3D NAND Flash技術(shù)及廠商介紹

3DNANDFlash技術(shù)及廠商隨著NANDFlash納米制程技術(shù)不斷向下微縮，技術(shù)瓶頸越發(fā)凸顯，3DNANDFlash技術(shù)經(jīng)過多年沉淀，上游芯片廠三星、東芝、海力士、美光等早已在2013年即公布了3D技術(shù)規(guī)劃的時(shí)程表。SelectiongateContratgateSelectiongateP-BIGS(perpendicularcellstring)Efneibsnlba卜CellstringMemoryarrayBIOS(perpendicularcellToshibaSamsungSamsungJjfTTifOYTin廠勤皆田皿SelectiongateContratgateSelectiongateP-BIGS(perpendicularcellstring)Efneibsnlba卜CellstringMemoryarrayBIOS(perpendicularcellToshibaSamsungSamsungJjfTTifOYTin廠勤皆田皿nriCellstringS3(horizontalcellstring)20062007TCAT(perpendicularcellstring)一、SAMSUNG1、技術(shù)方案：TCAT寸一2、量產(chǎn)情況目前已經(jīng)有兩代產(chǎn)品問世，更高技術(shù)產(chǎn)品正在規(guī)劃中。

第一代：2013年8月首次批量生產(chǎn)3DV-NAND產(chǎn)品，制程35nm，堆疊24層，MLC設(shè)計(jì)，容量可達(dá)128GbV-NAND,存儲(chǔ)密度約為0.93Gb/mm2；第二代：堆疊32層，TLC設(shè)計(jì)，存儲(chǔ)密度提升為1.86Gb/mm2；2015年8月，三星宣布開始正式量產(chǎn)48層256Gb3DV-NAND，目前正在研發(fā)64層及以上技術(shù)。為了穩(wěn)固在技術(shù)及市場上的領(lǐng)導(dǎo)地位，三星除了大陸西安廠，還投資150億美金新建平澤工廠，主要用于2D10nm工藝和3D技術(shù)的發(fā)展，預(yù)計(jì)2017年產(chǎn)線投入生產(chǎn)。二、TOSHIBA&SANDISK1、技術(shù)方案：P-BICSNANDStringBitLinePoly-SJPillarUpper—SGControlGatefLower、SGSource—LineVerticalSONOSFET90nm6F2Array

(4NANDStringBitLinePoly-SJPillarUpper—SGControlGatefLower、SGSource—LineVerticalSONOSFET90nm6F2Array

(4CGLayers)2、量產(chǎn)情況東芝/閃迪采用P-BiCS(Pipe-shapedBitCostScalable)技術(shù)，計(jì)劃將在2015下半年量產(chǎn)48層3DNAND，欲追上三星的步伐。除Fab5二期工廠，還將Fab2進(jìn)行改建用于3DNAND量產(chǎn)專用，預(yù)計(jì)2016年開始投入生產(chǎn)；三、MICRON&INTEL1、技術(shù)方案（可能是浮柵，具體技術(shù)細(xì)節(jié)不清楚）0-2、量產(chǎn)情況美光3DNAND預(yù)計(jì)將在2016年初量產(chǎn)出貨，采用32層MLC架構(gòu)容量可達(dá)256Gb，如采用TLC架構(gòu)可達(dá)到384Gb。投資40億美金擴(kuò)建新加坡的Fab10x工廠，預(yù)估滿載月產(chǎn)能在14萬片左右，根據(jù)市場需求量，從2016年底開始以平均每年40%-50%的bit成長率增加。四、SKHYNIX1、技術(shù)方案：據(jù)報(bào)道是VSAT2、量產(chǎn)情況SK海力士使用微調(diào)VSAT(VerticalStackedArrayTransistor)技術(shù)生產(chǎn)3DNANDFlash,2015下半年采用36層量產(chǎn)3DNAND,并將在年底規(guī)劃48層3DNAND量產(chǎn)。五、XMCTCAT技術(shù)1、技術(shù)方案基本上采用與SAMSUNG相同的TCAT方案，存在知識(shí)產(chǎn)權(quán)問題，目前不知如何解決；2、量產(chǎn)情況目前在工藝調(diào)試和test-chip驗(yàn)證階段，計(jì)劃2017年量產(chǎn)，實(shí)際可能會(huì)延遲到2018年。六、其他如臺(tái)灣旺宏，IMEC等單位，也進(jìn)行了3DNAND的新結(jié)構(gòu)研發(fā)，但是屬于研究和專利布局性