全球半導(dǎo)體測(cè)試探針行業(yè)市場(chǎng)研究報(bào)告2024

全球半導(dǎo)體測(cè)試探針行業(yè)市場(chǎng)研究報(bào)告（2024-2028）44一、半導(dǎo)體測(cè)試探針行業(yè)基本概念與發(fā)展概況二、半導(dǎo)體測(cè)試探針在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的地位三、半導(dǎo)體測(cè)試探針行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局與市場(chǎng)規(guī)模目錄一、半導(dǎo)體測(cè)試探針行業(yè)基本概念與發(fā)展概況二、半導(dǎo)體測(cè)試探針在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的地位三、半導(dǎo)體測(cè)試探針行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局與市場(chǎng)規(guī)模半導(dǎo)體測(cè)試探針基本概念半導(dǎo)體測(cè)試探針主要應(yīng)用于半導(dǎo)體的芯片設(shè)計(jì)驗(yàn)證、晶圓測(cè)試、成品測(cè)試環(huán)節(jié)，是連通芯片/晶圓與測(cè)試設(shè)備進(jìn)行信號(hào)傳輸?shù)暮诵牧悴考?，?duì)半導(dǎo)體產(chǎn)品的質(zhì)量控制起著重要的作用。資料來(lái)源：Uresearch整理資料來(lái)源：先得利、Uresearch整理5半導(dǎo)體測(cè)試探針產(chǎn)品結(jié)構(gòu)探針一般由針頭、針尾、彈簧、外管四個(gè)基本部件經(jīng)精密儀器鉚壓預(yù)壓之后形成。由于半導(dǎo)體產(chǎn)品的體積較小，尤其是芯片產(chǎn)品的尺寸非常細(xì)微，探針的尺寸要求達(dá)到微米級(jí)別，是一種高端精密電子元器件，其制造技術(shù)含量高。在晶圓或芯片測(cè)試時(shí)，探針一般用于晶圓/芯片引腳或錫球與測(cè)試機(jī)之間的精密連接，實(shí)現(xiàn)信號(hào)傳輸以檢測(cè)產(chǎn)品的導(dǎo)通、電流、功能和老化情況等性能指不同用途的探針外觀有所不同，但探針內(nèi)部基本上都有精密的彈簧結(jié)構(gòu)，產(chǎn)品表面一般鍍金，具有很強(qiáng)的防腐蝕性、電氣性能、穩(wěn)定性和耐久性。作為半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備中的關(guān)鍵部件，探針的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)（如針頭形狀）、針頭材質(zhì)（如鎢、鈹銅）、彈力大小等均對(duì)探針的穩(wěn)定性、細(xì)微化、信號(hào)傳導(dǎo)精確度等有影響，進(jìn)而影響探針的測(cè)試精度。資料來(lái)源：LEENO677半導(dǎo)體測(cè)試探針產(chǎn)品分類(lèi)懸臂式探針為借由橫向懸臂提供探針針部在接觸待測(cè)半導(dǎo)體產(chǎn)品時(shí)適當(dāng)?shù)目v向位移，以避垂直式探針可對(duì)應(yīng)高密度信號(hào)接點(diǎn)的待測(cè)半導(dǎo)體產(chǎn)品的細(xì)間距排列，并借由針體本身的彈性變形提供針尖在接觸待測(cè)半導(dǎo)體產(chǎn)品所需的縱向位資料來(lái)源：Uresearch整理資料來(lái)源：Uresearch整理88半導(dǎo)體測(cè)試探針產(chǎn)品分類(lèi)按照探針材料劃分，常見(jiàn)的有鎢探針、鈹銅探針及鎢錸合金探針。其中，鎢錸合金探針接觸電阻較穩(wěn)定，同時(shí)兼顧硬度和柔韌性，不容易出現(xiàn)探針偏斜，因此鎢錸合金探針是現(xiàn)階段通用的性能良好的探針。按照探針工作頻率來(lái)劃分，探針?lè)譃橥S探針和普通探針。其中，同軸探針用于對(duì)測(cè)試頻率較為敏感的測(cè)試環(huán)境；普通探針用于對(duì)信號(hào)衰減不敏感的測(cè)試環(huán)境。