砷化鎵與硅半導(dǎo)體制造工藝的差異分析

砷化鎵與硅半導(dǎo)體制造工藝的差異分析TREND盎j一～00趨勢掃2023/9廿田趨勢掃描(error)情形,因此所制造出來的產(chǎn)品牢靠性相對提高,其穩(wěn)定性并可解決衛(wèi)星通訊時暴露于太空中所招致的輻射問題.目前砷化鎵在通訊IC應(yīng)用中以手機的應(yīng)用所占比率最高,手機內(nèi)部構(gòu)造主要可分為基帶(BASEBAND),中頻及射頻(RF).高頻通訊信號自天線接收后,首先經(jīng)過射頻電路處理,射頻電路主要器件包含功率放大器(PA),低噪聲放大器(LNA),雙工(Diplexer,Duplexer),TRSwitch,聲波外表濾波器(SawFilter)等,由于需直接接觸高頻信號,這也是移動構(gòu)造中砷化鎵最能著墨的地方.但近來因硅的RFCMOS技術(shù)成熟介入,而使得砷化鎵在射頻比例漸漸下降,但在PA的應(yīng)用上仍是以砷化鎵為主要制造材料.近年來由于無線通訊快速的進展,很多中國臺灣地區(qū)廠商相繼投入Ⅲ一V族半導(dǎo)體砷化鎵產(chǎn)業(yè),基于中國臺灣地區(qū)過去在硅IC制造工藝成功的閱歷,業(yè)者莫不期望能繼硅半導(dǎo)體后,砷化鎵IC產(chǎn)業(yè)能成為中國臺灣地區(qū)另一波IC制造業(yè)的頂峰,此乃由于二者同為IC產(chǎn)業(yè),在工藝技術(shù)方面,有些硅制造工藝的技術(shù)及設(shè)備可以直接轉(zhuǎn)移到砷化鎵制造工藝上,而中國臺灣地區(qū)在硅IC產(chǎn)業(yè)制造工藝上已有雄厚的根底.雖是如此,但是由于材料不同的關(guān)系,導(dǎo)致磊晶成長方式,黃光,蝕刻,金屬化制造工藝以及后段反面處理等工藝技術(shù),皆不盡一樣,1,因此以下即以砷化鎵制造工藝與硅制造工藝的技術(shù)面差異進展比較,并就中國臺灣地區(qū)砷化鎵產(chǎn)業(yè)的進展進展市場面的分析與探討砷化鑲與硅半導(dǎo)體制造工藝差異分析由于材料不同的關(guān)系,砷化鎵與硅半導(dǎo)體制.在器件方面,1{2器件絕大局部是金屬氧化半導(dǎo)體(MOS)器件,由于硅最大的優(yōu)勢可以成長出品質(zhì)良好的氧化層構(gòu)造,利用這層氧化層制造出目前我們最常用的MOS晶體管.而砷化鎵雖然無法成長出良好的氧化層結(jié)構(gòu),但有先天的高電子遷移率的材料特性優(yōu)勢,及可利用不同的III—V族元素組成不同的能帶構(gòu)造,而設(shè)計出異質(zhì)接面(heterojunction)器件,這些特性使得III—V族材料進展出極高速各種不同的電子器件,如高電子遷移率晶體管(HEMT)和異質(zhì)接面雙載子晶體管(HBT)等,目前砷化鎵IC產(chǎn)業(yè)即是以此類異質(zhì)接面器件為最主要產(chǎn)品.硅MOS制造方式主要是在硅基板上,經(jīng)由熱氧化形成氧化層,再經(jīng)離子布植摻雜形成主動層及毆姆接觸,其后經(jīng)金屬化及金屬蝕刻~I2藝技術(shù)制作出MOS器件.但砷化鎵制造工藝卻大不一樣,如砷化鎵HEMT器件其主動層主要是以M0CVD或MBE的磊晶成長方式,成長出所要的磊晶構(gòu)造經(jīng)由離子布植或蝕刻的方式制作絕緣層,再鍍上資料來源:2023年通iK產(chǎn)業(yè)研討會;工業(yè)技術(shù)爭論院mK(2023/05)奧姆金屬,并經(jīng)由高溫退火形成良好的奧姆接觸.門極制作是先經(jīng)門46簍2023/9TRENDANALYS}趨勢掃描極蝕刻,其后鍍上蕭基接觸金屬,經(jīng)由掀離(1ift一主動層,即使是有磊晶成長(如BipolarJunctionoff)的方式完成門極電極.