半導(dǎo)體物理智慧樹知到期末考試答案章節(jié)答案2024年北京理工大學(xué)

半導(dǎo)體物理智慧樹知到期末考試答案+章節(jié)答案2024年北京理工大學(xué)雙極晶體管中共射極電流增益截止頻率fβ比共基極電流增益截止頻率fα低得多。（）

答案:對(duì)正偏PN結(jié)耗盡層邊界處少子濃度隨正偏電壓增加而線性增加。（）

答案:錯(cuò)增量電阻隨著偏置電流的增加而減小，并與pn結(jié)的I-V特性曲線的斜率成正比。（）

答案:錯(cuò)NPN雙極晶體管共基接法中輸入電流隨著輸出電壓UCE的增加而增加。（）

答案:錯(cuò)肖特基勢(shì)壘二極管中的電流是由多數(shù)載流子通過(guò)熱電子發(fā)射躍遷內(nèi)建電勢(shì)差而形成的。（）

答案:對(duì)半導(dǎo)體材料是固體材料的一種，其導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間，電阻率約在106-10-2Ω.cm之間。（）

答案:對(duì)pn結(jié)二極管的小信號(hào)模型最重要的兩個(gè)參數(shù)是擴(kuò)散電阻和擴(kuò)散電容。（）

答案:對(duì)外延生長(zhǎng)法是在單晶襯底表面上生長(zhǎng)一層薄單晶的工藝，分同質(zhì)外延（在同種材料的襯底上生長(zhǎng)）和異質(zhì)外延延。（）

答案:錯(cuò)正偏壓時(shí)，隧道二極管的正向電流由隧穿電流和擴(kuò)散電流兩部分組成。（）

答案:對(duì)PN結(jié)擊穿機(jī)制有（）。

答案:缺陷引發(fā)的擊穿;隧道擊穿;熱擊穿;雪崩擊穿影響PN結(jié)伏安特性的因素（）。

答案:串聯(lián)電阻的影響;大注入的影響;溫度的影響;空間電荷的影響以下關(guān)于PN結(jié)的描述，正確的的選項(xiàng)是（）。

答案:PN結(jié)具有單向?qū)щ娦?PN結(jié)加反向偏壓時(shí)，勢(shì)壘區(qū)內(nèi)載流子產(chǎn)生率大于復(fù)合率微電子器件中使用的半導(dǎo)體材料一般為固體材料，固體材料按照導(dǎo)電性不同可分為（）。

答案:絕緣體;導(dǎo)體;半導(dǎo)體由不同的禁帶寬度構(gòu)成的異質(zhì)結(jié)，其能量關(guān)系包括（）。

答案:交錯(cuò);錯(cuò)層;跨騎NPN雙極晶體管的共基接法為（）。

答案:基極B和集電極C構(gòu)成輸出端;發(fā)射極E和基極B構(gòu)成輸入端雙極晶體管的結(jié)構(gòu)參數(shù)會(huì)影響器件的哪些特性（）。

答案:電流放大系數(shù)α0;基區(qū)輸運(yùn)系數(shù);發(fā)射效率;電流放大系數(shù)β0Si-PN結(jié)中若NA=1017/cm3、ND=1015/cm3，其自建電勢(shì)為（）。

答案:0.7V常見的兩種歐姆接觸不包括（）。

答案:肖特基接觸對(duì)于晶格常數(shù)為5.28?的簡(jiǎn)立方結(jié)構(gòu)，最近平行間距為3.05?的晶面是（）

答案:（111）下列哪種化學(xué)鍵的相互作用力最弱（）。

答案:范德華鍵要形成肖特基勢(shì)壘金屬電極的功函數(shù)和半導(dǎo)體的功函數(shù)關(guān)系為（）。

答案:金屬比半導(dǎo)體功函數(shù)大nMOSFET溫度特性中閾值電壓主要取決于（）。

答案:費(fèi)米勢(shì)Φfp的溫度系數(shù)NPN雙極晶體管交流情況下共射接法下的截止頻率fβ正確的為（）。

答案:電流放大系數(shù)降到其低頻值時(shí)的0.707倍NPN雙極晶體管交流情況下共射接法下的特征頻率正確的為（）。

答案:共射電流放大系數(shù)降到1時(shí)所對(duì)應(yīng)的頻率肖特基二極管與pn結(jié)二極管的開關(guān)時(shí)間哪個(gè)大（）。

答案:pn結(jié)二極管下列哪種半導(dǎo)體材料屬于III-V族化合物類（）。

答案:GaAs結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管包括下面哪種器件（）。

答案:MESFETPIN光電二極管I區(qū)空間電荷區(qū)較大，瞬時(shí)光電流會(huì)比普通光電流大很多。（）

答案:對(duì)與半導(dǎo)體相比，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需要的能量比半導(dǎo)體的大。（）

