各國(guó)在半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展中的政策與啟示

1、各國(guó)在半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展中的政策與啟示半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)作為尖端技術(shù)及高附加價(jià)值產(chǎn)業(yè)對(duì)其他產(chǎn)業(yè)的影響極大， 是在整個(gè)國(guó)民經(jīng)濟(jì)中具有巨大 戰(zhàn)略意義的關(guān)鍵性技術(shù)產(chǎn)業(yè)， 因此世界各國(guó)政府都將其視為國(guó)家的骨干產(chǎn)業(yè)。 一國(guó)想走在世界經(jīng)濟(jì) 的前列或是為了保衛(wèi)國(guó)家安全 ,都必須要進(jìn)入這個(gè)耗資巨大而又發(fā)展極為迅速的技術(shù)領(lǐng)域。在其中，政府干預(yù)的影子在世界各國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展中隨處可見(jiàn)。無(wú)論是半導(dǎo)體產(chǎn)品的研究開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)制造，或是與他國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)品的貿(mào)易，政府對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)都具有深遠(yuǎn)的影響。各發(fā)達(dá)國(guó)家的產(chǎn)業(yè)政策比較1. 美國(guó)美國(guó)是半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)源地 .半導(dǎo)體發(fā)展的原始目的主要在于支持國(guó)防業(yè)和宇航業(yè)，確 保美國(guó)國(guó)防部能獲得最先進(jìn)的武器

2、系統(tǒng)和宇航局擁有最精密的操作控制設(shè)備。 由于這兩個(gè)行業(yè)是半 導(dǎo)體產(chǎn)品的主要需求者， 從而決定了半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的最初方向和性質(zhì)。 事實(shí)表明， 美國(guó)國(guó)防部的 采購(gòu)對(duì)美國(guó)半導(dǎo)體業(yè)的早期發(fā)展具有決定性的影響， 為其后來(lái)長(zhǎng)期處于世界領(lǐng)先地位奠定了堅(jiān)實(shí)基 礎(chǔ)。但 20 世紀(jì) 80 年代美國(guó)作為半導(dǎo)體的主要生產(chǎn)商在全球的位次大幅度下降，這樣的衰退被很 多美國(guó)人認(rèn)為是對(duì)國(guó)家軍事安全和經(jīng)濟(jì)的嚴(yán)重威脅， 不少人將其歸咎于美國(guó)政府微電子產(chǎn)業(yè)的政策 方向。為了應(yīng)對(duì)這種狀況，除美國(guó)政府繼續(xù)以巨大的國(guó)防支出來(lái)資助半導(dǎo)體業(yè)的研發(fā)外， 1987 年美 國(guó)半導(dǎo)體協(xié)會(huì)成立。 美國(guó)政府亦在貿(mào)易領(lǐng)域出臺(tái)了一系列政策以支持其半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

3、的發(fā)展， 如 1986 年美國(guó)政府與日本簽定了半導(dǎo)體協(xié)定 ，原因是美國(guó)宣稱日本生產(chǎn)商以超低價(jià)格向美國(guó)傾銷芯片 并限制美商進(jìn)入日本國(guó)內(nèi)市場(chǎng)。雙方最初簽定的公約于 1991 年到期后，美國(guó)政府又就該協(xié)定在下 個(gè)五年中的實(shí)施問(wèn)題與日本政府磋商。 而這次談判的重點(diǎn)則是要求日本市場(chǎng)對(duì)美國(guó)半導(dǎo)體生產(chǎn)商 敞開(kāi)大門(mén)。然而必須指出的是美國(guó)政府因從國(guó)防安全角度出發(fā)一直嚴(yán)格控制其尖端核心半導(dǎo)體設(shè)備 的出口。然而隨著時(shí)代的發(fā)展， 半導(dǎo)體技術(shù)的廣泛滲透性所造成的日益擴(kuò)大的國(guó)際市場(chǎng)不是由哪幾 家企業(yè)或哪幾個(gè)國(guó)家可以全部壟斷的。 美國(guó)政府較為嚴(yán)格的出口限制勢(shì)必影響到美國(guó)半導(dǎo)體生產(chǎn)商在國(guó)際市場(chǎng)上的競(jìng)爭(zhēng)力。2. 日本在日本，

