高電壓技術(shù)總復習

1、高高 電電 壓壓 技技 術(shù)術(shù)總總 復復 習習高高 電電 壓壓 技技 術(shù)術(shù)v第一篇第一篇 各類電介質(zhì)在高電場下的電氣特性各類電介質(zhì)在高電場下的電氣特性v第二篇第二篇 電氣設(shè)備的絕緣試驗電氣設(shè)備的絕緣試驗v第三篇第三篇 電力系統(tǒng)內(nèi)部過電壓與絕緣配合電力系統(tǒng)內(nèi)部過電壓與絕緣配合第一篇第一篇 電介質(zhì)在高電場下的特性電介質(zhì)在高電場下的特性v電介質(zhì)在電氣設(shè)備中作為絕緣材料使用，按電介質(zhì)在電氣設(shè)備中作為絕緣材料使用，按其物質(zhì)形態(tài)，可分為：其物質(zhì)形態(tài)，可分為： 氣體介質(zhì)氣體介質(zhì) 液體介質(zhì)液體介質(zhì) 固體介質(zhì)固體介質(zhì)v在電氣設(shè)備中在電氣設(shè)備中: 外絕緣外絕緣: 一般由氣體介質(zhì)一般由氣體介質(zhì)(空氣空氣)和固體介質(zhì)和

2、固體介質(zhì)(絕絕緣子緣子)聯(lián)合構(gòu)成聯(lián)合構(gòu)成 內(nèi)絕緣內(nèi)絕緣:一般由固體介質(zhì)和液體介質(zhì)聯(lián)合構(gòu)成一般由固體介質(zhì)和液體介質(zhì)聯(lián)合構(gòu)成 氣體介質(zhì)的電氣特性氣體介質(zhì)的電氣特性v一、非自持放電和自持放電一、非自持放電和自持放電v1.非自持放電：非自持放電： 當施加電壓當施加電壓UUo時，電流劇增，氣隙中的電離過程只時，電流劇增，氣隙中的電離過程只靠外施電壓就可以維持，不再需要外部電離靠外施電壓就可以維持，不再需要外部電離因素，稱自持放電。因素，稱自持放電。二、湯遜理論二、湯遜理論v實質(zhì)：實質(zhì)：放電的主要原因是電子碰撞電離，二次電子放電的主要原因是電子碰撞電離，二次電子來源于正離子撞擊陰極表面溢出電子，溢出電子是

3、來源于正離子撞擊陰極表面溢出電子，溢出電子是維持氣體放電的必要條件。維持氣體放電的必要條件。v自持放電條件：自持放電條件：v適用范圍：適用范圍：低氣壓短氣隙，低氣壓短氣隙，pd26.66kPa cm pd過大時湯遜理論無法解釋：過大時湯遜理論無法解釋： 放電時間：很短放電時間：很短 放電外形：具有分支的細通道放電外形：具有分支的細通道 擊穿電壓：與理論計算不一致?lián)舸╇妷海号c理論計算不一致 陰極材料：無關(guān)陰極材料：無關(guān)1) 1(de三、流注理論三、流注理論v流注發(fā)展過程流注發(fā)展過程 初始電子崩（電子崩頭部電子數(shù)達到一定數(shù)量）初始電子崩（電子崩頭部電子數(shù)達到一定數(shù)量） 電場畸變和加強電場畸變和加強

4、 電子崩頭部正負空間電荷復電子崩頭部正負空間電荷復合合 放射大量光子放射大量光子 光電離光電離 崩頭處二次電子崩頭處二次電子（光電子）（光電子）（向正空間電荷區(qū)運動）碰撞游離（向正空間電荷區(qū)運動）碰撞游離 二次電子崩二次電子崩 （二次電子崩電子跑到初崩正空間電（二次電子崩電子跑到初崩正空間電荷區(qū)域）流注發(fā)展到陰極，氣隙被擊穿荷區(qū)域）流注發(fā)展到陰極，氣隙被擊穿流注的形成過程流注的形成過程v1）在光照下，電子在強電場的作用下，形成電子）在光照下，電子在強電場的作用下，形成電子崩，初崩發(fā)展到陽極時，電子迅速與陽極中和；崩，初崩發(fā)展到陽極時，電子迅速與陽極中和；v2）離子的速度較慢，暫留的正離子加強了