金屬連接導(dǎo)線是以電鍍傳輸線及空氣橋構(gòu)造完成,最終使用PECVD成長氮化硅(SiN)保護層,同時并有極為簡單的后段反面處理工藝技術(shù),包含半導(dǎo)體磨薄,反面穿孔,濺鍍連接導(dǎo)線等.半導(dǎo)體制造工藝完成后,最終切割形成IC或單獨器件.1為HEMT器件前端及cVD為主,并無準確掌握其接口成分的必要性.另外目前興以硅鍺(SiGe)材料為主的BiCMOS制造工藝,其磊晶成長主要以uHVcVD技術(shù)為主,成長時需在工藝技術(shù)中使用選擇性成長方式以便與CMOS技術(shù)集成,因此并無像砷化鎵磊晶一般有專業(yè)代工廠成長磊晶層.后端工藝技術(shù)的流程介紹,以下就各個制造工藝部...微影制造工藝分硅和砷化鎵IC不同處作簡潔的探討.在一般微影制造工藝方面,砷化鎵也有很多前段工藝技術(shù)的差異主動層的形成由于目前砷化鎵器件市場定位以高性能特性,以求到達最正確的器件功能,目前器件以HEMT及HBT為市場主流,主要都是以磊晶成長方式完成.在磊晶方面,由于砷化,4英6英寸較多,大局部工藝技術(shù)是使用步進機(stepper)來曝光形成高區(qū)分率的圖案,而有少數(shù)幾層制造工藝,HEMT0.15微米以下的門極制造工藝,是使用電子束微影工藝技術(shù),此外半導(dǎo)體后段反面處理工藝技術(shù),則是使用接觸式曝光機(contactaligner)完成.在光源方面,目前砷化IcR02O03,9≯TRENDASlS趨勢掃描鎵是使用I-line的燈源,而在硅IC廠商中小線寬工藝技術(shù)使用的深紫外線(DeepuV)光源,由于目前造價昂貴,且砷化鎵小線寬Ic需求量不是很大,因此一般砷化鎵廠商很少使用此光源.在半導(dǎo)體載具方面,12英寸,而砷6英寸,且由于砷化鎵半導(dǎo)體較硅半導(dǎo)體易碎,所以機臺在自動置人砷化鎵半導(dǎo)體時,移動速度需要較慢,才不會導(dǎo)致砷化鎵芯片碎裂,因此雖然砷化鎵使用的I—line步進機大致與硅使用者一樣,機臺的載具仍需經(jīng)過特別改裝.由于砷化6英寸廠,因此步進機大半都是選購硅6英寸廠舊機器改裝.在光學(xué)微影局部,最特別的是砷化鎵HEMT器件中的門極(gate)金屬,基于器件功能要求線0.2微米,同時需形成T型門極以降低電阻,所以需要用到電子束(e—beam)微影技術(shù).電子束微影系統(tǒng)的優(yōu)點在于可以曝出格外精準,高區(qū)分率及尺寸很小的線寬,0.15微米,同時重復(fù)性及正品率皆高,但是缺點為機臺造價昂貴且量產(chǎn)速度較慢.由于砷化鎵目前只有HEMT這一道門極制造工藝需要用到電子束微影系統(tǒng),所以較不會影響到產(chǎn)能.在電子束微影光阻選擇方面,一般是使用PMMA系列,通常需使用多層光阻制造工藝,以到達小線寬,T型門極,掀離(1ift—off)制造工藝的要求.而在硅IC制造工藝中,目前并沒有使用到電子束微影系統(tǒng),主要由于所需要小線寬層數(shù)很多,假設(shè)使用電子束微影量產(chǎn)速度過慢,相對的本錢也會跟著提高,同時電子束微影工藝技術(shù)每一層都需要查找電子束的對準標記,假設(shè)使用在硅制造工藝上會有無法找到對準標記問題,所以硅IC制造工藝中,目前并沒有用到電子束微影技術(shù).而在微48粵MI粵CRO-2023/9小線寬上,硅IC系使用相位移光罩(PSM)技術(shù),協(xié)作deepuV步進機生產(chǎn).金屬化制造工藝在金屬導(dǎo)線方面,目前硅IC制造工藝中都是使用蝕刻金屬的方式來定義導(dǎo)線位置,先沉積整片的金屬層,再由光阻定義導(dǎo)線位置,經(jīng)由蝕刻的方式來形成導(dǎo)線,用此方式可以得到較干凈,正品率較高的IC.