固體理論第四章晶體中缺陷_第1頁
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文檔簡介

§4.1 2、線缺陷：在三的一個方向上的尺寸很大另外兩 !!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!

!!!!!

個硅原子個原電導(dǎo)率增加103

Al

用X

Cl－-e

(aF

(b)V ＋ ＋ ＋ ＋—

－＋ ＋— －(aF

＋ ＋— －(bV改變材料的電阻形成其他晶體缺陷過飽和的空位可集中形成內(nèi)部的空洞，F(xiàn)U 1.空位

晶體中所形成的空位數(shù):n1（N>n1FUTUW N!(Nns)!ns!有：W＝W0W1SS0SkBlnWkBlnW0 SW1

N

NFnuk

nuk

N

Fd 11

F

kBTn1 exp N

kT nNexp

kT nNexp

kT N

kT NN

uf 由于u1u2，uf，所以，在一般情況下，空位是晶體

eE1

kT 1： exp kk

exp

kT E1kE1k

Dn 穩(wěn)態(tài)擴散：????/????=??

tD 端面上，厚度為，在溫度T下，使其從晶體表N 2n

t

x2n 0x

nx,0{ 0

x>

nx,tdx 解：nx,t

t t>tt 1t2 2lnnx,t

tgD

1 2n

t

x2{n(x,0)=0 x>{n(0,t)=n0 t

nx,t

2Dt

n01

Dterf(x)

2

RTD(T)DexpQRT0

lnD(T)lnD

tgRQ

dd

ja

112

16

16

D1262nN1nN1

E1D 6

6

0exp k RT DDexpQ RT0D0

0106QN0u1E1估算：a~310-10m，0~1012s-1D0~10-8m2/sD0實驗~10-4m2/sd= exp k D6

0

kT

§4.3 發(fā)生的臨界應(yīng)力?約為1010 這?數(shù)值比實驗值?出2~4個數(shù)量級 實際理論（形成位錯

二、刃位錯(棱位錯)狀態(tài)，施加較小的切變力τ，畸變后的原子將在滑移面類比 地毯?包的移 B B BA BA 類 撕相同點： ）

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