GB/T 29508-2013300 mm硅單晶切割片和磨削片

ICS29045

H82.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T29508—2013

300mm硅單晶切割片和磨削片

300mmmonocrystallinesiliconascutslicesandgrindedslices

2013-05-09發(fā)布2014-02-01實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T29508—2013

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會提出并歸口

(SAC/TC203)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位有研半導(dǎo)體材料股份有限公司中國有色金屬工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)計量質(zhì)量研究所

:、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人閆志瑞孫燕盛方毓盧立延張果虎向磊

:、、、、、。

Ⅰ

GB/T29508—2013

300mm硅單晶切割片和磨削片

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了直徑型晶向電阻率的硅單晶切割片和

300mm、p、<100>、0.5Ω·cm~20Ω·cm

磨削片簡稱硅片產(chǎn)品的術(shù)語和定義技術(shù)要求試驗方法檢驗規(guī)則以及標(biāo)志包裝運輸貯存等

()、、、、、、。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于直徑直拉單晶經(jīng)切割磨削制備的圓形硅片產(chǎn)品將進一步加工成拋光片

300mm、,,

用于制作集成電路用線寬技術(shù)需求的襯底片

IC90nm。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測試方法

GB/T1550

硅單晶電阻率測定方法

GB/T1551

硅晶體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐蝕檢驗方法

GB/T1554

半導(dǎo)體單晶晶向測定方法

GB/T1555

硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法

GB/T1557

硅中代位碳原子含量紅外吸收測量方法

GB/T1558

計數(shù)抽樣檢驗程序第部分按接收質(zhì)量限檢索的逐批檢驗抽樣計劃

GB/T2828.11:(AQL)

半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測試方法非接觸渦流法

GB/T6616

硅拋光片表面質(zhì)量目測檢驗方法

GB/T6624

硅片徑向電阻率變化的測試方法

GB/T11073

硅片參考面結(jié)晶學(xué)取向射線測量方法

GB/T13388X

硅片直徑測量方法

GB/T14140

半導(dǎo)體材料術(shù)語

GB/T14264

硅片切口尺寸測試方法

GB/T26067

硅單晶

GB/T29504300mm

硅片平整度厚度及總厚度變化測試自動非接觸掃描法

GB/T29507、

硅片邊緣輪廓檢驗方法

YS/T26

硅片翹曲度的無接觸自動掃描測試方法

SEMIMF1390

3術(shù)語和定義

界定的術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T14264。

4技術(shù)要求

41物理性能參數(shù)

.

硅片的導(dǎo)電類型電阻率及徑向電阻率變化間隙氧含量代位碳含量應(yīng)符合的規(guī)定