同軸探針類(lèi)似同軸線，探針外圍包含一個(gè)銅管的保護(hù)層，銅管普通探針為裸露在空氣中的合金探針，為了防止走線交叉短路，硬度阻抗較鎢探針接觸電阻比鎢稍高資料來(lái)源：Uresearch整理資料來(lái)源：Uresearch整理探針在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的地位由于半導(dǎo)體產(chǎn)品的生產(chǎn)工藝十分繁雜，任何工序的差錯(cuò)都可能導(dǎo)致出現(xiàn)大量產(chǎn)品質(zhì)量不合格，并對(duì)終端應(yīng)用產(chǎn)品的性能造成重大影響，探針是半導(dǎo)體測(cè)試中所需的重要耗材，通過(guò)與測(cè)試機(jī)、分選機(jī)、探針臺(tái)配合使用，用于設(shè)計(jì)驗(yàn)證、晶圓測(cè)試、成品測(cè)試環(huán)節(jié)，篩選出產(chǎn)品設(shè)計(jì)缺陷和制造缺陷，在確保產(chǎn)品良率、控制成本、指導(dǎo)芯片設(shè)計(jì)和工藝改進(jìn)等方面具有重要作用。越早發(fā)現(xiàn)有缺陷的裸芯片越好，對(duì)樣片進(jìn)行功對(duì)樣片進(jìn)行功探針對(duì)芯片/器件進(jìn)行性能及功能測(cè)試，盡可能把壞片IDMIDM廠商試，保證出廠產(chǎn)品的良率IDMIDM廠商封測(cè)廠資料來(lái)源：Uresearch整理9探針在晶圓測(cè)試中的使用晶圓測(cè)試（ChipProbing，簡(jiǎn)稱CP是指用探針對(duì)生產(chǎn)加工完成后的晶圓產(chǎn)品上的芯片或半導(dǎo)體元器件功能進(jìn)行測(cè)試，驗(yàn)證是否符合產(chǎn)品規(guī)格。晶圓測(cè)試屬于“晶圓級(jí)”工藝，數(shù)千顆甚至數(shù)萬(wàn)顆裸芯片高度集成于一張晶圓上，需要大量的探針頻繁地接觸晶圓上的芯片。資料來(lái)源：偉測(cè)科技、Uresearch整理測(cè)試過(guò)程需要探針臺(tái)和測(cè)試機(jī)配合使用，探針臺(tái)將晶圓逐片自動(dòng)傳送至測(cè)試位置，芯片的引腳通過(guò)探針、專(zhuān)用連接線與測(cè)試機(jī)的功能模塊進(jìn)行連接，測(cè)試機(jī)對(duì)芯片施加輸入信號(hào)并采集輸出信號(hào)，判斷芯片功能和性能是否達(dá)到設(shè)計(jì)規(guī)范要求。測(cè)試結(jié)果通過(guò)通信接口傳送給探針臺(tái)，探針臺(tái)據(jù)此對(duì)芯片進(jìn)行打點(diǎn)標(biāo)記，形成晶圓結(jié)果映射圖（Mapping），盡可能將無(wú)效的芯資料來(lái)源：偉測(cè)科技、Uresearch整理探針在成品測(cè)試中的使用成品測(cè)試（FinalTest，簡(jiǎn)稱FT），又稱終測(cè)，是指對(duì)封裝完成后的芯片進(jìn)行功能和電參數(shù)測(cè)試，保證出廠的每顆芯片的功能和性能指標(biāo)能夠達(dá)到設(shè)計(jì)規(guī)范要求。封裝后的芯片被包裹在塑料、陶瓷等封裝材料中，只有芯片的引腳暴露在外面。探針需要與封裝后的引腳進(jìn)行接觸，而引腳的形狀、尺寸和排列方式會(huì)因封裝方式的不同而不同。芯片設(shè)計(jì)驗(yàn)證的測(cè)試環(huán)節(jié)與成品測(cè)試環(huán)節(jié)較為相似。資料來(lái)源：偉測(cè)科技、Uresearch整理資料來(lái)源：Uresearch整理測(cè)試過(guò)程需要分選機(jī)和測(cè)試機(jī)的配合使用，分選機(jī)將被測(cè)芯片逐個(gè)自動(dòng)傳送至測(cè)試工位，被測(cè)芯片的引腳通過(guò)安裝在測(cè)試座上的探針與測(cè)試機(jī)的功能模塊進(jìn)行連接，測(cè)試機(jī)對(duì)芯片施加輸入信號(hào)并采集輸出信號(hào)，判斷芯片功能和性能是否達(dá)到設(shè)計(jì)規(guī)范要求。