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文檔簡介
01805741.1
單晶硅晶片及單晶硅的制造方法2
01806781.6
絕緣體上的單晶硅(SOI)材料的制造方法3
02111781.0
分離單晶硅堝底料中石英的工藝4
03112137.3
單晶硅襯底上可動微機械結(jié)構(gòu)單片集成的制作方法5
02802101.0
直徑300mm及300mm以上的單晶硅晶片及其制造方法6
96120692.6
抑制長的大直徑單晶硅生長條紋的直拉生長裝置7
87103486
摻金、摻鉑單晶硅互換熱敏電阻及其制作方法8
88108387.9
單晶硅的制造方法和設(shè)備9
89103289.4
一種單晶硅壓力傳感器制造方法及其結(jié)構(gòu)10
90100791.9
單晶硅生產(chǎn)裝置11
90102475.9
制造單晶硅的設(shè)備12
91102921.4
單晶硅直徑測定法及其設(shè)備13
91102922.2
單晶硅直徑控制法及其設(shè)備14
91102924.9
單晶硅生產(chǎn)設(shè)備15
91102923.0
單晶硅生產(chǎn)設(shè)備16
91102532.4
單晶硅生產(chǎn)設(shè)備17
91102343.7
制造單晶硅的裝置18
95119376.7
單晶硅上大面積(100)取向的金剛石膜的生長方法19
96102527.1
單晶硅錠及其制造方法20
97113523.1
提拉單晶硅的裝置21
97120661.9
直拉生長單晶硅期間實時監(jiān)測和控制氧的一氧化硅探針22
97121626.6
雙電極單晶硅電容加速度傳感器及其制造方法23
98100416.4
通過控制拉速分布制造單晶硅錠和晶片的方法及其產(chǎn)品24
98116827.2
單晶硅-納米晶立方氮化硼薄膜類P-N結(jié)及其制作方法25
97113737.4
低濃度鈣雜質(zhì)的石墨支撐容器及其在制造單晶硅中的應(yīng)用26
98121350.2
單晶硅片抗機械力的提高27
98807859.7
生長富空位單晶硅的熱屏蔽組件和方法28
98807993.3
用于單晶硅生長的非Dash縮頸法29
99801049.9
形成單晶硅層的方法和制造半導(dǎo)體器件的方法30
99812088.X
熱退火后的低缺陷密度單晶硅31
99811709.9
從低缺陷密度的單晶硅上制備硅-絕緣體結(jié)構(gòu)32
01131737.X
標定單晶硅晶圓晶向的方法33
00812335.7
制備具有均勻熱過程的單晶硅的方法34
02111221.5
單晶硅片襯底的磁控濺射鐵膜合成二硫化鐵的制備方法35
200710133581.6
單晶硅高效復(fù)合切割方法及其切割系統(tǒng)36
200710047776.9
新型鋁背發(fā)射結(jié)N型單晶硅太陽電池37
200710180002.3
過渡金屬多重摻雜負溫度系數(shù)單晶硅熱敏電阻38
200710185125.6
單晶硅太陽能電池的制造方法及單晶硅太陽能電池39
200710185126.0
單晶硅太陽能電池的制造方法及單晶硅太陽能電池40
200710185123.7
單晶硅太陽能電池的制造方法及單晶硅太陽能電池41
200710185124.1
單晶硅太陽能電池的制造方法及單晶硅太陽能電池
42
200710157175.3
超聲波清洗單晶硅片方法及其裝置
43
200710151631.3
使用金屬污染及熱處理識別單晶硅中的晶體缺陷區(qū)的方法
44
200610162854.5
可反射出色域的電極結(jié)構(gòu)以及單晶硅面板與顯示裝置
45
200580050178.6
單晶硅的生長方法
46
200710018889.6
單晶硅薄膜及其組件的制備方法
47
200710192803.1
單晶硅棒制造方法和單晶硅棒結(jié)構(gòu)
48
200710063644.5
提高單晶硅太陽能電池減反射膜質(zhì)量的方法
49
200810060274.4
改善半導(dǎo)體單晶硅研磨硅片平行度的方法及其裝置
50
85100591
非線性磁場中單晶硅拉制方法及其裝置
51
85100856
制備單晶硅片表面完整層的新途徑
52
02281654.2
一種直拉法生長單晶硅用硅籽晶夾持器
53
89213391.0
區(qū)熔單晶爐單晶硅棒夾持機構(gòu)
54
93200611.6
單晶硅太陽電池微電機風(fēng)扇涼帽
55
96236137.2
單晶硅片各向異性腐蝕夾具
56
95224595.7
用于制備薄膜的單晶硅輻射式加熱器
57
97239008.1
單晶硅爐傳動軸用磁性液體密封裝置
58
00224737.2
單晶硅襯底雙面拋光片
59