答案:對(duì)增量電阻等同于擴(kuò)散電阻。（）

答案:對(duì)異質(zhì)結(jié)一個(gè)的特性是能在表面形成勢(shì)井。在與表面垂直的反向上，電子的活動(dòng)會(huì)受到勢(shì)井的限制，但電子在其他兩個(gè)方向上可以自由地流動(dòng)。（）

答案:對(duì)Czochralski方法是單晶生長(zhǎng)的通用技術(shù)，籽晶材料接觸到液相的同種材料表面，固液界面上發(fā)生凝固。（）

答案:對(duì)閾值電壓為MOSFET的溝道是否導(dǎo)通的參考電壓。（）

答案:對(duì)n區(qū)與p區(qū)都為簡(jiǎn)并摻雜的pn結(jié)稱為隧道二極管。（）

答案:對(duì)NPN雙極晶體管共基接法中輸入電流IE隨著輸入電壓UBE的增加而減小。（）

答案:錯(cuò)以PN+結(jié)為例，下列哪項(xiàng)可以提高PN結(jié)開關(guān)速度（）。

答案:降低正向電流;減小P區(qū)少子的壽命影響PN結(jié)雪崩擊穿的因素（）。

答案:表面狀態(tài);外延層厚度;擴(kuò)散結(jié)結(jié)深;雜質(zhì)的濃度PN結(jié)接觸電勢(shì)差和哪些因素有關(guān)（）。

答案:N區(qū)摻雜ND;溫度T;半導(dǎo)體材料類型;P區(qū)摻雜NA對(duì)于單邊突變結(jié)，提高雪崩擊穿的方法有（）。

答案:降低輕摻雜一側(cè)摻雜濃度;選用禁帶寬度更大的半導(dǎo)體材料雙極晶體管提高開關(guān)速度的外部措施包括（）。

答案:工作在臨界飽和狀態(tài);選擇較小的集電極串聯(lián)電阻RC;加大基極電流IB;增大基極抽取電流微電子器件中使用的半導(dǎo)體材料一般為固體材料，固體材料按照晶形不同可分為（）。

答案:單晶;無(wú)定形;多晶NPN雙極晶體管的交流情況下放大能力下降的原因?yàn)椋ǎ?/p>

答案:集電結(jié)勢(shì)壘區(qū)渡越過(guò)程中的衰減;基區(qū)輸運(yùn)過(guò)程中擴(kuò)散電容的充放電電流;發(fā)射結(jié)發(fā)射過(guò)程中的勢(shì)壘電容充放電電流;集電區(qū)輸運(yùn)過(guò)程中對(duì)集電結(jié)勢(shì)壘電容的充放電電流對(duì)于單邊突變結(jié)，正確的的選項(xiàng)是（）。

答案:P區(qū)和N區(qū)兩邊的摻雜濃度有數(shù)量級(jí)的差別;內(nèi)建電勢(shì)主要降落在輕摻雜一側(cè);耗盡層寬度主要在輕摻雜一側(cè)雙極晶體管的開關(guān)特性有（）。

答案:關(guān)態(tài)截止：工作點(diǎn)位于截止區(qū);開態(tài)導(dǎo)通：工作點(diǎn)位于飽和區(qū)在正偏pn結(jié)中，以下說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。

答案:擴(kuò)散電容比其反偏時(shí)的結(jié)勢(shì)壘電容要低3-4個(gè)數(shù)量級(jí)。NPN雙極晶體管的共基輸入電流IE與輸出電壓UCB的關(guān)系（）。

答案:隨著UCB增加而減小面心立方，體心立方和金剛石晶格中的原子數(shù)分別為（）。

答案:4，2，8下列針對(duì)鈣鈦礦結(jié)構(gòu)描述中錯(cuò)誤的是（）。

答案:晶格氧活性無(wú)法調(diào)節(jié)下列關(guān)于固體中的雜質(zhì)和缺陷描述錯(cuò)誤的是（）。

答案:摻雜與晶體缺陷沒(méi)有關(guān)系具有高共射電流放大系數(shù)異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)（）。

答案:發(fā)射區(qū)比基區(qū)材料的禁帶寬度大下列哪一項(xiàng)關(guān)于半導(dǎo)體物理與器件的科研成果沒(méi)有獲得諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)（）

答案:發(fā)明COM場(chǎng)效應(yīng)晶體管SrTiO3是一種鈣鈦礦金屬氧化物絕緣體，為改善其導(dǎo)電性使其成為半導(dǎo)體可以摻雜Y形成Sr（）YxTiO3化合物，這屬于哪種摻雜類型。