測(cè)試結(jié)果通過(guò)通信接口傳送給分選機(jī)，分選機(jī)據(jù)此對(duì)被測(cè)芯片進(jìn)行標(biāo)記、分選、晶圓測(cè)試屬于晶圓級(jí)工藝，對(duì)于測(cè)試作業(yè)的潔凈等級(jí)、精細(xì)程度、大數(shù)據(jù)分析能力等要求較高，測(cè)試難度較大。成品測(cè)試屬于芯片級(jí)工藝，對(duì)于潔凈等級(jí)、精細(xì)程度要求較晶圓測(cè)試低，但測(cè)試內(nèi)容更多、測(cè)試作業(yè)工作量封裝好的成品芯片，封裝之后，批量因產(chǎn)品而異側(cè)重于芯片基本電學(xué)性能測(cè)試局，常采用陣列式設(shè)計(jì)染使用壽命），對(duì)精度影響因素度資料來(lái)源：Uresearch整理從制作工藝來(lái)看，傳統(tǒng)探針一般通過(guò)對(duì)特定合金進(jìn)行拉絲、機(jī)械隨著先進(jìn)制程晶圓測(cè)試對(duì)于單位面積引腳測(cè)試數(shù)量增多，探針間測(cè)試間距要求愈發(fā)變小，使用傳統(tǒng)方法制作直徑小且一致性良好的探針極具挑戰(zhàn)。而基于微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）制造技術(shù)的MEMS探針通常采用光刻、刻蝕、微電鑄等工藝制造，其探針結(jié)構(gòu)和尺寸精確統(tǒng)一，具有更好的一致性和集成性。傳統(tǒng)探針最小直徑約40μm，批量生產(chǎn)細(xì)直徑探針的成本高昂。采用MEMS工藝能準(zhǔn)確地制作微米級(jí)結(jié)構(gòu)，能輕松獲得直徑在25.4μm以下的探針，使用MEMS工藝加工的探針，能夠同時(shí)滿足細(xì)間距、彈性測(cè)試范圍、高針數(shù)和高密度等測(cè)試需求。目前，MEMS工藝探針在全球資料來(lái)源：AMST、Uresearch整理探針對(duì)半導(dǎo)體封測(cè)環(huán)節(jié)的影響良率不僅代表晶圓廠自身的核心競(jìng)爭(zhēng)力，也間接反應(yīng)國(guó)家的集成電路技術(shù)水平。根據(jù)芯片大小的不同，一片晶圓可以切下數(shù)百上千甚至幾萬(wàn)顆芯片，達(dá)到設(shè)計(jì)性能和功能要求的有效芯片才能交付使用；有效芯片占晶圓片上的總芯片數(shù)量的比例，被稱為成品率或良率。良率越高，一片晶圓的商業(yè)價(jià)值就越高。晶圓測(cè)試、成品測(cè)試環(huán)節(jié)關(guān)于產(chǎn)品良率的相關(guān)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，可用于指導(dǎo)芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造和封裝環(huán)節(jié)的工藝改進(jìn)，同時(shí)有助于提升國(guó)家芯片整體制造晶圓測(cè)試屬于高速運(yùn)動(dòng)下的精密控制，晶圓在高速步進(jìn)情況下，探針需要在極小的測(cè)試觸點(diǎn)（引腳/Pad）范圍內(nèi)，連接測(cè)試機(jī)的功能模塊進(jìn)行功能和性能測(cè)試，探針針痕的大小、深度和位置偏差都需要精確控制，針痕太大、過(guò)深、偏移等任何一項(xiàng)超出規(guī)格，都將造成晶圓報(bào)廢。隨著晶圓測(cè)試對(duì)于大電流、高頻、窄間距、高密度、低阻抗等要求越來(lái)越高，基于MEMS微機(jī)電加工工藝的探針，其探針卡線路簡(jiǎn)單，可根據(jù)特定需求研發(fā)探針，更適用于高階的測(cè)試需求。探針對(duì)半導(dǎo)體封測(cè)環(huán)節(jié)的影響探針是應(yīng)用在半導(dǎo)體產(chǎn)品測(cè)試環(huán)節(jié)中的重要器件，其品質(zhì)的優(yōu)劣對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)品的測(cè)試效果、生產(chǎn)效率以及生產(chǎn)成本控制都有著重要的影響。探針產(chǎn)品的品質(zhì)主要體現(xiàn)在測(cè)試頻寬、產(chǎn)品尺寸、加工精度、可負(fù)載電流、耐久度等方面。