內(nèi)存編碼含義

1、內(nèi)存編碼含義SAMSUNG 顯存Samsung具體含義解釋：例：SAMSUNG K4H280838B-TCB0主要含義：第1位芯片功能K，代表是內(nèi)存芯片。第2位芯片類型4，代表DRAM。第3位芯片的更進(jìn)一步的類型說明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。第4、5位容量和刷新速率，容量相同的內(nèi)存采用不同的刷新速率，也會(huì)使用不同的編號(hào)。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。第6、7位數(shù)據(jù)線引腳個(gè)數(shù)，08代表8位數(shù)據(jù)；16代表16位數(shù)據(jù)；32

2、代表32位數(shù)據(jù)；64代表64位數(shù)據(jù)。第11位連線“-”。第14、15位芯片的速率，如60為6ns；70為 7ns；7B為7.5ns (CL=3)；7C為7.5ns (CL=2) ；80為 8ns；10 為10ns (66MHz)。知道了內(nèi)存顆粒編碼主要數(shù)位的含義，拿到一個(gè)內(nèi)存條后就非常容易計(jì)算出它的容量。例如一條三星DDR內(nèi)存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0顆粒封裝。顆粒編號(hào)第4、5位“28”代表該顆粒是128Mbits，第6、7位“08”代表該顆粒是8位數(shù)據(jù)帶寬，這樣我們可以計(jì)算出該內(nèi)存條的容量是128Mbits（兆數(shù)位） × 16片/8bits=256M

3、B（兆字節(jié)）。注：“bit”為“數(shù)位”，“B”即字節(jié)“byte”，一個(gè)字節(jié)為8位則計(jì)算時(shí)除以8。關(guān)于內(nèi)存容量的計(jì)算，文中所舉的例子中有兩種情況：一種是非ECC內(nèi)存，每8片8位數(shù)據(jù)寬度的顆粒就可以組成一條內(nèi)存；另一種ECC內(nèi)存，在每64位數(shù)據(jù)之后，還增加了8位的ECC校驗(yàn)碼。通過校驗(yàn)碼，可以檢測(cè)出內(nèi)存數(shù)據(jù)中的兩位錯(cuò)誤，糾正一位錯(cuò)誤。所以在實(shí)際計(jì)算容量的過程中，不計(jì)算校驗(yàn)位，具有ECC功能的18片顆粒的內(nèi)存條實(shí)際容量按16乘。在購買時(shí)也可以據(jù)此判定18片或者9片內(nèi)存顆粒貼片的內(nèi)存條是ECC內(nèi)存。Hynix(Hyundai)現(xiàn)代現(xiàn)代內(nèi)存的含義：HY5DV641622AT-36HY XX X XX X

4、X XX X X X X X XX1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 121、HY代表是現(xiàn)代的產(chǎn)品 2、內(nèi)存芯片類型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)； 3、工作電壓：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V 4、芯片容量和刷新速率：16=16Mbits、4K Ref；64=64Mbits、8K Ref；65=64Mbits、4K Ref；128=128Mbits、8K Ref；129=128Mbits、4K Ref；256=256Mbits、16K Ref；257=256Mbits、8K Ref 5、代表芯片輸出的數(shù)據(jù)位寬：40、80、16、32分別代表4位、8位、1

5、6位和32位 6、BANK數(shù)量：1、2、3分別代表2個(gè)、4個(gè)和8個(gè)Bank，是2的冪次關(guān)系 7、I/O界面：1 :SSTL_3、 2 :SSTL_2 8、芯片內(nèi)核版本：可以為空白或A、B、C、D等字母，越往后代表內(nèi)核越新 9、代表功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片 10、內(nèi)存芯片封裝形式：JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-，TD=13mm TSOP-，TG=16mm TSOP- 11、工作速度：55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33 :300NHZ、L DR200、H DR266B、 K DR26

