電工學(xué)課件半導(dǎo)體器件

《電工學(xué)》上冊(cè)電工技術(shù)

第1章電路的基本概念與基本定律

第2章電路的基本分析方法第3章電路的暫態(tài)分析第4章正弦交流電第5章三相電路1《電工學(xué)》下冊(cè)電子技術(shù)第14章半導(dǎo)體器件

第15章基本放大電路第16章集成運(yùn)算放大器第17章電子電路中的反饋第18章直流穩(wěn)壓電源2電子技術(shù)第十四章

半導(dǎo)體器件模擬電路部分3

1．第一代電子器件——電子管1906年，福雷斯特（LeeDeFordst）等發(fā)明了電子管，是電子學(xué)發(fā)展史上第一個(gè)里程碑。用電子管可實(shí)現(xiàn)整流、穩(wěn)壓、檢波、放大、振蕩、變頻、調(diào)制等多種功能電路。電子管體積大、重量重、壽命短、耗電大。世界上第一臺(tái)計(jì)算機(jī)用1.8萬只電子管，占地170m2，重30t，耗電150kW。42．第二代電子器件——晶體管1948年，肖克利（W.Shckly）等發(fā)明了半導(dǎo)體晶體管，其性能明顯優(yōu)于電子管，從而大大促進(jìn)了電子技術(shù)的應(yīng)用與發(fā)展。晶體管的發(fā)明是電子學(xué)歷史上的第二個(gè)里程碑。盡管晶體管在體積、重量等方面性能優(yōu)于電子管，但由成百上千只晶體管和其他元件組成的分立電路體積大、焊點(diǎn)多，可靠性差。53．第三代電子器件——集成電路1958年，基爾白等提出將管子、元件和線路集成封裝在一起的設(shè)想，三年后，集成電路實(shí)現(xiàn)了商品化。當(dāng)前，單個(gè)芯片可集成器件成千上萬個(gè)，例如，CPU芯片P6內(nèi)部就封裝了550萬只晶體管。集成電路的發(fā)展促進(jìn)了電子學(xué)、特別是數(shù)字電路和微型計(jì)算機(jī)的發(fā)展，人類社會(huì)開始邁進(jìn)信息時(shí)代。6第十四章半導(dǎo)體器件§14.1半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性§14.2

PN結(jié)及其單向?qū)щ娦越Y(jié)§14.3二極管§14.4穩(wěn)壓二極管§14.5雙極型晶體管§14.6

光電器件714.1.1導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體導(dǎo)體：自然界中很容易導(dǎo)電的物質(zhì)稱為導(dǎo)體，金屬一般都是導(dǎo)體。絕緣體：有的物質(zhì)幾乎不導(dǎo)電，稱為絕緣體，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。半導(dǎo)體：另有一類物質(zhì)的導(dǎo)電特性處于導(dǎo)體和絕緣體之間，稱為半導(dǎo)體，如鍺、硅、砷化鎵和一些硫化物、氧化物等?！?4.1半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性8半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理不同于其它物質(zhì)，所以它具有不同于其它物質(zhì)的特點(diǎn)。例如：當(dāng)受外界熱和光的作用時(shí)，它的導(dǎo)電能力明顯變化。往純凈的半導(dǎo)體中摻入某些雜質(zhì)，會(huì)使它的導(dǎo)電能力明顯改變。914.1.2本征半導(dǎo)體一、本征半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)GeSi通過一定的工藝過程，可以將半導(dǎo)體制成晶體?，F(xiàn)代電子學(xué)中，用的最多的半導(dǎo)體是硅和鍺，它們的最外層電子（價(jià)電子）都是四個(gè)。10提純的硅材料可形成單晶——單晶硅相鄰原子由外層電子形成共價(jià)鍵(covalentbond)共價(jià)鍵本征半導(dǎo)體：完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體。11硅和鍺的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)共價(jià)鍵共用電子對(duì)+4+4+4+4+4表示除去價(jià)電子后的原子形成共價(jià)鍵后，每個(gè)原子的最外層電子是八個(gè)，構(gòu)成穩(wěn)定結(jié)構(gòu)。12共價(jià)鍵中的兩個(gè)電子被緊緊束縛在共價(jià)鍵中，稱為束縛電子，常溫下束縛電子很難脫離共價(jià)鍵成為自由電子，因此本征半導(dǎo)體中的自由電子很少，所以本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力很弱，相當(dāng)于絕緣體。共價(jià)鍵有很強(qiáng)的結(jié)合力，使原子規(guī)則排列，形成晶體。+4+4+4+413+4+4+4+4自由電子空穴束縛電子二、本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理1.載流子、自由電子和空穴★空穴和自由電子都稱為載流子。142.本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理+4+4+4+4在其它力的作用下，空穴吸引附近的電子來填補(bǔ)，這樣的結(jié)果相當(dāng)于空穴的遷移，而空穴的遷移相當(dāng)于正電荷的移動(dòng)，因此可以認(rèn)為空穴是載流子。本征半導(dǎo)體中存在數(shù)量相等的兩種載流子，即自由電子和空穴。15溫度越高，載流子的濃度越高。因此本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力越強(qiáng)，溫度是影響本征半導(dǎo)體性能的一個(gè)重要的外部因素，這是半導(dǎo)體的一大特點(diǎn)。本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力取決于載流子的濃度。本征半導(dǎo)體中電流由兩部分組成：