1隨著電子設(shè)備的信號(hào)頻率將越來(lái)越高，用于檢測(cè)半導(dǎo)體芯片的探針必須要能夠適應(yīng)高頻條件下的測(cè)試環(huán)境，并且在高頻條件下盡2隨著電子元器件的尺寸越來(lái)越小，用于測(cè)試的探針也需要在尺寸上進(jìn)一步減小以適應(yīng)電子設(shè)備和元器件小型化的趨勢(shì)。對(duì)于該項(xiàng)），3探針的加工精度對(duì)探針的尺寸控制、彈性壓力穩(wěn)定、阻值控制、鏈接穩(wěn)定等多個(gè)方面產(chǎn)生影響，進(jìn)而影響到芯片最終的實(shí)際測(cè)試效果，尺寸誤差較大的探針除了可能導(dǎo)致測(cè)試結(jié)果不準(zhǔn)確外，甚至可能破壞測(cè)試器件的表面。因此，在大批量生產(chǎn)的條件下的加工精度是衡量探針供應(yīng)商工藝能力的重要指標(biāo)，也是客戶挑選供應(yīng)4隨著近年來(lái)電子設(shè)備的工作效率越來(lái)越高，電子設(shè)備內(nèi)部的工作電流也越來(lái)越大。用于半導(dǎo)體芯片和元器件測(cè)試的探針必須具備較大電流的承載能力，否則將導(dǎo)致其在測(cè)試過(guò)程中5半導(dǎo)體封測(cè)產(chǎn)線上，探針的故障將導(dǎo)致整條封測(cè)產(chǎn)線停工數(shù)個(gè)小時(shí)用于排除故障和恢復(fù)運(yùn)行，因此探針的使用壽命對(duì)客戶端生產(chǎn)效率有著較大的影響，同時(shí)該指標(biāo)也考驗(yàn)探針生產(chǎn)企業(yè)對(duì)高硬度材料的加工能力，是探針生產(chǎn)企業(yè)技術(shù)水平和客戶挑選探針供應(yīng)資料來(lái)源：Uresearch整理探針、探針卡與探針臺(tái)探針通過(guò)與探針卡（測(cè)試座）、探針臺(tái)（分選機(jī)）結(jié)合應(yīng)用于半導(dǎo)體產(chǎn)品的測(cè)試環(huán)節(jié)，是探針卡和測(cè)試座中的核心組成部分，價(jià)值量占比或高達(dá)50%。探針卡主要由PCB（印刷線路板）、探針探針臺(tái)主要由X-Y向工作臺(tái)、可編程承片臺(tái)、探針卡、針卡支架、打點(diǎn)器、探邊資料來(lái)源：興森科技、東京精密、Uresearch整理探針卡對(duì)于探針的數(shù)量需求探針是探針卡的重要組成部分，探針數(shù)量從幾十到幾千根不等。在測(cè)試過(guò)程中，探針不斷地高速運(yùn)動(dòng)接觸芯片引腳實(shí)現(xiàn)信號(hào)傳輸并完成測(cè)試。不同探針的使用壽命在數(shù)千到數(shù)十萬(wàn)次不等，達(dá)到使用壽命或出現(xiàn)故障時(shí)需要及時(shí)更換，是半導(dǎo)體產(chǎn)品測(cè)試所需的重要耗材。不同類(lèi)型探針卡的特點(diǎn)及其對(duì)于探針的數(shù)量需求如下：體積較大，換針相對(duì)麻煩定資料來(lái)源：Uresearch整理探針作為半導(dǎo)體產(chǎn)品測(cè)試的關(guān)鍵部件，處于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中游的測(cè)試設(shè)備及其零部件制造行業(yè)。探針行業(yè)的上游為金屬加工、電鍍行業(yè)，下游為芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造及晶圓代工、封裝與測(cè)試行業(yè)。經(jīng)測(cè)試達(dá)到設(shè)計(jì)規(guī)范要求的半導(dǎo)體產(chǎn)品最終應(yīng)用于消費(fèi)電子、汽車(chē)電子、通訊設(shè)備等眾多領(lǐng)域。金屬加工業(yè)金屬加工業(yè)資料來(lái)源：Uresearch整理半導(dǎo)體測(cè)試探針半導(dǎo)體測(cè)試探針行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局半導(dǎo)體測(cè)試探針按應(yīng)用領(lǐng)域的不同，測(cè)試探針市場(chǎng)可細(xì)分為半導(dǎo)體測(cè)試探針、PCB測(cè)試探針、ICT在線測(cè)試探針等類(lèi)型。