但是砷化鎵器件的金屬層構(gòu)造簡單,通常使用多層金屬,才能到達規(guī)格的要求.n型砷化鎵的奧姆接觸(Ohmiccontact)的金屬化制造工藝,一般使用金鍺/鎳/金(AuGe/Ni/Au)系統(tǒng),此乃因砷化鎵的摻雜質(zhì)在砷化鎵的溶解度不夠高,不易形成低電阻的奧姆接觸.不像硅外表只要經(jīng)由離子布植摻雜較高濃度的雜質(zhì)(dopant),就可簡潔的形成奧姆接觸.因llt:n型砷化鎵需要高溫退火形成金鍺合金,才能得到良好的奧姆接觸特性.門極簫基接觸(Schottkycontact)金屬化制造工藝,一等多層金屬,由于金屬層簡單格外不簡潔蝕刻,所以一般砷化鎵制造工藝都使用掀離(1ift—off)技術(shù)來形成奧姆,蕭基接觸金屬及連接導(dǎo)線金屬及金屬化制造工藝.金屬掀離技術(shù)是砷化鎵金屬化最主要的工藝技術(shù),此技術(shù)不用干式蝕刻方式,可削減干式蝕刻造成外表的破壞損害,因此較不易產(chǎn)生外表狀態(tài)(surfacestate),造成器件特性退化.掀離技術(shù)有高區(qū)分率,能夠形成小線寬,但缺點為和硅制造工藝由蝕刻所定義出的導(dǎo)線比較下正品率較差.金屬掀離技術(shù)之制造的方式為:先旋轉(zhuǎn)涂布上單層或雙層對光不同靈敏度的光阻,經(jīng)由軟烤,曝光定義出所要留的金屬圖案后,經(jīng)顯影后光阻會形成底切(undercut)的構(gòu)造,再利用電子束蒸鍍(electronTRENDANALY趨勢掃描be鋤evaporation)方式完成此制造工藝,由于電子束蒸鍍較有方向性,鍍上金屬后,再浸泡在丙酮內(nèi),則溶劑會滲入有光阻的局部而使金屬在光阻上的局部掀離,最終留下所定義的金屬導(dǎo)線,因此一般金屬掀離制造工藝,皆以電子束蒸鍍方式為主,2為掀離技術(shù)示意圖.在鍍金屬薄膜設(shè)備方面,一般砷化鎵制造工藝常用兩種機臺,一是電子束蒸鍍機(electronbeamevaporator),另一為濺鍍機(sputter).如前述砷化鎵的奧姆金屬,簫基金屬,連接導(dǎo)線等,需要用到掀離技術(shù),就必需使用垂直方向性較好的電子束蒸鍍機.而砷化鎵還有和硅不同的制造工藝～一反面穿孔(viahole)接地工藝技術(shù),需要使用階梯掩蓋性(stepcoverage)較好的機臺,來確定連接金屬不會斷線,所以需使用濺鍍機,使金屬能夠完全掩蓋孔洞.另外,使用濺鍍機可以鍍上熔點較高的金屬如鎢金屬等,而電子束蒸鍍則較不易鍍高熔點的金屬.離子布植技術(shù)砷化鎵IC制造工藝中離子布植亦是極重要的一環(huán),在器件間絕緣(isolation)方面,砷化鎵是使用離子布植的方式打人氦離子等,使砷化鎵材料電阻值變大,到達器件間絕緣效果.而硅制造工藝并不是利用離子布植的方式絕緣,而是用挖溝槽的方式,在洞內(nèi)成長絕緣介質(zhì)材料造成絕緣的效果.砷化鎵的離子布植除了應(yīng)用在器件間的絕緣部格外,還有用在MESFET的信道層(channe1),形成奧姆接觸的高摻雜濃度層,及P型緩沖絕緣層等.而HBT器件由于是屬于垂直構(gòu)造,主動局域(activeregion)較深,所以在作離子布植絕輕元素的氦離子,才能夠植入較深到達絕緣效果.一般砷化鎵的離子布植,使用能量較高,甚至達400keV,而離子布植機一般使用中,低電流為主,此與硅IC制造工藝使用高電流離子布植機不同.蝕刻工藝技術(shù)砷化鎵制造工藝中有干式蝕刻和濕式蝕刻,其中濕式蝕刻應(yīng)用在一些砷化鎵材料本身的蝕刻上,為制造工藝上極為關(guān)鍵的步驟.