1.自由電子移動(dòng)產(chǎn)生的電流。2.空穴移動(dòng)產(chǎn)生的電流。1614.1.3雜質(zhì)半導(dǎo)體在本征半導(dǎo)體中摻入某些微量的雜質(zhì)，就會(huì)使半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能發(fā)生顯著變化。其原因是摻雜半導(dǎo)體的某種載流子濃度大大增加。P型半導(dǎo)體：空穴濃度大大增加的雜質(zhì)半導(dǎo)體（在硅或鍺中摻入少量的三價(jià)元素硼）。N型半導(dǎo)體：自由電子濃度大大增加的雜質(zhì)半導(dǎo)體（在硅或鍺中摻入少量的五價(jià)元素磷）。17+4+4+5+4多余電子磷原子N型半導(dǎo)體中的載流子是什么？1.由施主原子提供的電子，濃度與施主原子相同。2.本征半導(dǎo)體中成對(duì)產(chǎn)生的電子和空穴。摻雜濃度遠(yuǎn)大于本征半導(dǎo)體中載流子濃度，所以，自由電子濃度遠(yuǎn)大于空穴濃度。自由電子稱為多數(shù)載流子（多子），空穴稱為少數(shù)載流子（少子）。一、N型半導(dǎo)體18二、P型半導(dǎo)體+4+4+3+4空穴硼原子P型半導(dǎo)體中空穴是多子，電子是少子。1.由受主原子提供的空穴，濃度與受主原子相同。P型半導(dǎo)體中的載流子是什么？2.本征半導(dǎo)體中成對(duì)產(chǎn)生的電子和空穴。19三、雜質(zhì)半導(dǎo)體的示意表示法－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－P型半導(dǎo)體++++++++++++++++++++++++N型半導(dǎo)體雜質(zhì)型半導(dǎo)體多子和少子的移動(dòng)都能形成電流。但由于數(shù)量的關(guān)系，起導(dǎo)電作用的主要是多子。近似認(rèn)為多子與雜質(zhì)濃度相等。2014.2.1PN結(jié)的形成在同一片半導(dǎo)體基片上，分別制造P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體，并在局部再摻入濃度較高的雜質(zhì)，經(jīng)過載流子的擴(kuò)散，在它們的交界面處就形成了PN結(jié)?！?4.2PN結(jié)及其單向?qū)щ娦?4.2.1PN結(jié)的單向?qū)щ娦?114.2.2PN結(jié)的單向?qū)щ娦?/p>