其中，半導(dǎo)體測(cè)試探針技術(shù)難度較高，不僅是尺寸更加細(xì)微，同時(shí)也有更多的功能性測(cè)試要求，目前主要被歐美、日韓、臺(tái)灣等地區(qū)的廠商占據(jù)主要市場(chǎng)；PCB測(cè)試探針和ICT在線測(cè)試探針技術(shù)難度相對(duì)較低，主要應(yīng)用于基本的可靠性測(cè)試要求，國(guó)內(nèi)企業(yè)布局較多，競(jìng)爭(zhēng)也較為激烈。PCB測(cè)試探針I(yè)CT在線測(cè)試探針資料來(lái)源：先得利、Uresearch整理半導(dǎo)體測(cè)試探針行業(yè)內(nèi)主要企業(yè)目前，半導(dǎo)體測(cè)試探針，尤其是晶圓測(cè)試探針主要被海外廠商占據(jù)，國(guó)內(nèi)企業(yè)主要對(duì)應(yīng)PCB測(cè)試探針、ICT測(cè)試探針等中低端領(lǐng)域，以及半導(dǎo)體成品測(cè)試探針。半導(dǎo)體測(cè)試探針業(yè)務(wù)規(guī)模較大的企業(yè)主要如下：MicronicsJapan韓國(guó)LEENOJapanElectronicMaterialsCorporationPogoPIN連接器、晶圓測(cè)試探針、ICT測(cè)試探針1、SmithsInterconnect財(cái)政年結(jié)束日為7月31日。2、匯率?。?美元=7.10元人民幣；1歐元=7.72元人民幣；資料來(lái)源：各公司年報(bào)，Uresearch整理1英鎊=9.20元人民幣；1日元=0.0467元人民幣；1韓元=0.0052元人民幣；1新臺(tái)幣=0.21元人民幣。半導(dǎo)體測(cè)試探針下游客戶情況探針作為探針卡的重要組成部分以及半導(dǎo)體測(cè)試環(huán)節(jié)的重要耗材，下游客戶主要包括半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備廠商、芯片設(shè)計(jì)廠商、IDM廠商、晶圓代工廠、封測(cè)廠等不同類(lèi)型企業(yè)。三星電子、臺(tái)積電、美光、SK海力士、鎧俠資料來(lái)源：Uresearch整理全球半導(dǎo)體測(cè)試探針行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模2023年，受庫(kù)存調(diào)整及需求疲軟影響，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)較2022年有所下滑，半導(dǎo)體測(cè)試探針行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模也隨之降至13.78億美元，較2022年同比下降10.8%2024年，在人工智能計(jì)算的推動(dòng)下，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)開(kāi)始回暖，半導(dǎo)體測(cè)試探針市場(chǎng)預(yù)計(jì)將增長(zhǎng)15.3%，規(guī)13.29模達(dá)15.89億美元。20182019202020212022數(shù)據(jù)來(lái)源：Uresearch展望未來(lái)，隨著人工智能、高性能計(jì)算（HPC）、新能源汽車(chē)和工業(yè)應(yīng)用等產(chǎn)業(yè)對(duì)芯片產(chǎn)量需求的持續(xù)攀升，全球半導(dǎo)體測(cè)試探針的反彈趨勢(shì)預(yù)計(jì)將延續(xù)至2026年，屆時(shí)市場(chǎng)規(guī)模將突破2020182019202020212022數(shù)據(jù)來(lái)源：Uresearch我國(guó)半導(dǎo)體測(cè)試探針行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模隨著全球半導(dǎo)體產(chǎn)能不斷向我國(guó)大陸地區(qū)轉(zhuǎn)移，封裝測(cè)試業(yè)2018-2028年中國(guó)半導(dǎo)體測(cè)試探針市場(chǎng)規(guī)模（億元）已成為我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)鏈中最具競(jìng)爭(zhēng)力的環(huán)節(jié)，其快速發(fā)展有力地促進(jìn)了我國(guó)半導(dǎo)體測(cè)試探針的市場(chǎng)需求。