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文檔簡介

2.1.1理想開關的開關特性一、靜態(tài)特性①斷開②閉合SAK2.1半導體二極管、三極管和MOS管的開關特性2.1.1理想開關的開關特性SAK2.1半導體二極管、三極管和MOS管的開關特性二、動態(tài)特性①開通時間：②關斷時間：閉合）（斷開斷開）（閉合普通開關：靜態(tài)特性好，動態(tài)特性差半導體開關：靜態(tài)特性較差，動態(tài)特性好幾百萬/秒幾千萬/秒2.1.2半導體二極管的開關特性一、靜態(tài)特性①外加正向電壓(正偏)二極管導通(相當于開關閉合)②外加反向電壓(反偏)二極管截止(相當于開關斷開)陰極A陽極KPN結-AK+P區(qū)N區(qū)++++++++--------1.結構示意圖、符號和伏安特性一、靜態(tài)特性NPN2.1.3半導體三極管的開關特性發(fā)射結集電結發(fā)射極emitter基極base集電極collectorbiBiCec(電流控制型)NNP1、結構示意圖和符號2.半導體三極管的開關應用發(fā)射結反偏T截止發(fā)射結正偏T導通+RcRb+VCC

(12V)+uoiBiCTuI3V-2V2k2.3k2.1.4MOS管的開關特性(電壓控制型)MOS（Mental–Oxide–Semiconductor）

金屬

–

氧化物

–

半導體場效應管一、靜態(tài)特性1.結構和特性：(1)N溝道柵極

G漏極

DB源極

SiD+-uGS+-uDS襯底

P溝道增強型MOS管與N溝道有對偶關系。(2)P溝道柵極

G漏極

DB源極

SiD+-uGS+-uDS襯底參考方向(2)P溝道增強型MOS管-VDD-10VRD20kBGDSuIuO-VDD-10VRD20kGDSuIuO-VDD-

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