4、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)政策的重心是半導(dǎo)體在工業(yè)和消費(fèi)領(lǐng)域中的應(yīng)用。 在日本半導(dǎo)體業(yè) 發(fā)展中， 為全面扭轉(zhuǎn)最初其技術(shù)依附于歐美的弱勢(shì)地位 ,日本的 MITI 發(fā)揮了強(qiáng)大的引導(dǎo)作用， 為日 本半導(dǎo)體企業(yè)的有序競(jìng)爭(zhēng)構(gòu)建了有效框架。 分析其政策沿革，演變過(guò)程大體上經(jīng)歷了以下幾個(gè)階段。 是電子工業(yè)振興臨時(shí)措施法 （簡(jiǎn)稱 "電振法 "）于 1957 年制定。其頒布實(shí)施有效地促進(jìn)了日本 企業(yè)在學(xué)習(xí)美國(guó)先進(jìn)技術(shù)的基礎(chǔ)上， 積極發(fā)展本國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。 二是特定電子工業(yè)及特定機(jī)械 工業(yè)振興臨時(shí)措施法于 1971 年制定。該法進(jìn)一步秉承了 "電振法 "的宗旨，強(qiáng)化了發(fā)展以半導(dǎo)體 為代表的

5、電子產(chǎn)業(yè)的力度。 該法的實(shí)施成功地幫助日本企業(yè)通過(guò)加強(qiáng)自身研發(fā)、 生產(chǎn)能力， 有效地 抵御了歐美半導(dǎo)體廠商的沖擊， 進(jìn)而使日本半導(dǎo)體制品不斷走向世界。 三是特定機(jī)械情報(bào)產(chǎn)業(yè)振 興臨時(shí)措施法 在 1978 年制定（于 1985 年失效）。該法進(jìn)一步加強(qiáng)了以半導(dǎo)體為核心的信息產(chǎn)業(yè) 的發(fā)展。上述三部專業(yè)法規(guī)在總體上加強(qiáng)了日本企業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)力。 此后日本沒(méi)有頒布針對(duì)以半導(dǎo)體為 基礎(chǔ)的電子、 信息產(chǎn)業(yè)的專門(mén)法規(guī)， 而是改為通過(guò)綜合性法規(guī)在整體上推動(dòng)包含半導(dǎo)體在內(nèi)的高新 技術(shù)的發(fā)展，其中較為重要的是于 1995 年出臺(tái)的科學(xué)技術(shù)基本法 。MITI 還通過(guò)限制外商在日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的投資和要求通過(guò)直接購(gòu)買方式來(lái)獲

6、取技術(shù)從而避免 了日本在技術(shù)上受到他國(guó)的控制和支配。直到 20 世紀(jì) 70 年代末，日本政府一直奉行著嚴(yán)厲的產(chǎn) 業(yè)保護(hù)政策， 包括進(jìn)行嚴(yán)格的進(jìn)口管制。 對(duì)于外國(guó)企業(yè)在半導(dǎo)體領(lǐng)域的對(duì)日投資， 日本政府也一直 采取嚴(yán)格的審批制度， 并附以禁止設(shè)立獨(dú)資企業(yè)、 外國(guó)企業(yè)的所有專利技術(shù)需向合資公司公開(kāi)等苛 刻條件，而這些措施直到 1975 年才被放寬。之后，日本政府的政策稍微有所放松，但日本在微電 子競(jìng)爭(zhēng)中拔得頭籌的雄心壯志絲毫沒(méi)有減弱。非常明顯的一個(gè)例子就是由 MITI 提議的大規(guī)模綜合 項(xiàng)目 VLSI 的實(shí)施。這個(gè)由日本政府出資 40% 的項(xiàng)目使日本五大半導(dǎo)體公司在一起通過(guò)合作共同研 發(fā)更復(fù)雜先進(jìn)的

7、新一代技術(shù)產(chǎn)品。 另外 ,日本外貿(mào)組織 JETO 通過(guò)其在全球 55 個(gè)以上國(guó)家所設(shè)有的 分支機(jī)構(gòu)為日本半導(dǎo)體生產(chǎn)商提供有關(guān)行業(yè)的最新資訊， 有力的促進(jìn)了科技信息的溝通與傳播。 同 時(shí)在融資上， 日本政府主要利用國(guó)家開(kāi)發(fā)銀行為半導(dǎo)體企業(yè)提供低利貸款， 使企業(yè)借貸利率接近于-文章來(lái)源網(wǎng)絡(luò) 零，這與美國(guó)同時(shí)期市場(chǎng)利率 4%-5% 相比較，可謂是具有極大優(yōu)勢(shì)。3. 韓國(guó)韓國(guó)相比美、日，韓國(guó)政府對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的參與力度似乎更大了一些。韓國(guó)政府通過(guò)多 種渠道去培養(yǎng)和促使韓國(guó)大企業(yè)進(jìn)入半導(dǎo)體領(lǐng)域。 1976 年政府成立了韓國(guó)電子技術(shù)學(xué)院 （KIET ）， 其主要職責(zé)是“計(jì)劃與協(xié)調(diào)半導(dǎo)體 R&D 、進(jìn)

