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文檔簡(jiǎn)介
1、會(huì)計(jì)學(xué)1減薄劃片工藝減薄劃片工藝(gngy)介紹介紹第一頁(yè),共46頁(yè)。第1頁(yè)/共45頁(yè)第二頁(yè),共46頁(yè)。外延(wiyn)片下料清洗(qngx)蒸鍍黃光作業(yè)刻蝕合金減薄劃片測(cè)試分選減薄、劃片位于芯片生產(chǎn)工藝的中游。第2頁(yè)/共45頁(yè)第三頁(yè),共46頁(yè)。減薄、劃片COW(chip on wafer)COT (chip on wafer)減薄、劃片第3頁(yè)/共45頁(yè)第四頁(yè),共46頁(yè)。研磨機(jī)研磨機(jī)拋光機(jī)拋光機(jī)第4頁(yè)/共45頁(yè)第五頁(yè),共46頁(yè)。激光激光(jgung)劃片機(jī)劃片機(jī)裂片裂片(li pin)機(jī)機(jī)第5頁(yè)/共45頁(yè)第六頁(yè),共46頁(yè)。第6頁(yè)/共45頁(yè)第七頁(yè),共46頁(yè)。430m80m我司減薄的過(guò)程(guch
2、ng)是要將厚度約為430m的COW片(chip on wafer)減薄至80m5m左右第7頁(yè)/共45頁(yè)第八頁(yè),共46頁(yè)。 定義: 將芯片固定在陶瓷(toc)盤(pán)上便于減薄的過(guò)程。第8頁(yè)/共45頁(yè)第九頁(yè),共46頁(yè)。 步驟: 清潔陶瓷盤(pán) 上蠟貼片前,首先需要保證陶瓷盤(pán)的潔凈程度,LED芯片減薄是屬于微米量級(jí)的操作,任何細(xì)微的雜質(zhì)都可能導(dǎo)致意想不到(y xing b do)的異常狀況。第9頁(yè)/共45頁(yè)第十頁(yè),共46頁(yè)。 步驟: 涂蠟 將陶瓷(toc)盤(pán)加熱至140,保證蠟條能迅速融化,涂蠟過(guò)程中需注意要使蠟均勻分布在陶瓷(toc)盤(pán)表面。第10頁(yè)/共45頁(yè)第十一頁(yè),共46頁(yè)。 步驟: 貼片 將需要減
3、薄的芯片小心(xio xn)放置于陶瓷盤(pán)上,注意需要趕走芯片與蠟層之間的氣泡。第11頁(yè)/共45頁(yè)第十二頁(yè),共46頁(yè)。 步驟: 加壓冷卻 通過(guò)(tnggu)加壓的方式使,陶盤(pán)與芯片之間的蠟均勻分布,并凝固將芯片固定。第12頁(yè)/共45頁(yè)第十三頁(yè),共46頁(yè)。 定義: 使用鉆石砂輪將芯片(xn pin)快速減薄到一定厚度,研磨后芯片(xn pin)厚度值為1205m,此步驟大約耗時(shí)15min。430m15min120m第13頁(yè)/共45頁(yè)第十四頁(yè),共46頁(yè)。 步驟: 修盤(pán) 每次研磨前需使用油石將鉆石砂輪修整一遍。此動(dòng)作意義(yy)類似于切菜的前磨刀。第14頁(yè)/共45頁(yè)第十五頁(yè),共46頁(yè)。 步驟(bzhu
4、): 歸零 歸零實(shí)際是設(shè)置研磨起始點(diǎn),歸零又分為手動(dòng)歸零和自動(dòng)歸零。第15頁(yè)/共45頁(yè)第十六頁(yè),共46頁(yè)。 步驟: 研磨 砂輪高速自轉(zhuǎn)(1050rpm)并以一定的規(guī)律(gul)進(jìn)給將芯片減薄到指定厚度。第16頁(yè)/共45頁(yè)第十七頁(yè),共46頁(yè)。 定義: 如果說(shuō)研磨(ynm)是快速減薄的過(guò)程,拋光則是一個(gè)緩慢減薄的過(guò)程,同時(shí)使芯片表面粗糙度降低,以獲得光亮、平整表面。第17頁(yè)/共45頁(yè)第十八頁(yè),共46頁(yè)。 步驟(bzhu): 鑲盤(pán) 將錫盤(pán)上均勻布滿鉆石液的過(guò)程。第18頁(yè)/共45頁(yè)第十九頁(yè),共46頁(yè)。 步驟(bzhu): 拋光 通過(guò)拋光液中的鉆石顆粒,緩慢減薄芯片。第19頁(yè)/共45頁(yè)第二十頁(yè),共46頁(yè)