砷化鎵濕式蝕刻根本上有非等方向的本質(zhì)(anisotropic),其使用的蝕刻化學(xué)溶液和硅制造工藝不同,如硅是使用硝酸與氫氟酸的}昆合溶液來進展蝕刻,而砷化鎵可以用磷酸,雙氧水與水的混合溶液蝕刻.比較特492023/9iS趨勢掃描別的是,由于砷化鎵為二元化合物,在不同面蝕刻后外形會不一樣,隨著不同平面,不同方向,不同溶液侵蝕,蝕刻后的外形可能為V字型,亦可能為底切(undercut)外形.不同外形對金屬導(dǎo)線連接會有影響,例如跨平臺端的導(dǎo)線是底切那面的話,就會發(fā)生斷線問題,另外不同的蝕刻后平面外形對器件的電性也會有影響,所以在光罩金屬線路設(shè)計上,需要特別留意蝕刻的非等方向性.在干式蝕刻方面,一般硅IC在制造過程中會蝕刻材料層硅,氧化層,介電層和金屬等材料,而砷化鎵器件制造工藝中的干式蝕刻主要是以III.V族半導(dǎo)體材料,介電層和光阻等為主,一般金屬并不以干式侵蝕.而使用的機臺和硅制造工藝類似,通常普遍使用的設(shè)備為活性離子反響器(ReactiveIonEtCher,RIE)和感應(yīng)耦合式電漿蝕刻機(InductivelyCoupledPlasmaReactor,ICP)等,蝕刻不同材料時所用的反響氣體不同,如硅制造工藝中要蝕刻硅或是二氧化硅時,使用四氟化碳(c)和氧氣(o),而砷化鎵制造工藝中蝕刻砷化鎵使用三氯化硼(BCI)或六氟化硫(s)等,蝕刻光阻則使用氧氣電漿l其中孔洞(via—hole)蝕刻及氮化鎵(GaN)材料蝕刻時需要較高的蝕刻速率,通常以ICP蝕刻為主.在砷化鎵HEMT和MESFET器件制造工藝中,需要有門極蝕刻(gaterecess)工藝技術(shù),可以削減門極和源極間電阻,并且增加器件操作時的崩潰電壓(breakdownvoltage),但此制造工藝需要準確的掌握蝕刻深度及蝕刻后外表的平坦度,臨界電壓才會平均,也不會有外表狀態(tài)而造成漏電流及電流無法截止(pinch一5O2OO3/9off)的狀況,硅IC并沒有此門極蝕刻制造工藝.圖3為HEMT器件門極蝕刻位置圖,此制造工藝目前可使用干式和濕式蝕刻的方式來蝕刻門極,濕式蝕刻不會造成外表材料的損害,但是整片蝕刻深度不均勻,且再現(xiàn)性較差,較不穩(wěn)定,目前解決辦法可以在中間多成長一層蝕刻停頓層(etchstoplayer),可以有效的掌握蝕均勻刻深度.而干式蝕刻雖有較佳的選擇蝕,可以均勻的掌握蝕刻深度,并且再現(xiàn)性較高,但是有可能造成外表的損害和污染,目前可以在干式蝕刻加溶液稍濕式蝕刻,以削減外表損害,并得較佳的侵蝕均勻度.而砷化鎵器件中,對外表狀態(tài)較不敏感的低噪聲放大器(LownoiseAmplifier,LNA)HEMT可以使用干式蝕刻來蝕刻門極,由于器件信道層(channe1)在磊晶層內(nèi),對外表狀態(tài)較不影響,而用在高功率的PowerMESFET,對器件外表狀態(tài)較敏感,所以必需使用濕式蝕刻.D空氣橋技術(shù)在金屬多層連接導(dǎo)線方面,由于硅器件集成度較砷化鎵來的高,為了各器件的電路連結(jié),5,6層的金屬導(dǎo)線是必備技術(shù),目前硅IC是使用鋁金屬導(dǎo)線及低電阻的銅導(dǎo)線技術(shù);而金屬層間的介電質(zhì)材料,為使電容變小以降低Rc延遲時間,因此會使用lowk介電材料.而為使多層導(dǎo)線能順當制造,硅IC還有平坦化制造工藝使外表平坦,以利于聚焦及微影工藝技術(shù).而砷化鎵為微波器件,其工藝技術(shù)的IC集成度并不像硅IC--~,2～3層導(dǎo)線就足夠,目前大都是使用金導(dǎo)線,而為了使砷化鎵器件在操作更高頻率時能降低RC延遲時間,一般使用空氣橋(air—bridge)構(gòu)造制造工藝,由于空氣的介電1,可使電容為最小.