答案:替位雜質(zhì)下列針對(duì)閃鋅礦結(jié)構(gòu)描述中錯(cuò)誤的是（）。

答案:屬于體心晶系下列哪種方法屬于熔融體中生長(zhǎng)單晶半導(dǎo)體材料（）。

答案:直拉法下列哪種化學(xué)鍵的相互作用力最強(qiáng)（）。

答案:共價(jià)鍵對(duì)于晶格常數(shù)為5.28?的簡(jiǎn)立方結(jié)構(gòu)，最近平行間距為3.73?的晶面是（）。

答案:（110）影響肖特基勢(shì)壘高度的因素為（）。

答案:鏡像力，表面態(tài)在光電轉(zhuǎn)換過(guò)程中，硅材料一般不如砷化鎵量子效率高，因其（）。

答案:禁帶是間接躍遷型熱電子發(fā)射現(xiàn)象基于以下哪種假設(shè)（）。

答案:勢(shì)壘高度遠(yuǎn)大于kT將雜質(zhì)離子束加速到具有高能量后射向半導(dǎo)體材料表面的制造工藝是（）。

答案:離子注入光電探測(cè)器的靈敏度主要取決于其暗電流大小。（）

答案:對(duì)一般半導(dǎo)體器件使用溫度不能超過(guò)一定的溫度.這是因?yàn)檩d流子濃度主要來(lái)源于_________，而將_________忽略不計(jì)。（）

答案:雜質(zhì)電離，本征激發(fā)用愛因斯坦光子說(shuō)來(lái)解釋光電效應(yīng)時(shí)正確的說(shuō)法是（）。

答案:每一個(gè)光電子都是吸收光子后跑出來(lái)的;光電子的能量由光子頻率決定，與光的強(qiáng)度及光波的振幅無(wú)關(guān)單晶硅太陽(yáng)能電池主要由（）組成。

答案:P型層;背面電極;N型層;正面電極;表面減反層MESFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管的M表示（）。

答案:金屬柵增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管在柵極不加偏壓時(shí)，溝道處于導(dǎo)通狀態(tài)。（）

答案:錯(cuò)理想的晶體管特性有（）。

答案:增益與正向電流和電壓無(wú)關(guān);在放大區(qū)特性曲線間的間隔是均勻的;零壓降下傳導(dǎo)電流;零漏電流關(guān)斷狀態(tài)下阻斷電壓制造晶體管一般是在高雜質(zhì)濃度的n型襯底上外延一層n型的外延層，再在外延層中擴(kuò)散硼、磷而成。n型硅單晶襯底是摻銻的，銻的電離能為0.039eV，室溫下時(shí)的EF位于導(dǎo)帶底下方0.026eV處，半導(dǎo)體的狀態(tài)為（）。

答案:弱簡(jiǎn)并MIS結(jié)構(gòu)發(fā)生多子積累時(shí)，表面的導(dǎo)電類型與體材料的類型（）。

答案:相同嵌在摻雜適度的無(wú)表面態(tài)n型硅上做歐姆電極，以下四種金屬中最適合的是（）。

答案:金屬和半導(dǎo)體接觸分為（）。

答案:整流的肖特基接觸和非整流的歐姆接觸如圖所示的P型半導(dǎo)體MIS結(jié)構(gòu)的C-V特性圖中，AB段代表______，CD段代表______。（）

答案:多子積累；多子耗盡；強(qiáng)電場(chǎng)效應(yīng)會(huì)使半導(dǎo)體器件的載流子速度達(dá)到飽和，還可能使載流子成為熱載流子，影響器件性能。半導(dǎo)體器件的熱載流子由于具備高能量，常常會(huì)導(dǎo)致載流子進(jìn)入介質(zhì)層；熱載流子可與晶格發(fā)生碰撞電離，利用這一原理可以制備雪崩二極管器件。（）

答案:對(duì)當(dāng)pn結(jié)作為光電二極管使用時(shí)，經(jīng)常加反向偏置作為電流源，這時(shí)它工作在I-V曲線的第__象限。（）

答案:三光探測(cè)器在pn結(jié)電流電壓特性曲線中的工作區(qū)間與太陽(yáng)能電池相同。（）

答案:錯(cuò)在pn結(jié)中，p區(qū)的多子是空穴，少子是電子。（）

答案:對(duì)太陽(yáng)能電池工作在pn結(jié)電流電壓特性曲線的第（）象限。

答案:IV影響pn結(jié)內(nèi)建電勢(shì)差的因素有__________等參數(shù)，在相同條件下半導(dǎo)體材料Si、Ge和GaAs中__________的內(nèi)建電勢(shì)差VD最大。（）

