電暈處理容易出現(xiàn)的問題以及注意事項(xiàng)

電暈處理容易出現(xiàn)的問題以及注意事項(xiàng)原理本文所述的電暈處理是一種在高電壓下令電子加速離開電極，并且撞擊聚合物表面的一種進(jìn)程。由于兩極間的傳導(dǎo)被阻斷，使得處于電場中的氣體因受電子碰撞后離子化濃度激烈增加,其主要反映進(jìn)程如下：O+高能量電子→2O+低能量電子22O+2O2O2 3即：3O+電能→2O+熱2 3前式也可寫成:3O+M→2O+M2 3式中M為空氣中任何其它氣體分子,如氮。它們也可受高能電子沖擊離解為氮原子，并且引發(fā)一系列反映，此處略去.在臭氧生成進(jìn)程中，伴有彌散藍(lán)紫色輝光的電暈現(xiàn)象，從而被稱之為電暈。換言之，薄膜的電暈處理就是把薄膜置于電場中成為阻斷傳導(dǎo)的介質(zhì),在電場作用下,獲得高能量，并且激活其它離子或分子,同時(shí)把這種能量分配到薄膜上，在薄膜表面駐極，形成極性的化學(xué)自由基團(tuán)，使薄膜表面產(chǎn)生懸掛鍵。在這一進(jìn)程中,高能電子碰撞空氣中的氧分子、氮分子、水分子等，伴之發(fā)生氧化—還原反映，并且產(chǎn)生臭氧和氮氧化物等。由于臭氧具有強(qiáng)烈的氧化性，當(dāng)它接觸到聚丙烯薄膜表面時(shí)，會在其表面毫微米發(fā)生復(fù)雜的有機(jī)反映，產(chǎn)生羥基（—OH)、羧基(-COOH)、羰基（〉C=O)等.而這些含氧官能團(tuán)的引入，是增加薄膜表面張力的關(guān)鍵所在.因此,經(jīng)過氧化，不僅可以改良薄膜表面張力，還可以提高薄膜表面的可蒸鍍性和可印刷性.電暈處理設(shè)備一般囊括了一個高頻高壓發(fā)生器和一個附帶金屬電極和.15mm20～40kHz.討論4.1電暈處理站的設(shè)備配置和調(diào)整狀態(tài)41.1,,.4.1.2,產(chǎn)生均勻的1.5～2。5mm。41.3平行度,斜扯，保持得到均勻的、足夠的電暈量。4。2和關(guān)于電暈處理的影響在電暈處理的進(jìn)程中，膜面溫度和空氣相關(guān)于濕度是影響它的兩個顯著的變量。隨著空氣相關(guān)于濕度和膜面溫度的增大所需電暈處理的時(shí)間就越長，也.這是因?yàn)楫?dāng)空氣中相關(guān)于濕度增大時(shí)，空氣中水分子的含量增大，而電暈進(jìn)程中產(chǎn)生的臭氧可溶于水，在常溫常壓下，臭1325.,使,表面分子遷移的比例增大，不利于膜面的高表面能區(qū)域的形成，部分抵消了經(jīng)過電暈增加薄膜表面張力的作用。但另一方面，根據(jù)實(shí)際生產(chǎn)中的經(jīng)驗(yàn)，膜面的溫度也并且非越低越好。在生產(chǎn)中，電暈處理進(jìn)程會產(chǎn)生大量的熱。為防止膜面溫渡過高，通常我們采用循環(huán)水輥內(nèi)進(jìn)行閉式循環(huán),并且增加一套加熱裝置使冷卻水保持一定的溫度。過低的溫度會使膜面的分子在極化和發(fā)生化學(xué)變化時(shí)基本能量不足,也會造成膜面表面張力不足的問題,所以，把電暈處理輥處的膜面溫度控制在適當(dāng)?shù)臏囟确秶鷥?nèi)是電暈處理的一個關(guān)鍵問題，這也是我們在長期生產(chǎn)中摸索發(fā)現(xiàn)的.4。3電暈處理中電暈強(qiáng)度和處理時(shí)間的控制在生產(chǎn)中，為了使薄膜表面張力的處理達(dá)到某一等級，通常采用的方法是增加電暈處理的強(qiáng)度,在一定界限內(nèi),這種方法是行之有效的,當(dāng)超過這一界限后,即使再增加電暈，也不會使薄膜表面能等級得到提高，這是因?yàn)楫?dāng)膜在瞬時(shí)進(jìn)行電暈處理進(jìn)程中,電極與電暈輥之間的空氣量處于一種相關(guān)于穩(wěn)定狀態(tài)，而這相關(guān)于穩(wěn)定空氣量中的氧氣分子含量是一定的，即使提高電極的電壓和電流值，也不能激活更多的氧分子，使更多的含氧官能團(tuán)駐極到薄膜表面，達(dá)到提高薄膜表面能的目的。一般說來，電暈處理的時(shí)間越長，表面能也會越高。但是，一方面在固有設(shè)備的條件下,延長電暈處理時(shí)間，必然會降低生產(chǎn)效率；另一方面，過長的電暈處理時(shí)間，會使薄膜表面張力太大,出現(xiàn)脆化現(xiàn)象乃至降解，不利于膜的一次收卷和二次復(fù)卷，我們在某單位的設(shè)備上就此進(jìn)行過成功的試驗(yàn)。4。4電暈處理輥和電極平行輥面和電極面的不平行會導(dǎo)致電暈處理不均，原因是電暈強(qiáng)度有差異,由下式電暈強(qiáng)度=P/W．