PN結(jié)加上正向電壓、正向偏置的意思都是：P區(qū)加正、N區(qū)加負(fù)電壓。PN結(jié)加上反向電壓、反向偏置的意思都是：

P區(qū)加負(fù)、N區(qū)加正電壓。22－－－－++++RE一、PN結(jié)正向偏置內(nèi)電場(chǎng)外電場(chǎng)變薄PN+_外電壓使得內(nèi)電場(chǎng)被削弱，形成較大的擴(kuò)散電流。理解為正向?qū)ā?3二、PN結(jié)反向偏置－－－－++++內(nèi)電場(chǎng)外電場(chǎng)變厚NP+_外加電壓使得內(nèi)電場(chǎng)被被加強(qiáng)，抑制了多子的擴(kuò)散，只有少子漂移而形成較小的反向電流。理解為反向截止。RE24§14.3半導(dǎo)體二極管二極管的基本結(jié)構(gòu)二極管的伏安特性二極管的主要參數(shù)25(1)點(diǎn)接觸型—(a)點(diǎn)接觸型PN結(jié)面積小，結(jié)電容小，用于檢波和變頻等高頻電路基本結(jié)構(gòu)：點(diǎn)接觸型、面接觸型和平面型PN結(jié)加上管殼和引線，就成為半導(dǎo)體二極管。14.3.1二極管的基本結(jié)構(gòu)26(c)平面型(3)平面型—(2)面接觸型—(b)面接觸型符號(hào)舊符號(hào)新符號(hào)陽(yáng)極(Anode)陰極(Cathode)標(biāo)記D1D2DiodePN結(jié)面積大，用于工頻大電流整流電路往往用于集成電路制造工藝中。PN結(jié)面積可大可小，用于高頻整流和開關(guān)電路中。27二極管的分類根據(jù)制造二極管的半導(dǎo)體材料分為硅、鍺等；根據(jù)二極管的結(jié)構(gòu)分為點(diǎn)接觸、面接觸等；根據(jù)二極管的工作頻率分為低頻、高頻等；根據(jù)二極管的功能分為檢波、整流、開關(guān)、變?nèi)?、發(fā)光、光敏、觸發(fā)及隧道二極管等；根據(jù)二極管的功率特性分為小功率、大功率二極管等；…………28

14.3.2二極管的伏安特性UI死區(qū)電壓硅管0.5V,鍺管0.2V。導(dǎo)通壓降:硅管0.6~0.7V,鍺管0.2~0.3V。反向擊穿電壓UBR29二極管理論伏安特性曲線OD段稱為正向特性。OC段，正向電壓較小，正向電流非常小，只有當(dāng)正向電壓超過某一數(shù)值時(shí)，才有明顯的正向電流，這個(gè)電壓稱為死區(qū)電壓，亦稱開啟電壓。CD段，當(dāng)正向電壓大于死區(qū)電壓后，正向電流近似以指數(shù)規(guī)律迅速增長(zhǎng)，二極管呈現(xiàn)充分導(dǎo)通狀態(tài)。正向?qū)ˋDCBiDuDOUBR30OB段稱為反向特性。這時(shí)二極管加反向電壓，反向電流很小。當(dāng)溫度升高時(shí)，半導(dǎo)體中本征激發(fā)增加，是少數(shù)載流子增多，故反向電流增大，特性曲線向下降。

反向擊穿BA段稱為反向擊穿特性當(dāng)二極管外加反向電壓大于一定數(shù)值時(shí)，反向電流突然劇增，稱為二極管反向擊穿。反向截止二極管理論伏安特性曲線ADCBiDuDOUBR31iDouD20406080100(mA)(v)-40-80-0.1-0.20.40.82AP15的伏安特性曲線2CP1020的伏安特性曲線~iDouD-200-10020406080100-10-30-2075℃20℃(mA)(v)(μA)12材料開啟電壓（V）導(dǎo)通電壓（V）反向飽和電流（μA）硅（Si）≈0.50.6~1<0.1鍺（Ge）≈0.10.2~0.5幾十二極管的伏安特性對(duì)溫度很敏感，溫度升高時(shí)，正向特性曲線向左移，反向特性曲線向下移。32型號(hào)命名規(guī)則國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)對(duì)半導(dǎo)體器件型號(hào)的命名舉例如下：P33部分國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體高頻二極管參數(shù)表最高反向工作電壓（峰值）V反向擊穿電壓

V正向電流

mA反向電流μA最高工作頻率MHZ極間電容

Pf最大整流電流mA2AP120≥40≥2.5≤250150≤1162ck7100≥150≥5.0≤250300≤0.120部分國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體整流二極管參數(shù)表最大整流電流A最高反向工作電壓（峰值）V最高工作電壓下的反向電流（125度）