5、。 定義(dngy): 將減薄后的芯片從陶瓷盤(pán)上卸下來(lái)的過(guò)程。第20頁(yè)/共45頁(yè)第二十一頁(yè),共46頁(yè)。 步驟: 浸泡 將拋光后的陶瓷盤(pán)放入去蠟鍋中,加熱浸泡5min左右(zuyu),使芯片從陶瓷上剝離。第21頁(yè)/共45頁(yè)第二十二頁(yè),共46頁(yè)。 步驟: 夾取 用平口鑷小心將減薄后的芯片夾只提籃中以便于清洗。由于芯片很薄夾取過(guò)程(guchng)中需非常小心。第22頁(yè)/共45頁(yè)第二十三頁(yè),共46頁(yè)。 定義(dngy): 使用一定的化學(xué)試劑通過(guò)水浴浸泡,QDR沖洗的方式將芯片上蘸有的殘蠟清洗干凈。第23頁(yè)/共45頁(yè)第二十四頁(yè),共46頁(yè)。 步驟(bzhu): 去蠟液ACEIPAQDRIPA烘干第24頁(yè)/
6、共45頁(yè)第二十五頁(yè),共46頁(yè)。劃片第25頁(yè)/共45頁(yè)第二十六頁(yè),共46頁(yè)。 定義(dngy): 使用藍(lán)膜或白膜將減薄后芯片固定的過(guò)程。 第26頁(yè)/共45頁(yè)第二十七頁(yè),共46頁(yè)。 步驟: 準(zhǔn)備工作 用IPA加至無(wú)塵布上擦拭chuck表面和滾輪(gnln)。把vacuum開(kāi)至off。減薄后80m芯片很脆弱,需要注重每一個(gè)細(xì)節(jié)。第27頁(yè)/共45頁(yè)第二十八頁(yè),共46頁(yè)。 步驟: 取片 把貼片機(jī)vacuum開(kāi)至off處。小心(xio xn)將貼好的芯片取下。第28頁(yè)/共45頁(yè)第二十九頁(yè),共46頁(yè)。 步驟: 貼片 放鐵環(huán)(ti hun),需注意對(duì)準(zhǔn)卡栓,用平口鑷子夾取芯片,放片時(shí)芯片正面朝上,使用白膜粘住
7、芯片。第29頁(yè)/共45頁(yè)第三十頁(yè),共46頁(yè)。 使用激光在芯片背面(bimin),沿切割道劃片。不同尺寸芯片,劃片深度不一,深度區(qū)間為25至40m之間。注意:并未將芯片劃穿。第30頁(yè)/共45頁(yè)第三十一頁(yè),共46頁(yè)。 在芯片正面(激光劃芯片背面),沿著激光劃片的痕跡使用裂片機(jī)將管芯完全(wnqun)分離開(kāi)。第31頁(yè)/共45頁(yè)第三十二頁(yè),共46頁(yè)。 定義: 將完全(wnqun)分離的管芯由正面貼膜翻轉(zhuǎn)成背面貼膜。 第32頁(yè)/共45頁(yè)第三十三頁(yè),共46頁(yè)。 步驟: 去雜質(zhì) 將切割與劈裂過(guò)程中產(chǎn)生(chnshng)的一些碎屑雜質(zhì)粘掉。第33頁(yè)/共45頁(yè)第三十四頁(yè),共46頁(yè)。 步驟: 貼膜 剪一方形藍(lán)膜(
