GB/T 32651-2016采用高質(zhì)量分辨率輝光放電質(zhì)譜法測(cè)量太陽(yáng)能級(jí)硅中痕量元素的測(cè)試方法

ICS29045

H82.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T32651—2016

采用高質(zhì)量分辨率輝光放電

質(zhì)譜法測(cè)量太陽(yáng)能級(jí)硅中

痕量元素的測(cè)試方法

Testmethodformeasuringtraceelementsinphotovoltaic-grade

siliconbyhigh-massresolutionglowdischargemassspectrometry

2016-04-25發(fā)布2016-11-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T32651—2016

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別這些專利的責(zé)任

。。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC203)。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草單位國(guó)家太陽(yáng)能光伏產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心無(wú)錫市產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心江

:()、

蘇中能硅業(yè)科技發(fā)展有限公司國(guó)家硅材料深加工產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心江西賽維太陽(yáng)能高科

、、LDK

技有限公司中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院

、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人何莉吳建國(guó)王琴周瀅劉曉霞魯文鋒陳進(jìn)封麗娟李建德黃雪雯

:、、、、、、、、、、

孫紹武馮亞彬裴會(huì)川

、、。

Ⅰ

GB/T32651—2016

采用高質(zhì)量分辨率輝光放電

質(zhì)譜法測(cè)量太陽(yáng)能級(jí)硅中

痕量元素的測(cè)試方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了采用高質(zhì)量分辨率輝光放電質(zhì)譜法測(cè)量太陽(yáng)能級(jí)硅中痕量元素的方法

。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于太陽(yáng)能級(jí)硅材料中痕量元素的測(cè)定其中鐵鉻鎳銅鋅

,(Fe)、(Cr)、(Ni)、(Cu)、(Zn)、

硼磷鈣鈉鎂鋁砷鈧鈦釩錳鈷鎵

(B)、(P)、(Ca)、(Na)、(Mg)、(Al)、(As)、(Sc)、(Ti)、(V)、(Mn)、(Co)、

等元素的測(cè)定范圍為本方法適用于分析多種物理形態(tài)的以及添加任何種類

(Ga)5μg/kg~50mg/kg。

和濃度摻雜劑的硅材料例如多晶硅粉末顆粒塊錠片和單晶硅棒塊片等

,、、、、、、。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

氬

GB/T4842

分析實(shí)驗(yàn)室用水規(guī)格和試驗(yàn)方法

GB/T6682—2008

3術(shù)語(yǔ)和定義

下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

。

31

.

高質(zhì)量分辨率highmassresolution

大于的質(zhì)量分辨率

3500。

32

.

光伏硅原料或太陽(yáng)能級(jí)硅PVSifeedstockorsolargradesilicon

特性滿足生產(chǎn)晶體硅太陽(yáng)能電池要求的硅固體材料

。

33

.

標(biāo)準(zhǔn)樣品referencematerial

具有一種或多種足夠均勻且穩(wěn)定規(guī)定特性的材料已被確定其符合測(cè)量過(guò)程的預(yù)期用途

,。

34

.

試樣specimen

從標(biāo)準(zhǔn)樣品或測(cè)試樣品上切割下來(lái)的