00225900.1
單晶硅爐傳動軸用磁性流體密封裝置
60
01265431.0
低氧碳單晶硅復(fù)投料自卸機構(gòu)
61
200720039053.X
一種單晶硅太陽能電池絨面腐蝕槽62
200720192576.8
超聲波清洗單晶硅片裝置63
200410092027.4
一種鋅摻雜的負溫度系數(shù)單晶硅熱敏電阻64
200310116749.4
一種錳摻雜的負溫度系數(shù)單晶硅熱敏電阻65
200410096670.4
具有均勻空位缺陷的單晶硅錠和晶片及其制備方法和設(shè)備66
03808958.0
單晶硅的制造方法及單晶硅以及硅晶片67
03810538.1
單晶硅晶片及外延片以及單晶硅的制造方法68
200510023460.7
單晶硅片表面制備巰基硅烷-稀土納米復(fù)合薄膜的方法69
200510023461.1
單晶硅片表面制備磺酸基硅烷-稀土納米復(fù)合薄膜的方法70
03818379.X
提拉單晶硅用石英玻璃坩堝和制造該坩堝的方法71
200510062693.8
涂覆有金屬電鍍層的單晶硅基片和垂直磁記錄介質(zhì)72
200510059736.7
直拉單晶硅用砷摻雜劑及其制造方法以及使用該摻雜劑的單晶硅的制造方法73
03159798.X
單晶硅及SOI基板、半導(dǎo)體裝置及其制造方法、顯示裝置74
03132132.1
平板單晶硅表面的改性方法75
01821381.2
用于制備低鐵污染單晶硅的裝置和方法76
01819895.3
用于控制空位為主的單晶硅熱過程的方法77
02131185.4
一種直拉法生長單晶硅用硅籽晶夾持器78
02804207.7
用于制備具有改善的柵氧化層完整性的單晶硅的方法79
02155236.3
單晶硅太陽能電池的表面結(jié)構(gòu)及其制作方法80
200310123043.0
硅片和生產(chǎn)單晶硅的方法81
200410001382.6
單晶硅膜的制造方法
82
200310108926.4
單晶硅基片表面自組裝稀土納米膜的制備方法
83
200310124860.8
通過控制拉速分布制造單晶硅錠和晶片的方法及其產(chǎn)品
84
200510112207.9
單晶硅片表面自組裝聚電解質(zhì)-稀土納米薄膜的制備方法
85
200610004057.4
一種生產(chǎn)硅鐵、硅鈣和單晶硅的原料的加工方法
86
200510068987.1
單晶硅液晶顯示面板的驅(qū)動系統(tǒng)與方法
87
200510011753.3
單一軸向排布的單晶硅納米線陣列制備方法
88
200410042603.4
單晶硅微機械加工的電容式麥克風(fēng)及其制造方法
89
200510050335.5
用于納米光子技術(shù)的單晶硅納米膜的制備方法
90
200510027350.8
單晶硅片表面制備巰基硅烷-稀土自潤滑復(fù)合薄膜的方法
91
200510027349.5
單晶硅片表面制備磺酸基硅烷-稀土納米復(fù)合薄膜的方法
92
200510098526.9
納米晶硅/單晶硅異質(zhì)結(jié)太陽能電池及其制備方法
93
200380108637.2
利用坩堝旋轉(zhuǎn)以控制溫度梯度的制備單晶硅的方法
94
200410088609.5
一種單晶硅拋光片熱處理工藝
95
200610024981.9
單晶硅片表面氨基硅烷-稀土納米薄膜的制備方法
96
200610024980.4
單晶硅片表面磷酸基硅烷-稀土納米薄膜的制備方法
97
200610026855.7
單晶硅片表面自潔性二氧化鈦納米薄膜的制備方法
98
200610010099.9
對稱結(jié)構(gòu)雙級解耦單晶硅微機械陀螺儀
99
200610054245.8
p型單晶硅片的表面處理方法
100
200610054246.2
n型單晶硅片的表面處理方法
101
200610043184.5
單晶硅拉制爐及多晶硅冶煉爐用炭/炭隔熱屏的制備方法102
200610043185.X
單晶硅拉制爐及多晶硅冶煉爐用炭/炭加熱器的制備方法103
200610106431.1
摻雜單晶硅硅化電熔絲及其形成方法104
200610043186.4
單晶硅拉制爐用熱場炭/炭坩堝的制備方法105
200610043187.9
單晶硅拉制爐用熱場炭/炭導(dǎo)流筒的制備方法106
200610099146.1
單晶硅錠和硅片、及其生長裝置和方法107
200510092880.0
單片單晶硅微機械加工的電容式壓力傳感器108
200510092319.2
反射式單晶硅液晶面板以及使用此液晶面板的投影裝置109
200610048750.1
一種在單晶硅基底表面直接制備Cr-Si硅化物電阻薄膜的方法110
200510094904.6
單晶硅切方機構(gòu)111
200510111453.2