除此外電鍍的傳輸線一般以金為主,2～3微米,如此可使電阻變小,可以有效的增加高頻特性,這些都是硅制造工藝中所未使用的技術(shù).反面與后段工藝技術(shù)差異分析砷化鎵雖然電子速度較快,但由于導(dǎo)熱系數(shù)較硅來的小所以散熱較差,在高頻操作時會造成器件溫度太高,而影響到電性,所以砷化鎵在做完前段工藝技術(shù)后,有后段反面處理工藝技術(shù).反面處理制造工藝通常為利于器件散熱而將基板磨薄,一般低噪聲器件微米,TRENDANALYS趨勢掃描,50微米散熱較好.此外,為削減高頻打線的電感效應(yīng),通常以穿孔方式接地,此工藝技術(shù)使用ICP干式蝕刻進展反面穿孔(viahole),再以濺鍍的方式鍍上連接導(dǎo)線,因濺鍍薄膜階梯掩蓋性較好,才不會有斷線問題,將導(dǎo)線以最短的距離連接到反面.由于反面孔洞接地傳輸距離最短,在高頻時才有良好的電性,這也是和硅制造工藝中不一樣的地方,以下說明砷化鎵半導(dǎo)體反面處理的工藝技術(shù):半導(dǎo)體薄化技術(shù)半導(dǎo)體薄化的目的是為了到達較佳的散熱性及電性,150100m左右的厚度.砷化鎵器件操作時,會在極微小的局域內(nèi)產(chǎn)生很多的熱量,這些熱量通常是經(jīng)由砷化鎵反面?zhèn)鞒?但是砷化鎵半導(dǎo)體的導(dǎo)熱性并不佳,因此須將芯片磨薄,讓熱量盡速傳遞到導(dǎo)熱性良好的金屬層,到達良好的散熱.電性上的考慮,是由于在MMIC中,微傳導(dǎo)帶(microstriptransmissionline)的尺寸和芯片厚度有關(guān),厚度越大,晶粒(chips)的尺寸也相對須增大不符本錢.而且反面蝕刻穿孔,通常也僅適用于較薄的芯片.半導(dǎo)體薄化可承受半導(dǎo)體研磨(Wafergrinding),半導(dǎo)體研削(waferlapping),半導(dǎo)體拋2中國臺灣地區(qū)半導(dǎo)體廠技術(shù)領(lǐng)|曩注:一已完成開發(fā)O開發(fā)中x未有開發(fā)打算資料來源:工業(yè)技術(shù)爭論院機械所;工業(yè)技術(shù)爭論院IEK(2023/06)512OO3,9DlS趨勢掃描光(waferpolishing),濕式蝕刻等方法,其中以半導(dǎo)體研磨的效率較高且廣被使用.由于III/V族材料(如GaAs)研磨后產(chǎn)生的粉塵會有礙人體安康,因此需要經(jīng)過處理.半導(dǎo)體研磨時,會造成芯片表層的微缺陷(surfaceandsub—surfacedefect).這些缺陷及外表殘留應(yīng)力,可經(jīng)由半導(dǎo)體拋光或濕式蝕刻的方式將其去除.半導(dǎo)體反面蝕刻穿孔與金屬化制造工藝接將芯片內(nèi)的晶粒切割分立,此技術(shù)廣泛使用于硅半導(dǎo)體的處理上.由于砷化鎵半導(dǎo)體較薄,因此有些砷化鎵半導(dǎo)體廠承受畫線及折斷(scribe&break)技術(shù)進展切割一一借助半導(dǎo)體定位平臺的準確水平移動,利用鉆石刀具在化合物半導(dǎo)體芯片上下運動協(xié)作來進展劃線切割,再以滾輪或壓棒施壓于芯片反面,到達垂直折斷使晶粒完整分立.由于畫線及折斷的方法屬干式制造工藝(dicing須使用切削液來冷卻溫度)較不會有污,并且鋪張的材料也較少.連接起來,當半導(dǎo)體磨薄后,接著在反面鍍上光阻,借助半導(dǎo)體反面圖案和正面圖案的對準進展曝光,制作出所要的圖形,接著用干式蝕刻方式,蝕刻到正面的金屬墊(metalpad)為止,然后將光阻去除.