄膜：內(nèi)層介電層（ ILD ）、內(nèi)金屬介電層（ IMD ）、 以及保護(hù)層。 此外、金層化學(xué)氣相沉積 （包括鎢、鋁、氮化鈦、以及其它金屬等） 也是一種熱門(mén)的 CVD 應(yīng)用。物理氣相沉積技術(shù)如其名稱(chēng)所示，物理氣相沉積（ Physical Vapor Deposition ）主要是一種 物理制程而非化學(xué)制程。 此技術(shù)一般使用氬等鈍氣， 藉由在高真空中將氬離子加 速以撞擊濺鍍靶材后， 可將靶材原子一個(gè)個(gè)濺擊出來(lái)， 并使被濺擊出來(lái)的材質(zhì) （通 常為鋁、鈦或其合金） 如雪片般沉積在晶圓表面。

6、制程反應(yīng)室內(nèi)部的高溫與高真 空環(huán)境，可使這些金屬原子結(jié)成晶粒， 再透過(guò)微影圖案化 （ patterned ）與蝕刻， 來(lái)得到半導(dǎo)體組件所要的導(dǎo)電電路。解離金屬電漿（ IMP ）物理氣相沉積技術(shù)解離金屬電漿是最近發(fā)展出來(lái)的物理氣相沉積技術(shù)， 它是在目標(biāo)區(qū)與晶圓之 間，利用電漿，針對(duì)從目標(biāo)區(qū)濺擊出來(lái)的金屬原子，在其到達(dá)晶圓之前，加以離 子化。離子化這些金屬原子的目的是， 讓這些原子帶有電價(jià)， 進(jìn)而使其行進(jìn)方向 受到控制， 讓這些原子得以垂直的方向往晶圓行進(jìn)， 就像電漿蝕刻及化學(xué)氣相沉 積制程。這樣做可以讓這些金屬原子針對(duì)極窄、 極深的結(jié)構(gòu)進(jìn)行溝填， 以形成極 均勻的表層，尤其是在最底層的部份。高溫

7、制程多晶硅（poly ）通常用來(lái)形容半導(dǎo)體晶體管之部分結(jié)構(gòu)：至于在某些半導(dǎo)體組件上常見(jiàn)的磊晶硅（ epi ）則是長(zhǎng)在均勻的晶圓結(jié)晶表面上的一層純硅結(jié)晶。 多 晶硅與磊晶硅兩種薄膜的應(yīng)用狀況雖然不同， 卻都是在類(lèi)似的制程反應(yīng)室中經(jīng)高 溫（600 C至1200 C）沉積而得。即使快速高溫制程（ Rapid Thermal Processing, RTP ）之工作溫度范圍 與多晶硅及磊晶硅制程有部分重疊，其本質(zhì)差異卻極大。 RTP 并不用來(lái)沈積薄 膜，而是用來(lái)修正薄膜性質(zhì)與制程結(jié)果。 RTP 將使晶圓歷經(jīng)極為短暫且精確控 制高溫處理過(guò)程，這個(gè)過(guò)程使晶圓溫度在短短的 10 至 20 秒內(nèi)可自室溫升到

8、1000 C。RTP通常用于回火制程（annealing ），負(fù)責(zé)控制組件內(nèi)摻質(zhì)原子之 均勻度。此外 RTP 也可用來(lái)硅化金屬，及透過(guò)高溫來(lái)產(chǎn)生含硅化之化合物與硅 化鈦等。最新的發(fā)展包括， 使用快速高溫制程設(shè)備在晶極重要的區(qū)域上， 精確地 沉積氧及氮薄膜。離子植入技術(shù)離子植入技術(shù)可將摻質(zhì)以離子型態(tài)植入半導(dǎo)體組件的特定區(qū)域上， 以獲得精 確的電子特性。這些離子必須先被加速至具有足夠能量與速度，以穿透（植入） 薄膜，到達(dá)預(yù)定的植入深度。 離子植入制程可對(duì)植入?yún)^(qū)內(nèi)的摻質(zhì)濃度加以精密控 制?；旧?，此摻質(zhì)濃度（劑量）系由離子束電流（離子束內(nèi)之總離子數(shù)）與掃 瞄率（晶圓通過(guò)離子束之次數(shù)） 來(lái)控制，而離子

9、植入之深度則由離子束能量之大 小來(lái)決定。化學(xué)機(jī)械研磨技術(shù)化學(xué)機(jī)械研磨技術(shù)（ Chemical Mechanical Polishing, CMP ）兼其有研磨 性物質(zhì)的機(jī)械式研磨與酸堿溶液的化學(xué)式研磨兩種作用， 可以使晶圓表面達(dá)到全 面性的平坦化，以利后續(xù)薄膜沉積之進(jìn)行。在 CMP 制程的硬設(shè)備中，研磨頭被用來(lái)將晶圓壓在研磨墊上并帶動(dòng)晶圓旋轉(zhuǎn)， 至于研磨墊則以相反的方向旋轉(zhuǎn)。 在進(jìn)行研磨時(shí)， 由研磨顆粒所構(gòu)成的研漿會(huì)被 置于晶圓與研磨墊間。影響 CMP 制程的變量包括有：研磨頭所施的壓力與晶圓 的平坦度、晶圓與研磨墊的旋轉(zhuǎn)速度、研漿與研磨顆粒的化學(xué)成份、溫度、以及 研磨墊的材質(zhì)與磨損性等等。制

