ADS中使用Spice模型設(shè)計電路

1、ADS中使用Spice模型設(shè)計電路陳高鵬 HYPERLINK mailto:chen.gaopengchen.gaopengVersionDescriptionReviseData0.1NewDocument08/12/2008CompoundSemiconductorDevice&CircuitDept.IME-CAS 可以利用ADS的網(wǎng)表導(dǎo)入功能，將Spice模型文件導(dǎo)入到ADS軟件中，然后利用ADS的圖形界面進(jìn)行電路設(shè)計及仿真。避免繁雜的Spice電路網(wǎng)標(biāo)輸入，而且經(jīng)對比驗證，ADS和HSpice仿真結(jié)果相同。將Spice庫文件（如這里舉例的UMC的.18um數(shù)字CMOS工藝庫文件：11

2、8ul8v.l22）放到ADS工程（如這里舉例的SpiceLibTest_prj）下的data文件夾中；創(chuàng)建一個新的原理圖文件，暫不命名；菜單FileImport.,彈出Import窗口。在FileType選中NetlistFile，MoreOptions.中進(jìn)行如下圖所示設(shè)置:這里注意，TranslatedOutputFormat中建議選擇為ADSNetlist；否則選擇ADSSchematic(withnamedconnectiosn)將會生成很多零散的Schematic文件，每個文件中包括一個Spice庫文件中描述的器件模型，使用起來不是很方便。Option設(shè)置完成之后點擊OK,回到Im

3、port窗口，通過Browse.選擇放在data文件夾下的Spice庫文件118ul8v.l22，點擊OK。ADS開始導(dǎo)入庫文件的網(wǎng)表，導(dǎo)入完成后將彈出HSPICEnetlistimportcomplete提醒對話框：同時將自動打開nettrans.log文件，其中記錄了網(wǎng)表導(dǎo)入過程、狀態(tài)及警告、錯誤信息。HSpice網(wǎng)表118u18v.122導(dǎo)入后被存為了ADS網(wǎng)表格式文件118，也在data文件夾中。導(dǎo)入時創(chuàng)建的原理圖文件中被ADS自動放入了一個NetlistInclud控件，其參數(shù)IncludeFiles已經(jīng)自動指向了生成.net文件；同時原理圖文件也被自動命名為8u18v.dsn。至此

4、，庫文件網(wǎng)表的導(dǎo)入完成ADS網(wǎng)表的使用在電路設(shè)計原理圖中(如這里舉例的n_18_g2_tst.dsn),放入一個NetlistInclude控件，其參數(shù)IncludePath指向data文件夾；IncludeFiles指向，并且在Section(optional)中填入所需的工藝角定義，如這里的L18U18V_TT。完成NetlishtInclude控件設(shè)置如下圖所示：電路中所需的器件，可以用ADS中控件庫Devices-MOS中的控件MOSFET_NMOS和CompoundSemiconductorDevice&CircuitDept.IME-CAS MOSFET_PMOS控件，其中參數(shù)Mo

5、del指向所需的器件模型名，Length、Width以及_M等可以根據(jù)具體需要自己輸入，如下圖所示：CompoundSemiconductorDevice&CircuitDept.IME-CAS #CompoundSemiconductorDevice&CircuitDept.IME-CAS #上圖示例就相當(dāng)于器件MOSFET1就是Spice庫文件中定義的n_18_g2器件，柵長為0.2um,柵寬為200um。下圖所示為電路原理圖n_18_g2_tst.dsn：VoViVtSineSRC1Vdc=1VAmplitude=0.1V_Freq=1GHzDelay=0nsecDamping=0*Hn

6、Phase=0NETLISTINCLUDENetlistIncludeNetlistInclude1RR1R=50OhmV_DC+|SRC2三Vdc=3.0VMOSFET_NMOSmosfetTModel=n_18_g2Length=.2umWidth=200umM=響TRANSIENTTranTran1StopTime=100.0nsecMaxTimeStep=1.0nsecCompoundSemiconductorDevice&CircuitDept.IME-CAS #CompoundSemiconductorDevice&CircuitDept.IME-CAS #上面電路對n_18_g2器件進(jìn)行瞬態(tài)仿真，其仿真結(jié)果如下圖所示:CompoundSemiconductorDevice&CircuitDept.IME-CAS V,Vi,V,oV1.21.00.8012345678910time,nsec以