5、正離子）離子的速度較慢，暫留的正離子加強了正離子與陰極之間的電場，并使之畸變，同時放出大量的與陰極之間的電場，并使之畸變，同時放出大量的光子；光子；v3）光子又電離了附近的氣體，形成二次電子崩，）光子又電離了附近的氣體，形成二次電子崩，二次電子崩的電子迅速移向陽極方向，在正電荷區(qū)二次電子崩的電子迅速移向陽極方向，在正電荷區(qū)域內(nèi)形成正負帶電粒子混合通道，這個電離通道稱域內(nèi)形成正負帶電粒子混合通道，這個電離通道稱流注流注。流注端部又有二次電子崩留下的正電荷，進。流注端部又有二次電子崩留下的正電荷，進一步加強了電場，促使更多的新電子崩相繼產(chǎn)生并一步加強了電場，促使更多的新電子崩相繼產(chǎn)生并與之匯合，使

6、流注向前發(fā)展；與之匯合，使流注向前發(fā)展；v4）最后，流注發(fā)展到陰極，將兩極接通，導致氣）最后，流注發(fā)展到陰極，將兩極接通，導致氣隙空氣被擊穿。隙空氣被擊穿。三、流注理論三、流注理論v流注形成條件：流注形成條件： 電子崩發(fā)展到電子崩發(fā)展到足夠的程度足夠的程度后，電子崩中的空間電荷后，電子崩中的空間電荷足以使原電場足以使原電場明顯畸變明顯畸變，大大加強電子崩崩頭和崩，大大加強電子崩崩頭和崩尾處的電場；尾處的電場； 電子崩中電荷密度很大，復合頻繁，放射出的光子電子崩中電荷密度很大，復合頻繁，放射出的光子在這部分很強，電場區(qū)很容易成為引發(fā)新的空間光在這部分很強，電場區(qū)很容易成為引發(fā)新的空間光電離的輻射

7、源，二次電子主要來源于電離的輻射源，二次電子主要來源于空間光電離空間光電離； 氣隙中一旦氣隙中一旦形成流注形成流注，放電由空間光電離自行維持，放電由空間光電離自行維持v自持放電條件：自持放電條件：四、不均勻電場中的放電過程四、不均勻電場中的放電過程v1.極性效應：極性效應： 由于高場強電極極性的不同，空間電荷的極由于高場強電極極性的不同，空間電荷的極性也不同，對放電發(fā)展的影響也不同，這就性也不同，對放電發(fā)展的影響也不同，這就造成了不同極性的高場強電極的電暈起始電造成了不同極性的高場強電極的電暈起始電壓的不同，以及間隙擊穿電壓的不同。壓的不同，以及間隙擊穿電壓的不同。 判斷極性：判斷極性：極性取

8、決于曲率半徑小的棒極的極性取決于曲率半徑小的棒極的電位符號；電極形狀相同時，取決于不接地電位符號；電極形狀相同時，取決于不接地棒極的電位。棒極的電位。v2.比較擊穿電壓的大?。罕容^擊穿電壓的大小：五、空氣間隙在各種電壓下的特性五、空氣間隙在各種電壓下的特性 直流直流 穩(wěn)態(tài)電壓穩(wěn)態(tài)電壓 交流交流電壓電壓 均勻電場：均勻電場： 雷電沖擊電壓雷電沖擊電壓(伏秒特性伏秒特性) 沖擊電壓沖擊電壓 操作沖擊電壓操作沖擊電壓ddUb66. 655.24六、其他內(nèi)容六、其他內(nèi)容v1大氣條件對氣隙擊穿特性的影響大氣條件對氣隙擊穿特性的影響 海拔高度的影響：海拔高度的影響：v2.提高氣體介質(zhì)電氣強度的方法：提高氣

