EPI外延培訓(xùn)教材課件

EPI外延培訓(xùn)教材12/31/20221EPI外延培訓(xùn)教材12/26/20221介紹本文稿主要介紹EPI外延設(shè)備的相關(guān)知識。主要內(nèi)容包括：1.設(shè)備簡介。2.外延工藝介紹

12/31/20222介紹本文稿主要介紹EPI外延設(shè)備的相關(guān)知識。12/26/2設(shè)備簡介設(shè)備的結(jié)構(gòu)組成Systemheadpull-downmenusProcesschamber結(jié)構(gòu)圖設(shè)備安全簡介12/31/20223設(shè)備簡介設(shè)備的結(jié)構(gòu)組成12/26/20223設(shè)備的結(jié)構(gòu)和組成EPI主要由以下幾部分組成：1:Mainframe2:Remotecontroller/ACPowerframe3:Vacuumsystem4:Exhaustsystem具體結(jié)構(gòu)請參照附圖12/31/20224設(shè)備的結(jié)構(gòu)和組成EPI主要由以下幾部分組成：12/26/20Mainframe12/31/20225Mainframe12/26/20225附圖二整體示意圖12/31/20226附圖二整體示意圖12/26/20226Systemheadpull-downmenus12/31/20227Systemheadpull-downmenus12/Processchamber結(jié)構(gòu)圖12/31/20228Processchamber結(jié)構(gòu)圖12/26/20228設(shè)備安全簡介

EPI機臺由于用到大量的易燃,腐蝕及劇毒氣體:H2,PH3,B2H6,DCS,HCL.所以在使用時一定要注意安全問題:我們要在平時的維護(hù)中注意以下要點:(1)SCRUBBER的排氣一定要處于負(fù)壓狀態(tài)(2)在SCRUBBER排氣處嚴(yán)禁任何明火存在,各類物品均需要防暴型.(3)設(shè)備端OVERPRESSURE管道一定要勤于檢查防止堵塞.(4)在做PM時一定要帶好防毒面具,嚴(yán)格按PM操作規(guī)程操作.(5)一定要勤于檢查各項INTERLOCK信號的功能是否可用.12/31/20229設(shè)備安全簡介

EPI機臺由于用到大量的易燃,腐蝕及劇毒外延工藝簡介外延的優(yōu)點外延的缺點埋層圖形的移動VLSI器件外延的要求外延膜表面的光學(xué)檢查12/31/202210外延工藝簡介外延的優(yōu)點12/26/202210外延的優(yōu)點減少了在結(jié)構(gòu)功率增加或在遭到輻射脈沖時CMOS電路可能經(jīng)受的閂鎖效應(yīng)；器件攙雜濃度的精確控制；層中可以不含氧和碳12/31/202211外延的優(yōu)點減少了在結(jié)構(gòu)功率增加或在遭到輻射脈沖時CMOS電路外延的缺點增加了工藝復(fù)雜性和硅片成本；在外延層中產(chǎn)生缺陷；自摻雜效應(yīng)；圖形改變和沖壞12/31/202212外延的缺點增加了工藝復(fù)雜性和硅片成本；12/26/20221埋層圖形的移動影響因素:基片取向、淀積速率、淀積溫度和硅的原料?；∠颍?lt;100>取向的硅片,軸的方向上的圖形移動得最小;<111>硅片則在偏離〈111〉方向2o-5o、接近<110>方向時，表現(xiàn)出最小的影響（效應(yīng)）。因而用于生長<111>取向的外延層的基片有3o的偏離12/31/202213埋層圖形的移動影響因素:基片取向、淀積速率、淀積溫度和硅的原VLSI器件外延的要求嚴(yán)格的厚度和電阻率控制；少量的工藝誘發(fā)缺陷；減少圖形移動和沖壞；減少自摻雜；降低工作溫度12/31/202214VLSI器件外延的要求嚴(yán)格的厚度和電阻率控制；12/26/2外延膜表面的光學(xué)檢查光學(xué)顯微鏡（霧、坑、顆粒和釘）；UV光源；低倍（75-200X）的顯微鏡顯示了層錯和金字塔型缺陷；外延層的摻雜濃度通常用四極探針測量方塊電阻來確定（異型）；摻雜剖面由測量擴展電阻、電容-電壓、中子激活分析和二次離子質(zhì)譜SIMS技術(shù)獲得。少子壽命提供了對重金屬雜質(zhì)濃度的測量（Zerbst方法）12/31/202215外延膜表面的光學(xué)檢查光學(xué)顯微鏡（霧、坑、顆粒和釘）；12/2

