標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 11071-2006 區(qū)熔鍺錠》與之前的《GB 11071-1989》相比，主要在以下幾個(gè)方面進(jìn)行了調(diào)整和更新：

  1. 標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì)的變化：從原來的強(qiáng)制性國家標(biāo)準(zhǔn)（GB）轉(zhuǎn)變?yōu)橥扑]性國家標(biāo)準(zhǔn)（GB/T），意味著該標(biāo)準(zhǔn)的應(yīng)用由強(qiáng)制執(zhí)行變?yōu)橥扑]使用，為企業(yè)提供了更多的選擇空間。

  2. 技術(shù)指標(biāo)的修訂：新標(biāo)準(zhǔn)對(duì)區(qū)熔鍺錠的化學(xué)成分要求進(jìn)行了細(xì)化和優(yōu)化，明確了不同等級(jí)鍺錠的雜質(zhì)元素含量限值，以適應(yīng)技術(shù)和生產(chǎn)水平的進(jìn)步，提高產(chǎn)品質(zhì)量控制水平。例如，對(duì)砷(As)、銻(Sb)、硼(B)、鋁(Al)、鎵(Ga)、銦(In)、鐵(Fe)、銅(Cu)等雜質(zhì)元素的含量限值進(jìn)行了更嚴(yán)格的規(guī)定。

  3. 檢測方法的改進(jìn)：《GB/T 11071-2006》引入了更先進(jìn)的檢測技術(shù)和分析方法，提高了檢測的準(zhǔn)確性和可操作性。對(duì)于雜質(zhì)元素的測定，可能采用了更為靈敏和精確的儀器分析技術(shù)，如電感耦合等離子體質(zhì)譜法(ICP-MS)或原子吸收光譜法(AAS)，以替代舊標(biāo)準(zhǔn)中的傳統(tǒng)方法。

  4. 物理性能要求的調(diào)整：新標(biāo)準(zhǔn)可能對(duì)鍺錠的尺寸、外觀、晶粒度、密度等物理性能提出了新的或更具體的要求，以滿足下游用戶對(duì)材料性能的需求變化。

  5. 包裝、標(biāo)志和運(yùn)輸規(guī)范：針對(duì)產(chǎn)品包裝、標(biāo)志以及運(yùn)輸存儲(chǔ)條件，新標(biāo)準(zhǔn)可能給出了更為詳細(xì)的規(guī)定，確保鍺錠在流通環(huán)節(jié)中的品質(zhì)不受損害，便于追溯和管理。

  6. 術(shù)語和定義的更新：為了與國際標(biāo)準(zhǔn)接軌，新標(biāo)準(zhǔn)可能對(duì)相關(guān)專業(yè)術(shù)語進(jìn)行了修訂或新增，使得標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容更加清晰、規(guī)范，便于國內(nèi)外行業(yè)交流。


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  • 2006-07-18 頒布
  • 2006-11-01 實(shí)施
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文檔簡介

ICS29.045H82中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T11071—2006代替GB11071-1989區(qū)Zone-refinedgermaniumingot2006-07-18發(fā)布2006-11-01實(shí)施中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T11071-2006本標(biāo)準(zhǔn)是對(duì)GB/T11071—1989《區(qū)熔錯(cuò)鍵》的修訂本標(biāo)準(zhǔn)與GB/T11071—1989相比.主要有如下變動(dòng)：-將原標(biāo)準(zhǔn)區(qū)熔錯(cuò)鏡兩個(gè)牌號(hào)ZGe-1和ZGe-2分別改為ZGe-0和ZGe-1;-明確ZGe-0和ZGe-1區(qū)熔錯(cuò)鏡的用途；-區(qū)熔錯(cuò)鍵電阻率測量溫度由(23±0.5)C改為(20±0.5)C,電阻率由>47·cm改為>50·cm:在檢驗(yàn)規(guī)則中，增加了組批、仲裁取樣和制樣、檢測結(jié)果判定等內(nèi)容;本本標(biāo)準(zhǔn)增加了訂貨單(或合同)內(nèi)容。本標(biāo)準(zhǔn)自批準(zhǔn)實(shí)施之日起代替（B/T11071—1989.本標(biāo)準(zhǔn)附錄A是規(guī)范性附錄。本標(biāo)準(zhǔn)由中國有色金屬工業(yè)協(xié)會(huì)提出本標(biāo)準(zhǔn)由全國有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口本標(biāo)準(zhǔn)由北京有色金屬研究總院、云南臨滄鑫圓錯(cuò)業(yè)股份有限公司負(fù)責(zé)起草本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:馮德伸、包文東、蘇小平、楊海、馬紹芳。本標(biāo)準(zhǔn)由全國有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)負(fù)責(zé)解釋。本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本分布情況為：GB/T11071-1989.

GB/T11071-2006區(qū)熔錯(cuò)范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了區(qū)熔錯(cuò)鍵的要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則及標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、儲(chǔ)存等本標(biāo)準(zhǔn)適用于以還原錯(cuò)鍵及錯(cuò)單品返料為原料,經(jīng)區(qū)熔提純而制得的高純錯(cuò)徒。ZGe-0區(qū)熔錯(cuò)鎖主要用于制備探測器用高純單品.ZGe-1區(qū)熔錯(cuò)鍵主要用于制備半導(dǎo)體單品、紅外光學(xué)錯(cuò)單品、錯(cuò)合金等。2規(guī)范性引用文件下列文件中的條款通過本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有的修改單(不包括勒誤的內(nèi)容)或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn).然而,鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。GB/T4326非本征半導(dǎo)體單品霍爾遷移率和霍爾系數(shù)測量方法YS/T602—2006區(qū)熔錯(cuò)鍵電阻率測試方法直流兩探針要求3.1產(chǎn)品分類區(qū)熔錯(cuò)鍵按電學(xué)性能分為兩個(gè)牌號(hào)：ZGe-0、ZGe-l.ZGCZGe.表示區(qū)培錯(cuò)鏡；阿拉伯?dāng)?shù)字，表示產(chǎn)品等級(jí)3.2電學(xué)性能區(qū)熔緒鍵電學(xué)性能應(yīng)符合表1的規(guī)定表1電阻率/（0·cm）檢測單品的參數(shù)（77K）（20±0.5C）載流子濃度/cmn-我流子遷移率兒cur/（V·s門<1.5×104ZGe-O二50三3.7×10ZGc1二503.3區(qū)熔錯(cuò)鍵的橫截面應(yīng)為梯形.同一根錯(cuò)鍵的最大與最小截面面積之差不大于平均截面面積的15%。錯(cuò)鍵上寬不小于26mm,下寬不小于21mm,高不小于23mm,鍵長100mm～500mm.3.4區(qū)熔錯(cuò)鏡表面應(yīng)呈銀灰色光澤，無氧化膜、裂紋和浮渣3.5需方對(duì)產(chǎn)品外形尺寸和電學(xué)性能有其他要求時(shí).供需雙方可另行商定試驗(yàn)方法4.1區(qū)區(qū)熔錯(cuò)鍵電阻率的檢驗(yàn)按YS/T602規(guī)定沿鍵底

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