磁場中磁介質(zhì)_第1頁
磁場中磁介質(zhì)_第2頁
磁場中磁介質(zhì)_第3頁
全文預(yù)覽已結(jié)束

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進(jìn)行舉報或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡介

1、第十一章磁場中的磁介質(zhì)11-1磁介質(zhì)的磁化磁化強(qiáng)度一磁介質(zhì)的磁化BpB0B二磁介質(zhì)的分類順磁質(zhì)0,B,B0同向,BB0抗磁質(zhì)0,B,B0反向,BB0鐵磁質(zhì):0,BB0三磁化原理1分子電流與分子磁矩pmpmI0Sn2順磁質(zhì)分子與抗磁質(zhì)分子pm0,pm03磁化原理B00:pm0,pm0,pm0,pm0B00:pm0,pm0,pm0,pm0pm0:MpmB,使pm往B0方向轉(zhuǎn),B0越強(qiáng),轉(zhuǎn)向作用越大。pm0:pm0,pm與B反向。fmvpmpmpmfevfepmBfmBI0I0FfefmFfefmII0III0I四磁化強(qiáng)度矢量Mpm(與B外同向)VMpm(與B外反向)單位:Am1V四磁化強(qiáng)度與磁化面

2、電流IMiSB0推導(dǎo):B00nII順磁質(zhì)(如圖)ISiSlIIsIS:分子表面電流iS:分子表面電流的線密度pmISSiSlS,MiSlSiSlS11-2磁介質(zhì)中的安培環(huán)路定理、磁場強(qiáng)度一真空中的安培環(huán)路定理Bdl0I,BB0II0二磁介質(zhì)中的安培環(huán)路定理BdlI,BB0B0II0IS簡化:Bdl0(I0IS)BdlI0Mdl0BM)dlI0(0令:HBM(磁場強(qiáng)度,單位:Am1)0則:HdlI0有介質(zhì)時的安培環(huán)路定理,有無介質(zhì)都適用。三磁場強(qiáng)度H為使計算簡化而引入的輔助量HdlI0HBHB四B.H.M之間的關(guān)系HBM0實考據(jù)明:MmHm:磁介質(zhì)的磁化率r1mB0(MH)0(mHH)0(m1)

3、H0rHHBHI例:無量長直載流導(dǎo)體如圖。已知:I,1,2,R1,R2,2求:B。IR1解:R21Ir(rR1)12R2B12I(R1rR2)2r0(rR2)11-3一鐵磁質(zhì)的特點:1BB0,BB0,r12r,m不是常數(shù),隨B而變3有剩磁現(xiàn)象(講解一下)4有居里點(TC)TTC,鐵磁質(zhì)順磁質(zhì)Fe:TC1040K,Ni:TC631K二鐵磁質(zhì)磁化特點曲線的測定1實驗裝置如右圖:2原理可以推證:鐵芯X中的BqRNSHnIBBHMH0M3磁化曲線:OHMH曲線三磁滯回線磁滯效應(yīng)剩磁矯頑力軟磁資料硬磁資料四磁疇本章小結(jié):r1,r1,r1Mpm(Mpm)VVHdlIBH0rH0(1m)HHBM0BB0B鐵磁質(zhì):沖擊電流計R:回路電阻B:副線圈(N匝)X:待

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫網(wǎng)僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

最新文檔

評論

0/150

提交評論