Thanks！12/31/202216Thanks！12/26/202216EPI外延培訓(xùn)教材12/31/202217EPI外延培訓(xùn)教材12/26/20221介紹本文稿主要介紹EPI外延設(shè)備的相關(guān)知識。主要內(nèi)容包括：1.設(shè)備簡介。2.外延工藝介紹

12/31/202218介紹本文稿主要介紹EPI外延設(shè)備的相關(guān)知識。12/26/2設(shè)備簡介設(shè)備的結(jié)構(gòu)組成Systemheadpull-downmenusProcesschamber結(jié)構(gòu)圖設(shè)備安全簡介12/31/202219設(shè)備簡介設(shè)備的結(jié)構(gòu)組成12/26/20223設(shè)備的結(jié)構(gòu)和組成EPI主要由以下幾部分組成：1:Mainframe2:Remotecontroller/ACPowerframe3:Vacuumsystem4:Exhaustsystem具體結(jié)構(gòu)請參照附圖12/31/202220設(shè)備的結(jié)構(gòu)和組成EPI主要由以下幾部分組成：12/26/20Mainframe12/31/202221Mainframe12/26/20225附圖二整體示意圖12/31/202222附圖二整體示意圖12/26/20226Systemheadpull-downmenus12/31/202223Systemheadpull-downmenus12/Processchamber結(jié)構(gòu)圖12/31/202224Processchamber結(jié)構(gòu)圖12/26/20228設(shè)備安全簡介

EPI機臺由于用到大量的易燃,腐蝕及劇毒氣體:H2,PH3,B2H6,DCS,HCL.所以在使用時一定要注意安全問題:我們要在平時的維護(hù)中注意以下要點:(1)SCRUBBER的排氣一定要處于負(fù)壓狀態(tài)(2)在SCRUBBER排氣處嚴(yán)禁任何明火存在,各類物品均需要防暴型.(3)設(shè)備端OVERPRESSURE管道一定要勤于檢查防止堵塞.(4)在做PM時一定要帶好防毒面具,嚴(yán)格按PM操作規(guī)程操作.(5)一定要勤于檢查各項INTERLOCK信號的功能是否可用.12/31/202225設(shè)備安全簡介

EPI機臺由于用到大量的易燃,腐蝕及劇毒外延工藝簡介外延的優(yōu)點外延的缺點埋層圖形的移動VLSI器件外延的要求外延膜表面的光學(xué)檢查12/31/202226外延工藝簡介外延的優(yōu)點12/26/202210外延的優(yōu)點減少了在結(jié)構(gòu)功率增加或在遭到輻射脈沖時CMOS電路可能經(jīng)受的閂鎖效應(yīng)；器件攙雜濃度的精確控制；層中可以不含氧和碳12/31/202227外延的優(yōu)點減少了在結(jié)構(gòu)功率增加或在遭到輻射脈沖時CMOS電路外延的缺點增加了工藝復(fù)雜性和硅片成本；在外延層中產(chǎn)生缺陷；自摻雜效應(yīng)；圖形改變和沖壞12/31/202228外延的缺點增加了工藝復(fù)雜性和硅片成本；12/26/20221埋層圖形的移動影響因素:基片取向、淀積速率、淀積溫度和硅的原料。基片取向：<100>取向的硅片,軸的方向上的圖形移動得最小;<111>硅片則在偏離〈111〉方向2o-5o、接近<110>方向時，表現(xiàn)出最小的影響（效應(yīng)）。因而用于生長<111>取向的外延層的基片有3o的偏離12/31/202229埋層圖形的移動影響因素:基片取向、淀積速率、淀積溫度和硅的原VLSI器件外延的要求嚴(yán)格的厚度和電阻率控制；少量的工藝誘發(fā)缺陷；減少圖形移動和沖壞；減少自摻雜；降低工作溫度12/31/202230VLSI器件外延的要求嚴(yán)格的厚度和電阻率控制；12/26/2外延膜表面的光學(xué)檢查光學(xué)顯微鏡（霧、坑、顆粒和釘）；UV光源；低倍（75-200X）的顯微鏡顯示了層錯和金字塔型缺陷；外延層的摻雜濃度通常用四極探針測量方塊電阻來確定（異型）