9、體介質(zhì)電氣強度的方法： 改善電場分布；改變氣體的狀態(tài)和種類改善電場分布；改變氣體的狀態(tài)和種類v3.沿面放電沿面放電及防污對策及防污對策PaUKU4101 . 11HKa 液體和固體的電氣強度液體和固體的電氣強度v一、電介質(zhì)的極化、電導和損耗一、電介質(zhì)的極化、電導和損耗 1.極化類型和極化特點極化類型和極化特點 2.液體和固體的電導類型液體和固體的電導類型 3.電介質(zhì)的損耗電介質(zhì)的損耗二、液體介質(zhì)的擊穿二、液體介質(zhì)的擊穿v1.純凈的液體擊穿：純凈的液體擊穿： 電擊穿理論；氣泡擊穿理論電擊穿理論；氣泡擊穿理論v2.含雜質(zhì)的液體擊穿：含雜質(zhì)的液體擊穿： “小橋小橋”擊穿理論擊穿理論v3.影響液體擊穿

10、電壓的因素：影響液體擊穿電壓的因素：三、固體介質(zhì)的擊穿三、固體介質(zhì)的擊穿v1.電擊穿電擊穿 電子崩理論電子崩理論 固有擊穿理論固有擊穿理論 佛羅利希理論佛羅利希理論 希布爾理論希布爾理論v2.熱擊穿：熱擊穿：發(fā)熱散熱與溫度的關(guān)系發(fā)熱散熱與溫度的關(guān)系v3.電化學擊穿電化學擊穿（電老化）：（電老化）： 電離性老化、電導性老化、電解性老化、表電離性老化、電導性老化、電解性老化、表面漏電起痕及電蝕損面漏電起痕及電蝕損三、固體介質(zhì)的擊穿三、固體介質(zhì)的擊穿v累積效應累積效應:極不均勻電場中，當作用在固體介極不均勻電場中，當作用在固體介質(zhì)上的電壓為幅值較低或作用時間較短的沖質(zhì)上的電壓為幅值較低或作用時間較短

11、的沖擊電壓時，會在固體介質(zhì)中形成局部損傷或擊電壓時，會在固體介質(zhì)中形成局部損傷或不完全擊穿，這些不完全擊穿每施加一次沖不完全擊穿，這些不完全擊穿每施加一次沖擊電壓就向前延伸一步，隨著加壓次數(shù)的增擊電壓就向前延伸一步，隨著加壓次數(shù)的增加，介質(zhì)的擊穿電壓也隨之下降，這種現(xiàn)象加，介質(zhì)的擊穿電壓也隨之下降，這種現(xiàn)象稱累積效應。稱累積效應。四、組合絕緣的電氣強度四、組合絕緣的電氣強度v1.介質(zhì)界面與等位面重合介質(zhì)界面與等位面重合v2.介質(zhì)界面是電纜芯線的同芯圓筒介質(zhì)界面是電纜芯線的同芯圓筒)(2211nniidddUEln1ln12202111rRrrrUE20rrrln1ln12202122rRrrr

12、UERrr2第二篇第二篇 電氣設(shè)備的絕緣試驗電氣設(shè)備的絕緣試驗 整體性缺陷整體性缺陷v絕緣缺陷絕緣缺陷 局部性缺陷局部性缺陷 非破壞性試驗非破壞性試驗v 絕緣試驗絕緣試驗 破壞性試驗破壞性試驗 非破壞性試驗非破壞性試驗v一、絕緣電阻的測量一、絕緣電阻的測量1.絕緣電阻絕緣電阻2吸收比吸收比3.極化指數(shù)極化指數(shù)teCRCRRRCCRRRRCCiUtR21122212212121221)()()()()( 15601RRK 1102RRK 二、介質(zhì)損耗角正切的測量二、介質(zhì)損耗角正切的測量vtg是絕緣品質(zhì)的重要指標，測量是絕緣品質(zhì)的重要指標，測量tg是判斷是判斷電氣設(shè)備絕緣狀態(tài)的靈敏有效的方法電氣設(shè)