10、程監(jiān)控在下個(gè)制程階段中， 半導(dǎo)體商用 CD-SEM 來(lái)量測(cè)芯片內(nèi)次微米電路之微距， 以確保制程之正確性。一般而言，只有在微影圖案( photolithographic patterning )與后續(xù)之蝕刻制程執(zhí)行后，才會(huì)進(jìn)行微距的量測(cè)。光罩檢測(cè)( Retical Inspection )言，光罩是高精密度的石英平板， 是用來(lái)制作晶圓上電子電路圖像， 以利集成電路的 制作。光罩必須是完美無(wú)缺， 才能呈現(xiàn)完整的電路圖像， 否則不完整的圖像會(huì)被 復(fù)制到晶圓上。 光罩檢測(cè)機(jī)臺(tái)則是結(jié)合影像掃描技術(shù)與先進(jìn)的影像處理技術(shù)， 捕 捉圖像上的缺失。 當(dāng)晶圓從一個(gè)制程往下個(gè)制程進(jìn)行時(shí)，圖案晶圓檢測(cè)系統(tǒng)可 用來(lái)檢測(cè)

11、出晶圓上是否有瑕疵包括有微塵粒子、 斷線、短路、以及其它各式各樣 的問(wèn)題。此外， 對(duì)已印有電路圖案的圖案晶圓成品而言， 則需要進(jìn)行深次微米范 圍之瑕疵檢測(cè)。 一般來(lái)說(shuō)，圖案晶圓檢測(cè)系統(tǒng)系以白光或雷射光來(lái)照射晶圓表 面。再由一或多組偵測(cè)器接收自晶圓表面繞射出來(lái)的光線， 并將該影像交由高功 能軟件進(jìn)行底層圖案消除，以辨識(shí)并發(fā)現(xiàn)瑕疵。切割晶圓經(jīng)過(guò)所有的制程處理及測(cè)試后， 切割成壹顆顆的 IC 。舉例來(lái)說(shuō)：以 0.2 微米制程技術(shù)生產(chǎn)，每片八？季采峽芍譜鶻？六百顆以上的64M DRAM 。封裝制程處理的最后一道手續(xù)， 通常還包含了打線的過(guò)程。 以金線連接芯片與導(dǎo) 線架的線路，再封裝絕緣的塑料或陶瓷外殼

12、，并測(cè)試 IC 功能是否正常。由于切 割與封裝所需技術(shù)層面比較不高， 因此常成為一般業(yè)者用以介入半導(dǎo)體工業(yè)之 切入點(diǎn)。300mm為協(xié)助晶圓制造廠克服 300mm 晶圓生產(chǎn)的挑戰(zhàn)，應(yīng)用材料提供了業(yè)界最 完整的解決方案。不但擁有種類(lèi)齊全的 300mm 晶圓制造系統(tǒng)，提供最好的服 務(wù)與支持組織， 還掌握先進(jìn)制程與制程整合的技術(shù)經(jīng)驗(yàn)； 從降低風(fēng)險(xiǎn)、增加成效， 加速量產(chǎn)時(shí)程， 到協(xié)助達(dá)成最大生產(chǎn)力， 將營(yíng)運(yùn)成本減到最低等， 以滿足晶圓制 造廠所有的需求。應(yīng)用材料的 300mm 全方位解決方案，完整的產(chǎn)品線為：高溫處理及離子植入設(shè)備 (Thermal Processes and Implant)介質(zhì)化學(xué)氣

13、相沉積 (DCVD ：Dielectric Chemical Vapor Deposition)金屬沉積 (Metal Deposition)蝕刻(Etch)化學(xué)機(jī)械研磨 (CMP ：Chemical Mechanical Polishing)檢視與量測(cè) (Inspection & Metrology)制造執(zhí)行系統(tǒng) (MES ： Manufacturing Execution System)服務(wù)與支持 (Service & Support)銅制程技術(shù)在傳統(tǒng)鋁金屬導(dǎo)線無(wú)法突破瓶頸之情況下， 經(jīng)過(guò)多年的研究發(fā)展， 銅導(dǎo)線已 經(jīng)開(kāi)始成為半導(dǎo)體材料的主流， 由于銅的電阻值比鋁還小， 因此可在較小的面積 上承載較大的電流，讓廠商得以生產(chǎn)速度更快、電路更密集，且效能可提升約 30-40 的芯片。亦由于銅的抗電子遷移( electro-migration )能力比鋁好， 因此可減輕其電移作用， 提高芯片的可靠度。 在半導(dǎo)體制程設(shè)備供貨商中， 只有 應(yīng)用材料公司能提供完整的銅制程全方位解決方案與技術(shù)，