2023年，受全球半導(dǎo)體整體市場(chǎng)下滑影響，我國(guó)半導(dǎo)體測(cè)試探針市場(chǎng)規(guī)模也出現(xiàn)下滑，降至16.40億元，較2022年同比下降10.27%。而隨著半導(dǎo)體市場(chǎng)需求的回暖，預(yù)計(jì)2024年我國(guó)半導(dǎo)體測(cè)試探針市場(chǎng)將達(dá)到19.03億元，同比增長(zhǎng)16.05%。2018201920202021202220232024E2025E數(shù)據(jù)來(lái)源：Uresearch未來(lái)，在國(guó)產(chǎn)替代浪潮的推動(dòng)下，加之本土晶圓產(chǎn)線建設(shè)的持續(xù)推進(jìn)，以及人工智能發(fā)展帶動(dòng)芯片需求增加與性能提升等多重因素綜合作用，我國(guó)半導(dǎo)體測(cè)試探針市場(chǎng)規(guī)模將在2028年達(dá)到數(shù)據(jù)來(lái)源：Uresearch半導(dǎo)體測(cè)試探針行業(yè)發(fā)展驅(qū)動(dòng)力驅(qū)動(dòng)力之一：封測(cè)業(yè)快速發(fā)展帶動(dòng)半導(dǎo)體測(cè)試探針在半導(dǎo)體芯片的產(chǎn)業(yè)鏈中，我國(guó)在芯片設(shè)計(jì)和晶圓的生產(chǎn)制造技術(shù)方面與世界先進(jìn)水平存在較大差距，國(guó)內(nèi)企業(yè)主要將封測(cè)領(lǐng)域作為芯片制造的切入點(diǎn)，使得我國(guó)的芯片封測(cè)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展較為迅速。2010年以前，我國(guó)本土封測(cè)企業(yè)只有不到20家。2022年，我國(guó)半導(dǎo)體封測(cè)企業(yè)已達(dá)到1382家，且全球封測(cè)產(chǎn)業(yè)十強(qiáng)中大陸企業(yè)占據(jù)3席，包括長(zhǎng)電科技、通富微電與華天科技。同時(shí)，我國(guó)集成電路封測(cè)業(yè)的市場(chǎng)規(guī)模也從2016年的1,564億元增長(zhǎng)至2022年的2,995億元，復(fù)合年增長(zhǎng)率達(dá)11.43%。2016201720182019數(shù)據(jù)來(lái)源：中國(guó)半導(dǎo)體協(xié)會(huì)半導(dǎo)體測(cè)試探針行業(yè)發(fā)展驅(qū)動(dòng)力6根據(jù)國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SEMI）數(shù)據(jù)，2024年全球預(yù)計(jì)新增晶圓廠60座，其中已在中國(guó)大陸投入運(yùn)營(yíng)的有19座、開(kāi)工建設(shè)的有6座。此外，預(yù)計(jì)中國(guó)大陸300mm晶圓廠將由2024數(shù)據(jù)來(lái)源：SEMI，Uresearch整理半導(dǎo)體測(cè)試探針行業(yè)發(fā)展驅(qū)動(dòng)力未來(lái)，受芯片制程提升以及先進(jìn)封裝等因素驅(qū)動(dòng)，半導(dǎo)體測(cè)試探針數(shù)量逐步增多、價(jià)值量逐步提高是發(fā)展趨勢(shì)。一方面，隨著晶圓尺寸與工藝制程的同步發(fā)展，單片晶圓上承載的芯片數(shù)量增加，其晶圓測(cè)試對(duì)于探針的數(shù)量需求也隨之增加。另一方面，隨著電子設(shè)備朝著小型化、高性能化發(fā)展，集成電路日益向高密度、高精度邁進(jìn)，芯片尺寸不斷縮小，需要并