制作單晶硅太陽電池絨面的方法112
200510111455.1
單晶硅太陽電池絨面的制備方法113
200510136041.4
單晶硅制備中稀土鑭系基合金吸氣劑提純氬氣與氬氣回收工藝114
200610149906.5
生產(chǎn)單晶硅的方法115
200610105331.7
基于霍夫變換的直拉單晶硅棒直徑的測量方法116
200610105332.1
直拉法單晶硅生長過程中的熔體液面位置檢測方法117
200710037043.7
在單晶硅片表面制備碳納米管復(fù)合薄膜的方法118
200710037045.6
單晶硅片表面磷酸基硅烷-碳納米管復(fù)合薄膜的制備方法119
200710017915.3
單晶硅拉制爐用炭/炭保溫罩的制備方法120
200610080114.7
反射式單晶硅液晶面板121
200580006256.2
用于單晶硅連續(xù)生長的系統(tǒng)122
200710040549.3
單晶硅太陽能電池化學(xué)蝕刻、清洗、干燥的方法和它的一體化處理機123
200710023967.1
一種單晶硅太陽能電池絨面腐蝕槽124
200610028783.X
形成納米單晶硅的方法和非揮發(fā)性半導(dǎo)體存儲器制造方法125
200610029378.X
單晶硅切割廢液的處理回收方法126
200710106433.5
單晶硅的培育工藝中溶液的液面位置監(jiān)視裝置127
200810101680.0
單晶硅橫向微型MEMS皮拉尼計及其制備方法128
200810060641.0
一種低彎曲薄片單晶硅太陽電池?zé)Y(jié)工藝129
200810083479.4
單晶硅太陽能電池的制造方法及單晶硅太陽能電池130
200810023591.9
單晶硅或炭基單晶硅電極電解氧化處理有機化工污水方法131
200810011318.4
單晶硅片水基清洗劑132
200710064876.2
一種雙穩(wěn)態(tài)單晶硅梁射頻微機電系統(tǒng)開關(guān)133
200710064879.6
一種靜電推拉式單晶硅梁射頻微機電系統(tǒng)開關(guān)134
200810090977.1
單晶硅太陽能電池的制造方法及單晶硅太陽能電池135
200810111608.6
單晶硅爐傳動裝置136
200810020206.5
單晶硅太陽能電池表面處理用的制絨劑及其制造方法137
200810040645.2
混合圖形化單晶硅的絕緣層上鍺結(jié)構(gòu)、方法及應(yīng)用138
200810079251.8
單晶硅制備爐石英堝增容加料裝置139
200810042332.0
磁場下制備單晶硅太陽能電池絨面的方法140
200680051077.5
單晶硅晶片的制造方法141
200680051311.4
單晶硅晶片的制造方法142
200810145905.2
單晶硅的提拉方法143
200810213369.5
超凈工作臺及單晶硅用原料的制造方法144
200810072970.7
單晶硅正溫度系數(shù)片式熱敏電阻器及其制備方法145
200810072972.6
金和鎳摻雜單晶硅片式負溫度系數(shù)熱敏電阻及其制備方法146
200810171923.8
一種摻鎵單晶硅太陽電池及其制造方法147
200810122228.2
一種基于單晶硅片檢測紅外光譜儀穩(wěn)定性的方法148
200810170672.1
一種單晶硅片制絨的方法149
200810234626.3
一種單晶硅加料裝置150
200810200811.0
一種在單晶硅片表面制備ZrO2復(fù)合薄膜的方法151
200810122243.7
一種制備單晶硅絨面的堿腐蝕溶液及方法152
200810163097.2
單晶硅太陽電池的制絨方法153
200810163098.7
單晶硅太陽電池絨面的制備方法154
200810162544.2
一種單晶硅棒的生產(chǎn)工藝及設(shè)備155
200810240275.7
基于單晶硅PN結(jié)的非制冷紅外探測器陣列及其制備方法156
200810220602.2
透光單晶硅太陽電池的制造方法157
200780017871.2
具有單晶硅電極的電容性微機電傳感器158
200780020983.3
單晶硅片的COP產(chǎn)生原因的判定方法159
200780021544.4
單晶硅片的COP評價方法160
200810183113.4
太陽能級6寸單晶硅片切割工藝方法161
200910001026.7
單晶硅薄膜太陽電池162
200780024275.7
單晶硅的制造系統(tǒng)及使用該系統(tǒng)的單晶硅的制造方法163
200910009001.1
單晶硅襯底多結(jié)太陽電池164
200910095528.0
一種太陽能級單晶硅棒的拋光處理方法165