μA正向壓降（平均值）

V最高工作頻率

MHZ2CZ52A0.1251000≤0.832CZ54D0.514001000≤0.832CZ57F530001000≤0.8334二極管的等效電路（一）理想二極管等效電路當(dāng)外加正向電壓時(shí)，二極管導(dǎo)通，正向壓降uD=0,相當(dāng)于開關(guān)閉合；iDuD0D特性曲線的近似等效電路當(dāng)外加反向電壓時(shí)，二極管截止，反向電流IR=0，相當(dāng)于開關(guān)斷開。35(二）考慮正向壓降的等效電路DKUD在二極管充分導(dǎo)通且工作電流不是很大時(shí)，可以近似認(rèn)為UD為常數(shù)，用一個(gè)直流電壓源UD來等效正向?qū)ǖ亩O管。當(dāng)外加正向電壓大于UD時(shí)，二極管導(dǎo)通，開關(guān)閉合，二極管兩端壓降為UD；當(dāng)外加電壓小于UD時(shí)，二極管截止，開關(guān)斷開。特性曲線的近似等效電路iDuDUD036（三）小信號(hào)模型（微變模型等效電路）QiuuDiDV-A特性Q為靜態(tài)工作點(diǎn)+ui-+uo-實(shí)際電路RLrdRL+ui-+uo-微變等效電路在模擬電路里面，二極管多數(shù)工作在小信號(hào)狀態(tài)。也即工作在某個(gè)很小的區(qū)域。所以通常用小信號(hào)模型來代替二極管。即把二極管看成一個(gè)等效電阻。其電阻值

rd

為：3714.3.3二極管的主要參數(shù)1.最大整流電流

IOM二極管長(zhǎng)期使用時(shí)，允許流過二極管的最大正向平均電流。2.反向擊穿電壓UBR，反向工作峰值電壓URWM二極管反向擊穿時(shí)的電壓值。擊穿時(shí)反向電流劇增，二極管的單向?qū)щ娦员黄茐?，甚至過熱而燒壞。手冊(cè)上給出的反向工作峰值電壓URWM一般是UBR的一半。383.反向峰值電流

IRM指二極管加反向峰值工作電壓時(shí)的反向電流。反向電流越小越好。反向電流受溫度的影響，溫度越高反向電流越大。硅管的反向電流比鍺管較小。以上均是二極管的直流參數(shù)，二極管的應(yīng)用是主要利用它的單向?qū)щ娦?，主要?yīng)用于整流、限幅、保護(hù)等等。39RLuiuouiuott例14.1：二極管半波整流二極管的應(yīng)用舉例理想二極管40例14.2：分析uR、uo的波形tttuiuRuoRRLuiuRuoC設(shè)RC為一微分電路41例14.3設(shè)圖示電路中的二極管性能均為理想。試判斷各電路中的二極管是導(dǎo)通還是截止，并求出A、B兩點(diǎn)之間的電壓ＵAB值。

V115V10VV2R2KWUABB+_D2AD1(a)V115V10VV2R2KWUABB+_D2AD1(b)42解：判斷電路中二極管導(dǎo)通的方法：

假定電路即將導(dǎo)通，判斷電路中各二極管上的壓降。壓降高的管子優(yōu)先導(dǎo)通。對(duì)于圖a，在電路即將導(dǎo)通時(shí)，D1、D2上的正偏電壓分別為10V，－5V。D2反偏電壓為15VD1導(dǎo)通ＵAB=0VD2截止V115V10VV2R2KWUABB+_D2AD1(a)43對(duì)于圖b，在電路即將導(dǎo)通時(shí)，即D1上的反偏電壓為15VD2優(yōu)先導(dǎo)通D1截止D1、D2上的正偏電壓分別為:10V，25VＵAB=－15VD2優(yōu)先導(dǎo)通后V115V10VV2R2KWUABB+_D2AD1(b)44§14.4穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓二極管是一種特殊的面接觸型半導(dǎo)體硅二極管穩(wěn)壓二極管的伏安特性曲線與普通二極管類似，差異是其反向特性曲線比較陡穩(wěn)壓二極管工作在反向擊穿區(qū)，擊穿后電流雖然在很大范圍變化，但穩(wěn)壓二極管兩端電壓變化很?。ǚ€(wěn)壓）穩(wěn)壓二極管與普通二極不一樣，反向擊穿是可逆的45UIIZIZmaxUZIZ穩(wěn)壓誤差曲線越陡，電壓越穩(wěn)定。+-UZ動(dòng)態(tài)電阻：rz越小，穩(wěn)壓性能越好。穩(wěn)壓二極管的伏安特性++46穩(wěn)壓二極管的參數(shù)1、穩(wěn)定電壓