13、備絕緣狀態(tài)的靈敏有效的方法v tg能反映絕緣的整體性缺陷能反映絕緣的整體性缺陷(全面老化全面老化)和小和小容量試品中的嚴重局部性缺陷容量試品中的嚴重局部性缺陷 vtg隨電壓變化的曲線可以判斷絕緣是否受潮，隨電壓變化的曲線可以判斷絕緣是否受潮，含有氣泡及老化的程度含有氣泡及老化的程度 v大容量的設(shè)備絕緣存在局部缺陷時，應盡可大容量的設(shè)備絕緣存在局部缺陷時，應盡可能將設(shè)備解體后分解測量進行分析能將設(shè)備解體后分解測量進行分析 二、二、 tg的測量方法的測量方法v1.西林電橋法西林電橋法v2.斜波波形分析法斜波波形分析法v3.過零相位比較法過零相位比較法v4.異頻電源法異頻電源法)(102144444

14、FCCfCwRCwRtgxx三、局部放電的測量三、局部放電的測量v電氣設(shè)備絕緣內(nèi)部常存在一些缺陷，如氣泡電氣設(shè)備絕緣內(nèi)部常存在一些缺陷，如氣泡和氣隙。在強電場下，這些缺陷會發(fā)生局部和氣隙。在強電場下，這些缺陷會發(fā)生局部放電，局部放電產(chǎn)生的同時，有熱、聲、臭放電，局部放電產(chǎn)生的同時，有熱、聲、臭氧、氧化氮等產(chǎn)生，腐蝕絕緣材料，引起絕氧、氧化氮等產(chǎn)生，腐蝕絕緣材料，引起絕緣老化，最后導致整個絕緣在正常電壓下發(fā)緣老化，最后導致整個絕緣在正常電壓下發(fā)生擊穿。生擊穿。 v因此局部放電的測量可以有效地檢測出絕緣因此局部放電的測量可以有效地檢測出絕緣內(nèi)部的局部缺陷的存在、發(fā)展情況。內(nèi)部的局部缺陷的存在、發(fā)展

15、情況。v視在放電量視在放電量v放電能量放電能量rbgbqCCCqsirsUUUUqw)(21四、電壓分布的測量四、電壓分布的測量v在工作電壓的作用下，沿著絕緣結(jié)構(gòu)的表面在工作電壓的作用下，沿著絕緣結(jié)構(gòu)的表面會有一定的電壓分布。會有一定的電壓分布。 v表面比較清潔時，其分布規(guī)律取決于絕緣結(jié)表面比較清潔時，其分布規(guī)律取決于絕緣結(jié)構(gòu)本身的電容和雜散電容構(gòu)本身的電容和雜散電容 v表面染污受潮時，分布規(guī)律取決于表面電導表面染污受潮時，分布規(guī)律取決于表面電導 v通過測量絕緣表面上的電壓分布亦能發(fā)現(xiàn)某通過測量絕緣表面上的電壓分布亦能發(fā)現(xiàn)某些絕緣缺陷。些絕緣缺陷。 v測量電壓分布最適用于那些由一系列元件串測量

