霍爾效應(yīng)及其應(yīng)用2ppt課件

1、霍爾效應(yīng)及其應(yīng)用霍爾效應(yīng)及其應(yīng)用【實(shí)驗(yàn)?zāi)康摹俊緦?shí)驗(yàn)?zāi)康摹?1.了解霍爾效應(yīng)實(shí)驗(yàn)原理以及有關(guān)霍爾元件對(duì)材料要求的知識(shí)；了解霍爾效應(yīng)實(shí)驗(yàn)原理以及有關(guān)霍爾元件對(duì)材料要求的知識(shí)； 2.學(xué)習(xí)用學(xué)習(xí)用“對(duì)稱測(cè)量法消除副效應(yīng)的影響，測(cè)量試樣的對(duì)稱測(cè)量法消除副效應(yīng)的影響，測(cè)量試樣的 和和 曲線；曲線； 3.測(cè)量霍爾元件的霍爾系數(shù)、元件材料的載流子濃度及電導(dǎo)率。測(cè)量霍爾元件的霍爾系數(shù)、元件材料的載流子濃度及電導(dǎo)率。HSV IHMV I【實(shí)驗(yàn)儀器】【實(shí)驗(yàn)儀器】 霍爾效應(yīng)組合實(shí)驗(yàn)儀霍爾效應(yīng)組合實(shí)驗(yàn)儀【實(shí)驗(yàn)原理】【實(shí)驗(yàn)原理】S(I )xH(V )y(B)z0SIve- - - - -+ + + + + HEbdl1.

2、電場(chǎng)力和洛倫茲力相等時(shí)，有：電場(chǎng)力和洛倫茲力相等時(shí)，有：HEBeev 電流與漂移速度的關(guān)系：電流與漂移速度的關(guān)系：SInevSnevbd霍爾電壓與場(chǎng)強(qiáng)的關(guān)系：霍爾電壓與場(chǎng)強(qiáng)的關(guān)系：SHHSSI B1V=EdI BI BdHHbneRK2.霍爾參數(shù)霍爾參數(shù) 霍爾靈敏度霍爾靈敏度1HKned(m V /m A T )電導(dǎo)率電導(dǎo)率SI lneuS-1(m ) 載流子濃度載流子濃度11HHnKedRe-3(m)霍爾系數(shù)霍爾系數(shù)1HRne3-1(m C)ne2-1m(C)遷移率遷移率4m mb 0.5m md 3m ml Sbd方法：對(duì)稱換向測(cè)量方法：對(duì)稱換向測(cè)量SB ,+I ;SB ,-I ;S-B

3、,-I ;S-B ,+I .【實(shí)驗(yàn)內(nèi)容】【實(shí)驗(yàn)內(nèi)容】 1.用等效測(cè)量用等效測(cè)量 曲線。曲線。HSVIMI0.6ASI1 4m A 勵(lì)磁電流：勵(lì)磁電流：1.001.502.002.503.003.504.00SI /m A1SV / m V+B ,+I2SV / m V+B ,-I3SV / m V-B ,-I4SV / m V-B ,+IH1234V / mVVVVV=4M(B=KI)2.測(cè)繪測(cè)繪 曲線。曲線。HMVISI3.00mAMI0.3 0.8A0.3000.4000.5000.6000.7000.800MI/A1SV / m V+B ,+I2SV / m V+B ,-I3SV / m V-B ,-I4SV / m V-B ,+IH1234V / mVVVVV=43.測(cè)量電導(dǎo)率電壓測(cè)量電導(dǎo)率電壓V在零磁場(chǎng)在零磁場(chǎng) 下，取下，取 ，丈量，丈量 VSI2 .0 m AM(I0 ) 4.分別計(jì)算分別計(jì)算HR,.HnK 霍爾系數(shù)霍爾系數(shù)霍爾電壓霍爾電壓SSSI BI BVI B =dHHHRKn e dHSV1I BHdRn e31(m)CHSV1I BHKn e d霍爾靈敏度霍爾靈敏度(m V /m A T )載流子濃度載流子濃度11HHnKedRe-3(