UZ穩(wěn)壓二極管正常工作時(shí)兩端的電壓。2、電壓溫度系數(shù)U（%/℃）穩(wěn)壓值受溫度變化影響的的系數(shù)。一般說低于6V時(shí)電壓溫度系數(shù)為負(fù)，高于6V時(shí)溫度系數(shù)為正。3、動(dòng)態(tài)電阻474、穩(wěn)定電流IZ、最大穩(wěn)定電流Izmax。穩(wěn)定電流IZ是穩(wěn)壓二極管工作時(shí)的參考電流。5、最大允許功耗穩(wěn)壓二極管的參數(shù)48穩(wěn)壓二極管的應(yīng)用舉例例14.4.1穩(wěn)壓電路如圖，各參數(shù)是否合適？+20VIZR=1.6KDZUZ=12VImax=18mA解：能正常工作。49負(fù)載電阻。要求當(dāng)輸入電壓由正常值發(fā)生20%波動(dòng)時(shí)，負(fù)載電壓基本不變。uoiZDZRiLiuiRL例14.4穩(wěn)壓管的技術(shù)參數(shù)如下:求：電阻R和輸入電壓ui的正常值。50uoiZDZRiLiuiRL解：令輸入電壓達(dá)到上限時(shí)，流過穩(wěn)壓管的電流為Izmax。——方程1令輸入電壓降到下限時(shí)，流過穩(wěn)壓管的電流為Izmin。51——方程2uoiZDZRiLiuiRL聯(lián)立方程1、2，可解得：52例14.5

已知穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值UZ＝6V，穩(wěn)定電流的最小值IZmin＝5mA。求圖所示電路中UO1和UO2各為多少伏。解：UO1＝6V，UO2＝5V。

5314.5.1基本結(jié)構(gòu)BECNNP基極發(fā)射極集電極NPN型PNP集電極基極發(fā)射極BCEPNP型§14.5雙極型晶體管54BECNNP基極發(fā)射極集電極發(fā)射結(jié)集電結(jié)兩個(gè)PN結(jié)55BECNNP基極發(fā)射極集電極基區(qū)：較薄，摻雜濃度低集電區(qū)：面積較大發(fā)射區(qū)：摻雜濃度較高56本章只討論NPN型晶體管的工作原理。如圖所示，對(duì)NPN型晶體管加EB和EC兩個(gè)電源，接成共發(fā)射極接法構(gòu)成兩個(gè)回路。14.5.2電流分配和放大原理57通過實(shí)驗(yàn)及測(cè)量結(jié)果，得：(1).

(2).IC(或IE)比IB大得多，(如表中第三、四列數(shù)據(jù))IB(mA)00.020.040.060.080.10IC(mA)<0.0010.701.502.303.103.95IE(mA)<0.0010.721.542.363.184.0558(4).要使晶體管起放大作用，發(fā)射結(jié)必須正向偏置、集電結(jié)必須反向偏置——具有放大作用的外部條件。IB的微小變化可以引起IC的較大變化(這就是晶體管的電流放大作用)。IB(mA)00.020.040.060.080.10IC(mA)<0.0010.701.502.303.103.95IE(mA)<0.0010.721.542.363.184.05(3).當(dāng)IB=0(基極開路)時(shí)，Ic也很小(約為1微安以下)。59BECNNPEBRBECIE基區(qū)空穴向發(fā)射區(qū)的擴(kuò)散可忽略。IBE進(jìn)入P區(qū)的電子少部分與基區(qū)的空穴復(fù)合，形成電流IBE

，多數(shù)擴(kuò)散到集電結(jié)。發(fā)射結(jié)正偏，發(fā)射區(qū)電子不斷向基區(qū)擴(kuò)散，形成發(fā)射極電流IE。晶體管放大原理60BECNNPEBRBECIE集電結(jié)反偏，有少子形成的反向電流ICBO。ICBOIC=ICE+ICBOICEIBEICE從基區(qū)擴(kuò)散來的電子作為集電結(jié)的少子，漂移進(jìn)入集電結(jié)而被收集，形成ICE。61IB=IBE-ICBOIBEIBBECNNPEBRBECIEICBOICEIC=ICE+ICBO

ICEIBE62BECIBIEICNPN型晶體管BECIBIEICPNP型晶體管ICE與IBE之比稱為電流放大倍數(shù)：63ICmAAVVUCEUBERBIBECEB