16、電壓分布最適用于那些由一系列元件串聯(lián)組成的絕緣結(jié)構(gòu)。聯(lián)組成的絕緣結(jié)構(gòu)。v清潔的懸式絕緣子清潔的懸式絕緣子 破壞性試驗破壞性試驗v一、工頻高壓試驗一、工頻高壓試驗 1.產(chǎn)生工頻高壓的方法產(chǎn)生工頻高壓的方法 試驗變壓器試驗變壓器 串聯(lián)諧振串聯(lián)諧振 2.試驗變壓器：電流試驗變壓器：電流 容量容量 3.容升效應容升效應AUCwIS910kVAUCwPS9210v容升效應：容升效應：在通過試驗變壓器施加工頻高壓在通過試驗變壓器施加工頻高壓時，往往在容性試品上產(chǎn)生時，往往在容性試品上產(chǎn)生“容升容升”效應，效應，也就是說實際作用到試品上的電壓值會超過也就是說實際作用到試品上的電壓值會超過按變比高壓側(cè)所應對應

17、輸出的電壓值。試品按變比高壓側(cè)所應對應輸出的電壓值。試品的電容及試驗變壓器的漏抗越大，容升效應的電容及試驗變壓器的漏抗越大，容升效應越明顯。越明顯。 自耦式串級變壓器自耦式串級變壓器二、直流高壓試驗二、直流高壓試驗v1.半波整流回路半波整流回路 脈動系數(shù)脈動系數(shù)v2.倍壓整流回路倍壓整流回路v3.直流串級發(fā)生器直流串級發(fā)生器三、沖擊高壓試驗三、沖擊高壓試驗v沖擊電壓發(fā)生器原理：沖擊電壓發(fā)生器原理：并聯(lián)充電、串聯(lián)放電并聯(lián)充電、串聯(lián)放電 電氣設(shè)備絕緣在線監(jiān)測電氣設(shè)備絕緣在線監(jiān)測v定義定義：通過對絕緣的試驗和各種特性的測量，：通過對絕緣的試驗和各種特性的測量，可以了解并評估絕緣在運行過程中的狀態(tài)，可

18、以了解并評估絕緣在運行過程中的狀態(tài)，從而能早期發(fā)現(xiàn)故障的技術(shù)稱從而能早期發(fā)現(xiàn)故障的技術(shù)稱絕緣檢測與診絕緣檢測與診斷技術(shù)斷技術(shù)v定義定義：研究如何根據(jù)電氣設(shè)備的工作狀態(tài)來：研究如何根據(jù)電氣設(shè)備的工作狀態(tài)來確定維修工作的內(nèi)容和時間，制定維修方案，確定維修工作的內(nèi)容和時間，制定維修方案，這種維修方式稱這種維修方式稱狀態(tài)維修狀態(tài)維修或或欲知維修欲知維修。v根據(jù)診斷規(guī)則的不同可將診斷方法分為三類：根據(jù)診斷規(guī)則的不同可將診斷方法分為三類：邏輯診斷、模糊診斷、統(tǒng)計診斷邏輯診斷、模糊診斷、統(tǒng)計診斷。第三篇第三篇 系統(tǒng)內(nèi)部過電壓與絕緣配合系統(tǒng)內(nèi)部過電壓與絕緣配合v一、線路和繞組中的波過程一、線路和繞組中的波過程

19、 1.單導線波過程單導線波過程 等值電路、波動方程及其解等值電路、波動方程及其解一、線路和繞組中的波過程一、線路和繞組中的波過程 2.波的折射與反射波的折射與反射（1）線路末端開路：）線路末端開路： ，末端，末端電壓加倍，電壓加倍，電流變零電流變零（2）線路末端接地：）線路末端接地： ，末端，末端電流加倍，電流加倍，電壓變零電壓變零（3）線路末端接負載：）線路末端接負載： ，則，則 電壓和電流都無反射電壓和電流都無反射1, 21, 00, 11ZR 二、雷電及防雷保護裝置二、雷電及防雷保護裝置v1.雷云的放電過程：雷云的放電過程： 先導階段主放電和迎面先導階段余輝階段先導階段主放電和迎面先導階