蝕刻穿孔大致分成濕式蝕刻及干式蝕刻兩種方法,濕式蝕刻是等向性蝕刻(假設(shè)不考慮晶格構(gòu)造方向所產(chǎn)生的影響),會有底切的現(xiàn)象,使蝕刻出的底孔過大,但對金屬的蝕刻選擇性較佳.干式蝕刻可從事非等向性蝕刻,可作較高寬/深比的孔洞.MMIC的背孔工藝技術(shù),通常使用干式蝕刻,尤其是反響式離子蝕刻(reactiveionetching,RIE).常用的干式蝕刻設(shè)備,包括感應(yīng)耦合電漿蝕刻機(ICP),電子盤旋共振式電漿蝕刻機(ECR)等.當反面穿孑L完成后,就可使用濺鍍方式在反面鍍上一層薄金屬,然后再用電鍍方式鍍至所需厚度.角度太直的孔洞會使濺鍍金屬無法良好沉積于孔洞側(cè)壁,因此前制造工藝所蝕刻的孔洞需有略微的傾斜角度在反面金屬化后,再利用微影,蝕刻的制造工藝將切割道(sawstreet/scribeline)的金屬(Au)去除掉,讓后續(xù)的切割制造工藝更簡潔進展.在半導(dǎo)體切割局部可分為兩種,第一種技術(shù)為半導(dǎo)體切割技術(shù)(dicingsaw),使用旋轉(zhuǎn)刀具直522OO3,9中國臺灣地區(qū)目前有四家廠商投注于砷化銥代工雖然目前全球主要通訊IC廠商大局部均為集成器件制造商模式,自行生產(chǎn)芯片并搭配自有系統(tǒng)產(chǎn)品,4～5億支的需求且市場在將來數(shù)年仍將成長的狀況下,看好專業(yè)代工制造將有其市場空間,近年來三五族半導(dǎo)體半導(dǎo)體廠相繼成立,也使得中國臺灣地區(qū)成為全球砷化鎵專業(yè)代工的重鎮(zhèn).中國臺灣地區(qū)的砷化鎵代工業(yè)者在1998～2023年間如雨后春筍般先后投資設(shè)立,目前中國臺灣地區(qū)有四家砷化鎵代工業(yè)者:宏捷(AWSC),穩(wěn)懋(win),全球聯(lián)合通信(GeT),尚達(Suntek),6英寸砷化鎵半導(dǎo)體技術(shù)切人,宏捷,4英寸半導(dǎo)體開頭生產(chǎn),在工藝技術(shù)上大半專注于HBT制造工藝,產(chǎn)品應(yīng)用上多以手機的功率放大器為主.中國臺灣地區(qū)廠商投入砷化鎵產(chǎn)業(yè)的半導(dǎo)體代工業(yè)務(wù)廠商中,其中速度較快的穩(wěn)懋半導(dǎo)體首先2023~1億美元,6英寸砷化鎵半導(dǎo)體廠,10萬片.而在南科的宏202344英寸砷化鎵半導(dǎo)體生產(chǎn)線,目前已為美商SkyWorks代工產(chǎn)品,2mHBT的工藝技術(shù),以及量產(chǎn)制作單晶微波集成電路(MMIC)模塊.而另一家由群眾集團投資的砷化鎵代工廠全球聯(lián)合通信(a),除手機PAMMICgF,近來也樂觀接觸sAwfilter,DWDM系統(tǒng)用的AWG代工時機,并也朝向微機電方面進展.中國臺鎵代工產(chǎn)業(yè),歷2～3年的技術(shù)與市場的進展,盡管目前在技術(shù),制造工藝把握等方面多已就緒,然因產(chǎn)品認證期較長,無線通訊產(chǎn)業(yè)景氣進展低迷,市場產(chǎn)能過剩,集成器件,2O02年中國臺灣地區(qū)多數(shù)砷化鎵代工業(yè)者進展仍看不到成長.2023年各家砷化鎵半導(dǎo)體代工業(yè)者營收比較,0.6億元位居中國臺灣地區(qū)同業(yè)首位,20232023年有倍數(shù)的成長,然以整體砷化鎵產(chǎn)業(yè)來說,市場供過于求的態(tài)勢仍舊持續(xù),加上國際集成器件制造商大廠委外釋出代工訂單的意愿仍相當保守,是促使中國臺灣地區(qū)砷化鎵代工業(yè)者進展不如預(yù)期的主因.由于目前無線主要通訊技術(shù)掌控在國外大廠手中,如砷化鎵前三大廠RFMD,Vitesse,TriQuint,20