V式中：P-—電暈裝置放電功率,W；W——膜寬，m;V—-膜速，m/min；從上式看出，電暈強(qiáng)度正比于電暈放電功率，而電暈放電的功率方程式為：式中：C——Cg——V0-），V；f。由上式顯見，間隙大小不一，直接導(dǎo)致單位面積上的放電功率不均，由于各處電暈的差異，最終影響浸潤張力的一致性.4。5膜運(yùn)行的平穩(wěn)性如果膜在運(yùn)行中，輥筒施加于膜上的張力的不一致，這種差異會發(fā)生局部皺折,使該部位在電暈處理時(shí)電容量發(fā)生變化,最終也會導(dǎo)致浸潤張力的不均勻.除上述輥筒同步有差異外，還有電暈處理輥上的夾輥和電暈處理輥到后擴(kuò)展輥關(guān)于膜的擴(kuò)展，以及輥與輥之間平行度、輥面水平度等，均有可能導(dǎo)致薄膜運(yùn)行姿態(tài)的不夠平穩(wěn)。4。6薄膜發(fā)脆走偏問題電暈處理中，要有一個度的問題，如果注入功率過大，則會出現(xiàn)水溫提得過高,影響到薄膜分子間的次價(jià)鍵力而出現(xiàn)發(fā)脆，即影響薄膜的使用，又使卷制電容器時(shí)邊緣無法卷齊，只得以降低速度來完成卷制任務(wù)，從而給電容器的制作工藝造成不利.4。7廢液污染問題,產(chǎn)生的電子關(guān)于兩極間空氣中的,在一定的溫度下，由于它們的親水性，會與空氣中的水分子相接合，產(chǎn)生含有亞硝酸鹽、硝酸鹽.如果關(guān)于產(chǎn)生的廢液不能即時(shí)并且隨著輥的轉(zhuǎn)動而造成膜面污染，造成薄膜局部浸潤張力降低、附著不牢等，形成產(chǎn)品質(zhì)量問題。2。BOPP薄膜電暈處理強(qiáng)度的影響因素 電暈處理器由電極高電位器及硅橡膠輥組成，當(dāng)電壓經(jīng)過25MM的空氣間隙,就會產(chǎn)生連續(xù)放電另外為了排除所產(chǎn)生的臭氧及降溫，用抽風(fēng)風(fēng)機(jī)把電暈處理器附近的空氣往外排走以及在硅橡膠輥內(nèi)部利用工藝水冷散.影響電暈處理效果的因素主要有以下幾種：電極類型電暈處理的效果與電極的設(shè)計(jì)有較大關(guān)系。設(shè)備上采用單電極或雙電極方式在處理效果上有一定的差別，雙電極比較于單電極有幾方面優(yōu)點(diǎn)：1、能產(chǎn)生更高處理值，耗能更低；2、能減少儲存時(shí)，表面張力的下降；3、減少薄膜在電暈處理進(jìn)程中的受熱；4、減少表面感應(yīng)的靜電.薄膜溫度BOPP隨著薄膜溫度的升高，薄膜的表面處理達(dá)因值也同時(shí)升高.經(jīng)過預(yù)熱輥的設(shè)定溫度來調(diào)整薄膜的表面處理達(dá)因值，是在工藝控制中經(jīng)常采用的有效方法之一。2。3生產(chǎn)線速度BOPP的時(shí)間內(nèi)經(jīng)過高壓電極間隙，而使表面達(dá)因值得以提高，于高壓電極間隙由此可見，電暈處理的電極電壓要隨著生產(chǎn)線速度的變化要作出相應(yīng)的調(diào)整，隨著生產(chǎn)線速度的增大而增大。2。4電極排風(fēng)量在電暈處理進(jìn)程中，隨著空氣離子化，會產(chǎn)生等離子體，其中包含有電子、氧離子、臭氧等,等離子體會滲透薄膜，損壞其它化學(xué)鍵，激發(fā)自由游離基，與氧氣離子起作用成氧化極化基，這些基團(tuán)會關(guān)于薄膜的表面潤濕特性產(chǎn)生影響。從另一方面來說，等離子體在薄膜表面的濃度會直接影響電暈處理的效果。一般而言，電極排風(fēng)閥門的開啟度越大，薄膜的表面處理達(dá)因值會越??；反之，電極排風(fēng)閥門的開啟度越小，薄膜的表面處理達(dá)因值會越大.2.5表面材料BOPPBOPPSOLVAYKS413MONTELPLZ679BASEALEP5C37所以熱封型薄膜會越發(fā)容易達(dá)到更高的處理強(qiáng)度。12與PP31BOPP抗靜電劑關(guān)于BOPP薄膜電暈處理效果也會有一定的影響.抗靜電劑大多數(shù)添加在芯層,其具有遷移性，滲透至表面的抗靜電劑會影響薄膜的表面電暈處理特性，處理強(qiáng)度值會有一定程度的降低。2。6表面材料BOPP3。電暈處理關(guān)于薄膜物理特性的影響電暈處理除了可以改變薄膜的表面達(dá)因值外，還會關(guān)于薄膜的其他物理性能產(chǎn)生影響，主要囊括以下幾方面：3。1摩擦系數(shù)表面產(chǎn)生極性，而薄膜處理面與非薄膜處理面相比，位于薄膜芯層的添加劑（囊括抗靜電劑及爽滑劑）越發(fā)容易經(jīng)過薄膜處理面滲出。以ABA143.2收縮率由于電暈處理的進(jìn)程中會產(chǎn)生一定的熱量，因此薄膜的收縮率會有一定程度的下降。3。3熱封強(qiáng)度在