8、大小為 20cm*20cm,長(zhǎng)寬誤差(wch)不大于2cm),將Wafer背面貼于藍(lán)膜中間位置第34頁(yè)/共45頁(yè)第三十五頁(yè),共46頁(yè)。 步驟: 加壓 藍(lán)膜在下,白膜在上放于倒膜機(jī)加熱平臺(tái)上,蓋上硅膠片,硅膠片需覆蓋整個(gè)片子區(qū)域,按下下降按鈕,加壓盤(pán)下降,等待4秒后加壓盤(pán)自動(dòng)上升(shngshng),即加壓一次完成。第35頁(yè)/共45頁(yè)第三十六頁(yè),共46頁(yè)。 步驟: 撕膜 從加熱(ji r)平臺(tái)上取下,左手按住貼有Wafer的藍(lán)膜,右手貼著膜平撕下表面的白膜,倒膜完成,管芯由正面貼膜變成了背面貼膜第36頁(yè)/共45頁(yè)第三十七頁(yè),共46頁(yè)。 定義: 通過(guò)擴(kuò)張藍(lán)膜的方式,增大(zn d)管芯之間距離,以
9、便于目檢作業(yè) 第37頁(yè)/共45頁(yè)第三十八頁(yè),共46頁(yè)。 步驟: 擴(kuò)張前準(zhǔn)備 開(kāi)機(jī),打開(kāi)(d ki)電源,查看引伸盤(pán)控溫器上的溫度顯示值是否為40 5,異常紅燈會(huì)亮。 第38頁(yè)/共45頁(yè)第三十九頁(yè),共46頁(yè)。 步驟: 擴(kuò)張前準(zhǔn)備(zhnbi) 放擴(kuò)張環(huán) ,打開(kāi)壓蓋,將擴(kuò)張環(huán)的內(nèi)環(huán)放入底盤(pán)中,注意光滑面朝上,將擴(kuò)張環(huán)的外環(huán)放入壓環(huán)盤(pán)中,注意光滑面朝下。 第39頁(yè)/共45頁(yè)第四十頁(yè),共46頁(yè)。 步驟: 放藍(lán)膜 將貼有芯片(xn pin)的藍(lán)膜平鋪于底盤(pán)上,貼有芯片(xn pin)的一面朝上。 第40頁(yè)/共45頁(yè)第四十一頁(yè),共46頁(yè)。 步驟: 扣緊壓蓋 放下壓盤(pán),將“鎖緊放松”按鈕置于鎖緊端,使得壓盤(pán)
10、和底盤(pán)鎖緊;此機(jī)臺(tái)具有延時(shí)機(jī)制,壓盤(pán)和底盤(pán)鎖緊之后的5秒之內(nèi)引伸盤(pán)上升按鈕將會(huì)失效,5秒之后恢復(fù)正常,“電源(dinyun)指示燈”自動(dòng)亮起。 第41頁(yè)/共45頁(yè)第四十二頁(yè),共46頁(yè)。 步驟(bzhu): 擴(kuò)張 按下引伸盤(pán)上升鈕,這時(shí)貼有芯片的藍(lán)膜會(huì)被擴(kuò)張 第42頁(yè)/共45頁(yè)第四十三頁(yè),共46頁(yè)。 步驟: 壓環(huán) 引伸盤(pán)伸到頂后,將環(huán)外套下壓裝置輕輕推到引伸盤(pán)上方直至不能推動(dòng)為止,此時(shí)(c sh)會(huì)有一個(gè)sensor感知,接著按下壓環(huán)柱后面的綠色按鈕,最后按下環(huán)外套下降鈕即可 第43頁(yè)/共45頁(yè)第四十四頁(yè),共46頁(yè)。 步驟: 取環(huán) 壓環(huán)后將各部件(bjin)復(fù)位后,松開(kāi)壓蓋緊鎖。取下環(huán)我們就得到了COT(chip on tape)第44頁(yè)/共45頁(yè)第四十五頁(yè),共46頁(yè)。NoImage內(nèi)容(nirng)總結(jié)會(huì)計(jì)學(xué)。第5頁(yè)/共45頁(yè)。減薄:顧名思義是通過(guò)特定的工藝手法將物體由厚變薄的過(guò)程。將陶瓷盤(pán)加熱至140,保證蠟條能
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