20、段余輝階段v2.雷電參數(shù)：雷電參數(shù)： 雷暴日，雷暴小時，地面落雷密度，雷電流，雷暴日，雷暴小時，地面落雷密度，雷電流，雷道波阻抗。雷道波阻抗。v3.防雷保護裝置和接地裝置防雷保護裝置和接地裝置三、電力系統(tǒng)防雷保護三、電力系統(tǒng)防雷保護v1.輸電線路的耐雷性能指標：輸電線路的耐雷性能指標：耐雷水平和雷耐雷水平和雷擊跳閘率擊跳閘率（1）雷擊桿塔的耐雷水平：）雷擊桿塔的耐雷水平： 雷擊桿塔的跳閘率：雷擊桿塔的跳閘率：（2）繞擊耐雷水平：）繞擊耐雷水平： 繞擊跳閘率：繞擊跳閘率：6 . 2)6 . 2()1 (%501ctihLRkUI228 . 2PPhnag)(100%502kAUI 118 . 2

21、Pghng三、電力系統(tǒng)防雷保護三、電力系統(tǒng)防雷保護v建弧率建弧率:線路著雷并且雷電流超過線路的耐雷線路著雷并且雷電流超過線路的耐雷水平引起線路絕緣發(fā)生沖擊閃絡(luò)時，由于沖水平引起線路絕緣發(fā)生沖擊閃絡(luò)時，由于沖擊閃絡(luò)時間很短不會引起線路跳閘，但若雷擊閃絡(luò)時間很短不會引起線路跳閘，但若雷電消失后由工作電壓產(chǎn)生的工頻電弧繼續(xù)穩(wěn)電消失后由工作電壓產(chǎn)生的工頻電弧繼續(xù)穩(wěn)定存在，則將造成跳閘，從沖擊閃絡(luò)轉(zhuǎn)為穩(wěn)定存在，則將造成跳閘，從沖擊閃絡(luò)轉(zhuǎn)為穩(wěn)定工頻電弧的概率稱建弧率。定工頻電弧的概率稱建弧率。三、電力系統(tǒng)防雷保護三、電力系統(tǒng)防雷保護v2.變電所的進線段保護變電所的進線段保護 為了防止雷電直擊變電所附近的導

22、線導致流過避雷為了防止雷電直擊變電所附近的導線導致流過避雷器的雷電流幅值和波頭陡度超過允許值，而在線路器的雷電流幅值和波頭陡度超過允許值，而在線路進線進線12km范圍內(nèi)裝設(shè)防雷裝置，以加強該段進線范圍內(nèi)裝設(shè)防雷裝置，以加強該段進線的防雷措施，這種保證變電所不受經(jīng)過進線引進的的防雷措施，這種保證變電所不受經(jīng)過進線引進的雷電波的破壞而設(shè)置的防雷保護稱為雷電波的破壞而設(shè)置的防雷保護稱為進線段保護進線段保護。 進線段的作用：進線段的作用： 1）雷電過電壓波在流過進線段時因沖擊電暈而發(fā)生）雷電過電壓波在流過進線段時因沖擊電暈而發(fā)生衰減和變形，降低了波前陡度和幅值；衰減和變形，降低了波前陡度和幅值； 2）

23、限制流過避雷器的沖擊電流幅值）限制流過避雷器的沖擊電流幅值四、電力系統(tǒng)內(nèi)部過電壓四、電力系統(tǒng)內(nèi)部過電壓v1.切空載變壓器切空載變壓器v2.切空載長線切空載長線v3.空載線路合閘空載線路合閘 正常合閘正常合閘 自動重合閘自動重合閘v4.間歇電弧接地間歇電弧接地v5.諧振過電壓諧振過電壓:當系統(tǒng)進行操作或發(fā)生故障時，某一回路當系統(tǒng)進行操作或發(fā)生故障時，某一回路自振頻率與電源頻率相等時，將發(fā)生諧振現(xiàn)象，導致系統(tǒng)中自振頻率與電源頻率相等時，將發(fā)生諧振現(xiàn)象，導致系統(tǒng)中某些部分某些部分(或設(shè)備或設(shè)備)上出現(xiàn)的過電壓。上出現(xiàn)的過電壓。v6.工頻電壓升高工頻電壓升高 空載長線的電容效應空載長線的電容效應 不對