6、6AInfineon（億恒）Infineon是德國(guó)西門子的一個(gè)分公司，目前國(guó)內(nèi)市場(chǎng)上西門子的子公司Infineon生產(chǎn)的內(nèi)存顆粒只有兩種容量：容量為128Mbits的顆粒和容量為256Mbits的顆粒。編號(hào)中詳細(xì)列出了其內(nèi)存的容量、數(shù)據(jù)寬度。Infineon的內(nèi)存隊(duì)列組織管理模式都是每個(gè)顆粒由4個(gè)Bank組成。所以其內(nèi)存顆粒型號(hào)比較少，辨別也是最容易的。HYB39S128400即128MB/ 4bits，“128”標(biāo)識(shí)的是該顆粒的容量，后三位標(biāo)識(shí)的是該內(nèi)存數(shù)據(jù)寬度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39

7、S256800即256MB/8bits。Infineon內(nèi)存顆粒工作速率的表示方法是在其型號(hào)最后加一短線，然后標(biāo)上工作速率。-7.5表示該內(nèi)存的工作頻率是133MHz；-8表示該內(nèi)存的工作頻率是100MHz。例如：1條Kingston的內(nèi)存條，采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的內(nèi)存顆粒生產(chǎn)。其容量計(jì)算為： 128Mbits（兆數(shù)位）×16片/8=256MB（兆字節(jié)）。1條Ramaxel的內(nèi)存條，采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的內(nèi)存顆粒生產(chǎn)。其容量計(jì)算為： 128Mbits（兆數(shù)位） × 8 片/8=128MB（兆字節(jié)）

8、。KINGMAX、ktiKINGMAX內(nèi)存的說明Kingmax內(nèi)存都是采用TinyBGA封裝（Tiny ball grid array）。并且該封裝模式是專利產(chǎn)品，所以我們看到采用Kingmax顆粒制作的內(nèi)存條全是該廠自己生產(chǎn)。Kingmax內(nèi)存顆粒有兩種容量：64Mbits和128Mbits。在此可以將每種容量系列的內(nèi)存顆粒型號(hào)列表出來。容量備注：KSVA44T4A0A64Mbits，16M地址空間 × 4位數(shù)據(jù)寬度；KSV884T4A0A64Mbits，8M地址空間 × 8位數(shù)據(jù)寬度；KSV244T4XXX128Mbits，32M地址空間 × 4位數(shù)據(jù)寬度；K

9、SV684T4XXX128Mbits，16M地址空間 × 8位數(shù)據(jù)寬度；KSV864T4XXX128Mbits，8M 地址空間 × 16位數(shù)據(jù)寬度。Kingmax內(nèi)存的工作速率有四種狀態(tài)，是在型號(hào)后用短線符號(hào)隔開標(biāo)識(shí)內(nèi)存的工作速率：-7APC133 /CL=2；-7PC133 /CL=3；-8APC100/ CL=2；-8PC100 /CL=3。例如一條Kingmax內(nèi)存條，采用16片KSV884T4A0A-7A 的內(nèi)存顆粒制造，其容量計(jì)算為： 64Mbits（兆數(shù)位）×16片/8=128MB（兆字節(jié)）。Micron（美光）以MT48LC16M8A2TG-75這個(gè)

10、編號(hào)來說明美光內(nèi)存的編碼規(guī)則。含義：MTMicron的廠商名稱。48內(nèi)存的類型。48代表SDRAM；46 代表DDR。LC供電電壓。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。16M8內(nèi)存顆粒容量為128Mbits，計(jì)算方法是：16M（地址）×8位數(shù)據(jù)寬度。A2內(nèi)存內(nèi)核版本號(hào)。TG封裝方式，TG即TSOP封裝。-75內(nèi)存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。實(shí)例：一條Micron DDR內(nèi)存條，采用18片編號(hào)為MT46V32M4-75的顆粒制造。該內(nèi)存支持ECC功能。所以每個(gè)Bank是奇數(shù)片內(nèi)存顆粒。其容量計(jì)算為：容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB（兆字節(jié)）。Winbond（華邦）含義說明：W XX XX XX XX 1 2 3 4 51、W代表內(nèi)存顆粒是由Winbond生產(chǎn) 2、代表顯存類型：98為SDRAM，94為DDR RAM