答案:摻雜濃度、溫度、材料，GaAs反向偏置pn結(jié)，當(dāng)電壓升高到某值時(shí)，反向電流急劇增加，這種現(xiàn)象稱為pn結(jié)擊穿，主要的擊穿機(jī)理有（）。

答案:雪崩擊穿;隧道擊穿太陽(yáng)能電池本身就是一個(gè)pn結(jié)。（）

答案:對(duì)一塊半導(dǎo)體材料，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，其中非平衡載流子的壽命為τ。若光照忽然停止，經(jīng)過(guò)τ時(shí)間后，非平衡載流子全部消失。（）

答案:錯(cuò)對(duì)于大注入下的直接輻射復(fù)合，非平衡載流子的壽命與（）。

答案:非平衡載流子濃度成反比在一定溫度下，光照在半導(dǎo)體材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照穩(wěn)定后，由于電子空穴對(duì)的產(chǎn)生率與復(fù)合率相等，所以稱為熱平衡狀態(tài)，有統(tǒng)一的費(fèi)米能級(jí)。（）

答案:錯(cuò)電中性是內(nèi)建電場(chǎng)產(chǎn)生的原因。只要破壞了電中性，就會(huì)產(chǎn)生擴(kuò)散與漂移電流并存的情形，（）會(huì)導(dǎo)致內(nèi)建電場(chǎng)。

答案:選項(xiàng)ABC都是

答案:有效復(fù)合中心的能級(jí)必靠近（）

答案:禁帶中部半導(dǎo)體中由于濃度差引起的載流子的運(yùn)動(dòng)為（）。

答案:擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)半導(dǎo)體載流子在輸運(yùn)過(guò)程中，會(huì)受到各種散射機(jī)構(gòu)的散射，主要散射機(jī)構(gòu)有（）。

答案:晶格振動(dòng)散射;位錯(cuò)散射;載流子間的散射;中性雜質(zhì)散射;等價(jià)能谷間散射;電離雜質(zhì)散射載流子在電場(chǎng)作用下的運(yùn)動(dòng)為（）。

答案:漂移運(yùn)動(dòng)半導(dǎo)體中載流子擴(kuò)散系數(shù)的大小決定于其中的（）。

答案:散射機(jī)構(gòu)如果一半導(dǎo)體的導(dǎo)帶中發(fā)現(xiàn)電子的幾率為零.那么該半導(dǎo)體必定（）。

答案:處于絕對(duì)零度若某半導(dǎo)體導(dǎo)帶中發(fā)現(xiàn)電子的幾率為零，則該半導(dǎo)體必定（）。

答案:處于絕對(duì)零度把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?會(huì)有氮取代部分的磷.這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。

答案:產(chǎn)生等電子陷阱對(duì)于只含一種雜質(zhì)的非簡(jiǎn)并n型半導(dǎo)體.費(fèi)米能級(jí)EF隨溫度上升而（）。

答案:經(jīng)過(guò)一個(gè)極大值趨近Ei雜質(zhì)對(duì)于半導(dǎo)體導(dǎo)電性能有很大影響.下面哪兩種雜質(zhì)分別摻雜在硅中能顯著地提高硅的導(dǎo)電性能（）。

答案:硼或磷與半導(dǎo)體相比較.絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）。

答案:比半導(dǎo)體的大半導(dǎo)體導(dǎo)帶中的電子濃度取決于導(dǎo)帶的（）。

答案:狀態(tài)密度;費(fèi)米分布函數(shù)鍺的晶格結(jié)構(gòu)和能帶結(jié)構(gòu)分別是（）。

答案:金剛石型和間接禁帶型砷化鎵是直接能隙半導(dǎo)體，硅和鍺是間接能隙半導(dǎo)體。（）

答案:對(duì)薛定諤波動(dòng)方程（）。

答案:是量子力學(xué)的一個(gè)基本假定量子力學(xué)中，針對(duì)具體量子狀態(tài)，不同力學(xué)量不能同時(shí)有確定值。（）

答案:錯(cuò)量子力學(xué)僅討論在經(jīng)典物理中存在的力學(xué)量。（）

答案:錯(cuò)量子力學(xué)的建立始于人們對(duì)光的波粒二象性的認(rèn)識(shí)。（）

答案:對(duì)量子力學(xué)只是描述微觀世界運(yùn)動(dòng)規(guī)律的科學(xué)。（）

答案:錯(cuò)半導(dǎo)體的晶格結(jié)構(gòu)式多種多樣的，常見的Ge和Si材料，其原子均通過(guò)共價(jià)鍵四面體相互結(jié)合，屬于_____結(jié)構(gòu)；與Ge和Si晶格結(jié)構(gòu)類似，兩種不同元素形成的化合物半導(dǎo)體通過(guò)共價(jià)鍵四面體還可以形成_____和_