24、稱短路不對稱短路 突然甩負荷突然甩負荷五、絕緣配合五、絕緣配合v1.絕緣配合絕緣配合的概念的概念v2.絕緣配合慣用法絕緣配合慣用法v3.輸變電設(shè)備絕緣水平的確定輸變電設(shè)備絕緣水平的確定v4.架空線路絕緣水平的確定架空線路絕緣水平的確定 泄漏距離和泄漏比距泄漏距離和泄漏比距 各種過電壓下絕緣子片數(shù)的計算各種過電壓下絕緣子片數(shù)的計算v1.泄露距離泄露距離：沿絕緣表面測得的兩個導電零：沿絕緣表面測得的兩個導電零 部件之間或?qū)щ娏悴考c設(shè)備部件之間或?qū)щ娏悴考c設(shè)備 界面之間的最短距離。（界面之間的最短距離。（cm）v2. 泄露比距泄露比距：外絕緣相：外絕緣相-地之間的泄露距離與地之間的泄露距離與 系

25、統(tǒng)最高工作電壓之比，即單系統(tǒng)最高工作電壓之比，即單 位電壓下絕緣子表面的泄露距位電壓下絕緣子表面的泄露距 離。（離。（cm/kV） v一、選擇題一、選擇題1.伴隨有能量損失的極化形式是（伴隨有能量損失的極化形式是（ c ）。）。 A.電子式極化電子式極化 B.離子式極化離子式極化 C.偶極子偶極子極化極化 D.無損極化無損極化2.下列絕緣試驗方法中，屬于破壞性試驗的是下列絕緣試驗方法中，屬于破壞性試驗的是（ d ）。）。 A.測絕緣電阻測絕緣電阻 B.測測 C.測泄漏電流測泄漏電流 D.工頻高壓試驗工頻高壓試驗tgv3.一無限長直角電壓波從波阻抗為一無限長直角電壓波從波阻抗為Z2的線路的線路傳

26、向波阻抗為傳向波阻抗為Z1 的線路，在連接處發(fā)生反射，的線路，在連接處發(fā)生反射，反射系數(shù)為（反射系數(shù)為（ c ）。）。 A. B. C. D.v4.下列可以用來檢測絕緣子串電壓分布的工下列可以用來檢測絕緣子串電壓分布的工具或方法的是（具或方法的是（d） A.火花間隙火花間隙 B.光電測桿光電測桿 C.紅外熱像紅外熱像法法 D.以上都是以上都是212ZZ2Z2112ZZZ-Z2121ZZZ-Z211ZZ2Zv5.架空輸電線路防護直擊雷的主要措施是裝架空輸電線路防護直擊雷的主要措施是裝設(shè)（設(shè)（d）。）。 A.避雷器避雷器B.避雷針避雷針 C.電阻電阻 D.避雷線避雷線v6.高桿塔防雷設(shè)計時采用的雷電流計算波形高桿塔防雷設(shè)計時采用的雷電流計算波形是（是（ d ） A.斜角波斜角波 B.標準沖擊波標準沖擊波 C.半余弦波半余弦波 D.斜角平頂波斜角平頂波v7.切空載變壓器引起的過電壓與變壓器的等切空載變壓器引起的過電壓與變壓器的等值對地電容（值對地電容（ c ） A.成反比成反比 B.成正比成正比 C.呈指數(shù)關(guān)系呈指數(shù)關(guān)系 D.不確定不確定v8SF6氣體具有非常優(yōu)良的電氣性能，但氣體具有非常優(yōu)良的電氣性能，但（ d