8、口、吸收和傳播國(guó)外技術(shù)，為韓國(guó)企業(yè)提供技術(shù)支持， 進(jìn)行市場(chǎng)調(diào)研”。1982 年，“長(zhǎng)期半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)促進(jìn)計(jì)劃”宣告啟動(dòng)，韓國(guó)政府為四大主要半導(dǎo)體企業(yè) 提供了大量的財(cái)政、稅收優(yōu)惠。 1986 年，韓國(guó)政府制訂了半導(dǎo)體信息技術(shù)開(kāi)發(fā)方向的投資計(jì)劃， 每年向半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資近億美元。 “政策經(jīng)濟(jì)”的結(jié)果是韓國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)的發(fā)展相當(dāng)令人鼓舞。 在歐、 美地區(qū)雙雙衰退的情況下，韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 2002 年產(chǎn)值反而從 95.8 億美元增至 112 億美元，同 比增長(zhǎng)了 17。眾所周知，韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高度集中于記憶體領(lǐng)域，由于經(jīng)營(yíng)記憶體的財(cái)團(tuán)背后 有著政府力量的強(qiáng)力支撐， 因此雖然目前市場(chǎng)在供給過(guò)剩的壓力下利潤(rùn)已漸趨

9、稀薄， 但三星、 南亞 科技等韓國(guó)企業(yè)憑借其規(guī)模效益，仍成為全球少數(shù)獲利的記憶體廠商。4. 歐洲歐洲繼美國(guó)和亞洲之后， 第三大半導(dǎo)體生產(chǎn)基地當(dāng)數(shù)歐洲。 西歐的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)政策的演 變可大致分為三個(gè)階段：第一階段是 1965 年前，除政府對(duì)與國(guó)防相關(guān)的 R&D 進(jìn)行投資和在政府 采購(gòu)中偏向于本國(guó)生產(chǎn)商外，基本上不存在政府對(duì)半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展的干預(yù)行為；第二階段， 1965 年 至 1975 年，歐洲政府非常重視計(jì)算機(jī)行業(yè)，對(duì)半導(dǎo)體的科研給予了一些激勵(lì)措施，但政府的參與 仍有相當(dāng)?shù)木窒扌裕坏谌A段，自 1975 年之后，歐洲各國(guó)政府逐漸加大了對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的支持力 度，政策重心更集中于信息技術(shù)包括微

10、電子方面。進(jìn)入 80 年代后，歐洲各國(guó)政府積極推動(dòng)半導(dǎo)體 產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)企業(yè)的合作與發(fā)展，例如 ESPRIT 和 JESSI 項(xiàng)目。其中 ,后者耗資 4 億美元，主要致力于 開(kāi)發(fā)先進(jìn)的微芯片技術(shù)。此外 ,西歐各國(guó)政府還聯(lián)合向非歐洲的半導(dǎo)體制造商施壓，要求他們不能 僅僅是在歐洲進(jìn)行加工組裝業(yè)務(wù)， 而是更多的設(shè)立設(shè)計(jì)與技術(shù)部門(mén)。 其目標(biāo)則是希望通過(guò)一系列措 施，能加速歐洲半導(dǎo)體的技術(shù)創(chuàng)新， 鼓勵(lì)歐洲內(nèi)部各國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)間的交流與聯(lián)系， 從而在一定程 度上保護(hù)歐洲本土的半導(dǎo)體核心技術(shù)以及生產(chǎn)競(jìng)爭(zhēng)力。歐盟委員會(huì)也進(jìn)一步加強(qiáng)了保護(hù)其半導(dǎo)體工業(yè)的力度。 1990 年歐盟與日本政府簽署了一個(gè)自-文章來(lái)源網(wǎng)絡(luò)此外，歐盟委員會(huì)還向韓愿協(xié)議，規(guī)定了日本生產(chǎn)的標(biāo)準(zhǔn)存儲(chǔ)器片在歐洲共同市場(chǎng)上的最低售價(jià)國(guó)半導(dǎo)體商采取了反傾銷措施。 原因是韓國(guó)傾銷的芯片價(jià)格大大低于歐盟的可接受價(jià)格。 1997 年，最低售價(jià)又被再次強(qiáng)加到日本和韓國(guó)的 14 個(gè)半導(dǎo)體芯片制造商身上。 2003 年歐盟在判定韓國(guó)政府不公平地向芯片廠商現(xiàn)代半導(dǎo)體公司提 供補(bǔ)貼后隨即決定向現(xiàn)代半導(dǎo)體公司的內(nèi)存芯片征收 34.8% 的進(jìn)口關(guān)稅。 對(duì)我國(guó)的啟示與我國(guó)的