實(shí)驗(yàn)線路14.5.3特性曲線64一、輸入特性IB(A)UBE(V)204060800.40.8工作壓降：硅管UBE0.6~0.7V,鍺管UBE0.2~0.3V。死區(qū)電壓，硅管0.5V，鍺管0.2V。65二、輸出特性IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此區(qū)域滿足IC=IB稱為線性區(qū)（放大區(qū)）。當(dāng)UCE大于一定的數(shù)值時(shí)，IC只與IB有關(guān)，IC=IB。66IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此區(qū)域中UCEUBE,集電結(jié)正偏，IB>IC，UCE0.3V稱為飽和區(qū)。67IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此區(qū)域中:IB=0,IC=ICEO,UBE<死區(qū)電壓，稱為截止區(qū)。68輸出特性三個(gè)區(qū)域的特點(diǎn):放大區(qū)：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。即：IC=IB,且

IC

=

IB(2)飽和區(qū)：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏。即：UCEUBE

，

IB>IC，UCE0.3V

(3)截止區(qū)：

UBE<死區(qū)電壓，IB=0，IC=ICEO

0

69例14.6：

=50，USC

=12V，

RB

=70k，RC

=6k

當(dāng)USB

=-2V，2V，5V時(shí)，晶體管的靜態(tài)工作點(diǎn)Q位于哪個(gè)區(qū)？當(dāng)USB

=-2V時(shí)：ICUCEIBUSCRBUSBCBERCUBEIB=0，IC=0IC最大飽和電流：Q位于截止區(qū)

70IC<

ICmax(=2mA)，

Q位于放大區(qū)。ICUCEIBUSCRBUSBCBERCUBEUSB

=2V時(shí)：例14.6：

=50，USC

=12V，

RB

=70k，RC

=6k

當(dāng)USB

=-2V，2V，5V時(shí)，晶體管的靜態(tài)工作點(diǎn)Q位于哪個(gè)區(qū)？71USB

=5V時(shí):ICUCEIBUSCRBUSBCBERCUBEQ位于飽和區(qū)，此時(shí)IC和IB

已不是倍的關(guān)系。例14.6：

=50，USC

=12V，

RB

=70k，RC

=6k

當(dāng)USB

=-2V，2V，5V時(shí)，晶體管的靜態(tài)工作點(diǎn)Q位于哪個(gè)區(qū)？72例14.7：用萬用表直流電壓檔測(cè)得電路中晶體管各電極的對(duì)地電位如圖所示，試判斷這些晶體管的工作狀態(tài)。解：放大截止損壞飽和7314.5.4主要參數(shù)前面的電路中，晶體管的發(fā)射極是輸入輸出的公共點(diǎn)，稱為共射接法，相應(yīng)地還有共基、共集接法。共射直流電流放大倍數(shù)：工作于動(dòng)態(tài)的晶體管，真正的信號(hào)是疊加在直流上的交流信號(hào)?；鶚O電流的變化量為IB，相應(yīng)的集電極電流變化為IC，則交流電流放大倍數(shù)為：1.電流放大倍數(shù)和

74例14.8：UCE=6V時(shí)：IB=40A時(shí)IC=1.5mA；

IB=60A時(shí)IC=2.3mA。在以后的計(jì)算中，一般作近似處理：=752.集-基極反向截止電流ICBOAICBOICBO是集電結(jié)反偏由少子的漂移形成的反向電流，受溫度的變化影響。76BECNNPICBOICEO=

IBE+ICBO

IBEIBEICBO進(jìn)入N區(qū)，形成IBE。根據(jù)放大關(guān)系，由于IBE的存在，必有電流IBE。集電結(jié)反偏有ICBO3.集-射極反向截止電流ICEOICEO受溫度影響很大，當(dāng)溫度上升時(shí)，ICEO增加很快，所以IC也相應(yīng)增加。晶體管的溫度特性較差。774.集電極最大電流ICM集電極電流IC上升會(huì)導(dǎo)致晶體管的值的下降，當(dāng)值下降到正常值的三分之二時(shí)的集電極電流即為ICM。5.集-射極反向擊穿電壓當(dāng)集---射極之間的電壓UCE超過一定的數(shù)值時(shí)，晶體管就會(huì)被擊穿。手冊(cè)上給出的數(shù)值是25C、基極開路時(shí)的擊穿電壓U(BR)CEO。786.集電極最大允許功耗PCM集電極電流IC

流過晶體管，所發(fā)出的焦耳熱為：PC=ICUCE必定導(dǎo)致結(jié)溫上升，所以PC

有限制。PCPCMICUCEICU