GB/T 32651-2016采用高質量分辨率輝光放電質譜法測量太陽能級硅中痕量元素的測試方法

ICS29045

H82.

中華人民共和國國家標準

GB/T32651—2016

采用高質量分辨率輝光放電

質譜法測量太陽能級硅中

痕量元素的測試方法

Testmethodformeasuringtraceelementsinphotovoltaic-grade

siliconbyhigh-massresolutionglowdischargemassspectrometry

2016-04-25發(fā)布2016-11-01實施

中華人民共和國國家質量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

GB/T32651—2016

前言

本標準按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

請注意本文件的某些內容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構不承擔識別這些專利的責任

。。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會歸口

(SAC/TC203)。

本標準主要起草單位國家太陽能光伏產品質量監(jiān)督檢驗中心無錫市產品質量監(jiān)督檢驗中心江

:()、

蘇中能硅業(yè)科技發(fā)展有限公司國家硅材料深加工產品質量監(jiān)督檢驗中心江西賽維太陽能高科

、、LDK

技有限公司中國電子技術標準化研究院

、。

本標準主要起草人何莉吳建國王琴周瀅劉曉霞魯文鋒陳進封麗娟李建德黃雪雯

:、、、、、、、、、、

孫紹武馮亞彬裴會川

、、。

Ⅰ

GB/T32651—2016

采用高質量分辨率輝光放電

質譜法測量太陽能級硅中

痕量元素的測試方法

1范圍

本標準規(guī)定了采用高質量分辨率輝光放電質譜法測量太陽能級硅中痕量元素的方法

。

本標準適用于太陽能級硅材料中痕量元素的測定其中鐵鉻鎳銅鋅

,(Fe)、(Cr)、(Ni)、(Cu)、(Zn)、

硼磷鈣鈉鎂鋁砷鈧鈦釩錳鈷鎵

(B)、(P)、(Ca)、(Na)、(Mg)、(Al)、(As)、(Sc)、(Ti)、(V)、(Mn)、(Co)、

等元素的測定范圍為本方法適用于分析多種物理形態(tài)的以及添加任何種類

(Ga)5μg/kg~50mg/kg。

和濃度摻雜劑的硅材料例如多晶硅粉末顆粒塊錠片和單晶硅棒塊片等

,、、、、、、。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

氬

GB/T4842

分析實驗室用水規(guī)格和試驗方法

GB/T6682—2008

3術語和定義

下列術語和定義適用于本文件

。

31

.

高質量分辨率highmassresolution

大于的質量分辨率

3500。

32

.

光伏硅原料或太陽能級硅PVSifeedstockorsolargradesilicon

特性滿足生產晶體硅太陽能電池要求的硅固體材料

。

33

.

標準樣品referencematerial

具有一種或多種足夠均勻且穩(wěn)定規(guī)定特性的材料已被確定其符合測量過程的預期用途

,。

34

.

試樣specimen

從標準樣品或測試樣品上切割下來的