高中化學(xué)各物質(zhì)熔沸點(diǎn)判斷復(fù)習(xí)進(jìn)程_第1頁
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高中化學(xué)各物質(zhì)熔沸點(diǎn)判斷高中學(xué)熔沸點(diǎn)比較根據(jù)物質(zhì)在相同條件下的狀態(tài)不同一般熔沸:>>,如:碘單質(zhì)汞>CO2由周期看族質(zhì)熔沸點(diǎn)同一主族單質(zhì)熔點(diǎn)本上是越向下金屬熔點(diǎn)漸低;而非金單質(zhì)熔點(diǎn)、沸點(diǎn)漸高。但碳族元素特,即C,Si,Sn越向,熔點(diǎn)低,與屬相;還有A的鎵熔比銦、鉈低;族錫熔點(diǎn)比鉛低。從體型熔沸規(guī)律晶體純物質(zhì)有固定熔點(diǎn);不純物質(zhì)凝固點(diǎn)與成分有關(guān)(凝固點(diǎn)不固定)。

非體質(zhì)如璃、水泥、石蠟、塑料等,受熱變軟,漸變流動性(軟化過程)直至液體,沒有熔點(diǎn)。①原子體的熔沸高于離子晶體,又高于分子晶體。在原子晶體中鍵元之間共價鍵越短的鍵能越大,則熔點(diǎn)高。判斷時可由原子半徑推導(dǎo)出鍵長、鍵能再比較。如鍵:金石(C)碳化硅(Si)>晶體硅—Si)。點(diǎn):金剛石>碳硅晶體硅②在離子晶體中,化學(xué)式與結(jié)構(gòu)相似時,陰陽離子半徑之和越小,離子鍵越強(qiáng),熔沸點(diǎn)越高。反之越低。如KF>KCl>KBr,ca*>KCl。③子晶體的熔沸點(diǎn)由分子間作用力而定,分子晶體分子間作用力越大物質(zhì)的熔沸點(diǎn)越高,反之越低。(具有氫鍵的分子晶體,熔沸點(diǎn)反常地高,如HO>H>HSeS)。對于分子晶體而言又與極性大小有關(guān),其判斷思路大體是:ⅰ組和結(jié)構(gòu)相似的分子晶體,相對分子質(zhì)量越大,分子間作用力越強(qiáng),物質(zhì)的熔沸點(diǎn)越高。如:<SiH4<SnH4。ⅱ組和結(jié)不相似物質(zhì)(相對分子質(zhì)量相近),分子極性越,其熔沸點(diǎn)就越高。如:CO>N2,CH3OH>CH3—CH3。ⅲ在級脂肪酸形的油脂中,不飽和程度越大,熔沸越低。如:C17H35COOH(硬酸)>C17H33COOH(油酸);ⅳ烴鹵代烴、醇醛、羧酸等有機(jī)物一般隨著分子里原子數(shù)增加,熔沸點(diǎn)升高,如C2H6>CH4,C2H5Cl>CH3Cl,CH3COOH。ⅴ同異構(gòu)體:鏈烴及其衍生物的同分異構(gòu)體隨著支鏈增多,熔沸點(diǎn)降低。如:CH3(CH2)3CH3()>CH3CH2CH(CH3)2(異>(CH3)4C(新。香烴的異構(gòu)體有兩個取代基時,熔點(diǎn)按對、鄰、間低。(沸點(diǎn)按鄰、間、對位降低)④金屬晶體:金屬單質(zhì)和合金屬于金屬晶體,其中熔、沸點(diǎn)高的比例數(shù)很大,如鉑等(但也有低的如汞、銫等)。在金屬晶體中金屬原子的價電子數(shù)越多,原子半徑越小,金屬陽離子與自由電子靜電作用越強(qiáng),金屬鍵越強(qiáng),熔沸點(diǎn)越高,反之越低。如Na<Mg<Al合金的熔沸點(diǎn)一般說比它各組份純金屬的熔沸點(diǎn)低。如鋁硅合金<純鋁(或純硅)。5.些物質(zhì)熔沸點(diǎn)高、低的規(guī)律性同周期主族(短周期)金屬熔點(diǎn)。如,Na<Mg<Al堿土金屬氧化物的熔點(diǎn)均在2000以上,比其他族氧化物顯著高,所以氧化鎂、氧化鋁是常用的耐火材料。鹵化鈉(離子型鹵化物)熔點(diǎn)隨鹵素的非金屬性漸弱而降低。如NaF>NaCl>NaBr>NaI。通過查閱資料我們發(fā)現(xiàn)影響物質(zhì)熔沸點(diǎn)的有關(guān)因素有:①化學(xué)鍵,分子間力(范德華力)、氫鍵;晶體結(jié)構(gòu),有晶體類型、三維結(jié)構(gòu)等,好象石墨跟金剛石就有點(diǎn)不一樣;晶體成分,例如分子篩的桂鋁比;④雜質(zhì)影響:一般純物質(zhì)的熔點(diǎn)等都

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