200910024890.9
一種制造摻鎵單晶硅太陽能電池的磷擴散方法166
200910048384.3
一種機床刀具用單晶硅片表面涂層Si3N4復(fù)合薄膜的方法167
200910097597.5
一種在單晶硅太陽能電池表面上蝕刻絨面的方法168
200910026142.4
利用含雜質(zhì)硅材料制備高純度單晶硅棒的方法及其裝置169
200910048383.9
一種在單晶硅片表面制備Si3N4復(fù)合薄膜的方法170
200780044557.3
具有逆碳分布的低缺陷碳替代單晶硅層171
200780037848.X
非易失性電荷俘獲存儲器件的單晶硅制造工藝172
200910059272.8
一種基于摩擦誘導(dǎo)構(gòu)造單晶硅表面納米凸起結(jié)構(gòu)的加工方法173
200910049740.3
單晶硅基片表面自組裝磺酸基硅烷-二氧化鈦復(fù)合膜的制備方法174
200910097219.7
單晶硅摻雜劑的生產(chǎn)工藝175
200910008161.4
單晶硅半導(dǎo)體晶片及其制造方法176
200910085898.6
一種用于單晶硅絨面制備的腐蝕液及單晶硅絨面的制備方法177
200910145260.7
單晶硅薄膜組件的制備方法178
200810220041.6
一種激光精密加工單晶硅的方法179
200910099495.7
一種單晶硅片的清洗方法180
200810123639.3
太陽能級φ6英吋無位錯單晶硅的制備方法181
200910099989.5
摻氮的定向凝固鑄造單晶硅及其制備方法182
200910099991.2
摻鍺的定向凝固鑄造單晶硅及其制備方法183
200910099990.8
在氮氣下鑄造氮濃度可控的摻氮單晶硅的方法184
200910099992.7
在氮氣下融化多晶硅制備摻氮鑄造單晶硅的方法185
200910088732.X
一種絨面單晶硅太陽能電池及其制備方法和制備系統(tǒng)186
200910181549.4
一種降低絨面單晶硅片表面反射率的方法187
200810124161.6
太陽能單晶硅切片工藝188
200810126810.6
單晶硅液晶元件及其與線路板的組裝結(jié)構(gòu)189
200910181550.7
一種用于單晶硅絨面制備的碳酸鹽和苛性堿的混合溶液190
200910139507.4
二氧化硅玻璃坩堝和用二氧化硅玻璃坩堝提拉單晶硅的方法191
200880006135.1
單晶硅芯片的制造方法192
200910091826.2
一種制備單晶硅絨面的腐蝕液及方法193
200910091827.7
一種制備單晶硅絨面的方法194
200910183007.0
制備單晶硅絨面的方法195
200910152753.3
一種低表面反射率的單晶硅太陽電池絨面制作工藝196
200910182714.8
一種改進型單晶硅棒切斷機197
200910182715.2
一種改進的用于單晶硅棒的夾持機構(gòu)198
200910182701.0
一種單晶硅棒切方工藝199
200910196144.8
在單晶硅基片表面制備Co3O4復(fù)合薄膜的方法及用途200
200910187632.2
用于單晶硅片化學(xué)機械拋光的拋光液201
200910172897.5
單晶硅半導(dǎo)體晶片及其制造方法202
200910197094.5
單晶硅片表面磷酸基硅烷-CdSe復(fù)合薄膜的制備方法203
200910035633.5
一種用于單晶硅絨面制備的正磷酸鹽和苛性堿的混合溶液204
200880022738.0
重摻雜的單晶硅襯底中的氧沉淀的抑制205
201010186977.9
非晶硅/單晶硅異質(zhì)結(jié)太陽能電池鋁背電場制備方法206
201010205614.5
嵌入式單晶硅腔體的六邊形硅膜壓阻式壓力傳感器及方法207
200910057250.8
形成交替的P型和N型單晶硅結(jié)構(gòu)的方法208
200910057253.1
提升SONOS數(shù)據(jù)保持能力的單晶硅無損傷隧穿窗口集成方法209
200910027873.0
一種大直徑低氧碳太陽能單晶硅片的制備方法210
201010259895.2
光伏用單晶硅的摻雜方法211
200910099022.7
一種單晶硅太陽能電池的絨面制作方法212
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200810107257.1
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200910175320.X
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