芯片實習(xí)報告

1、芯片工藝流程學(xué)習(xí)報告，白光PSS鏡面板40BC五版光刻Sputter ITO反射電極，芯片前段工藝，下料工序：1.投入檢查2 .脫In球(HCL) 3.投入清洗(4h2so4:h2o2)abe-即PECVD (蒸鍍站) 生長cbl-2000 a的目的：作為臺面蝕刻屏蔽層和電流阻搖滾樂層(CBL )結(jié)構(gòu)，采用芯片前段工藝、MEA圖案光刻格拉夫：1.HMDS SiO2、PR、PR、PR、芯片前段工藝， ICP:1.ICP蝕刻2 .去污清洗3.ICP深度測定目的： n-GaN露出，n制作，p電極去污前去污后，P-GaN電極容易完全進入CBL結(jié)構(gòu)。 P-GaN、MQW、n-GaN、sapphire、P

2、R、SiO2、PR、芯片前段工藝、CBL圖案蝕刻：1.sio2(氟化銨：氫氟酸20:1現(xiàn)在工廠內(nèi)的ITO涂層技術(shù)為E-beam 通常，尺寸大、需要高亮度者使用sputter，而E-beam亮度需求低、或尺寸小的芯片ITO透射率測定： 96.3%電阻率： 86.6、芯片前段工藝、TCL圖形微影技術(shù)(ITO微影技術(shù))1.單邊Mesa 2.Mesa和ITO之間的距離越小，發(fā)光面積越大，因此亮度越好。 但是，該數(shù)值接近極限，如果有進一步增加則變得不穩(wěn)定的風(fēng)險的TCL圖案蝕刻(ITO蝕刻) ITO在側(cè)壁上腐蝕不干凈，則Ir成材率降低，or Vf4降低。 重的話就死燈，再加工也不一定能完全恢復(fù)，確認后需要

3、用脫膠液脫膠。 芯片前段工藝、ITO光電微影技術(shù)ITO蝕刻去污、芯片前段工藝、ITO合金： ITO退火RTA目的：1.高溫合金(alloy )方式使其材料成分中氧所占的比例增加，使ITO膜處于高透射率狀態(tài)。 2 .高溫合金條件能夠?qū)崿F(xiàn)ITO與p層半導(dǎo)體的良好的電接觸，也能夠使LED的工作電壓最小化。 電影由黃色變成了白色。 芯片前段工藝，PAD圖案光刻：正裝PN光刻負膠，其侑都是正膠。 目的：金屬電極鍍層區(qū)域暴露，其佟預(yù)不需金屬部分鍍層就用負負性光刻膠復(fù)蓋。 顯影不干凈，殘留負性光刻膠的話，之后會發(fā)生電極脫落現(xiàn)象，但是，電極脫落不是由于顯影不良造成的。 芯片前段工藝，Cr/Au蒸鍍：蒸鍍PN，

4、CrAlTiPtAu-1.5m Ti:1-2條，Al:1-2條，Pt:4條，Au根據(jù)厚度和坩堝重量加入6/9。 PECVD2:生長SIO2:PSV-760A PAS圖形蝕刻目的： SiO2為了復(fù)蓋PN電極的接合區(qū)域，為了接合必須露出電極層，因此需要再次使結(jié)賬臺應(yīng)力均勻，之后進行腐蝕。 PR、PR、芯片前段工藝、PAS圖案蝕刻PSV去污、芯片前段工藝、備份點：1.測試2 .陣容：云推送測試3 .自檢4 .質(zhì)量備份點、芯片后段工藝、 研磨1 .加壓蒸發(fā)制冷2 .研磨：用目標(biāo)厚度170m的金剛石穿山鼠透平機使基板迅速變薄到規(guī)定的厚度3 .研磨：用目標(biāo)厚度150m的金剛石研磨液使基板逐漸變薄的同時，除

5、去因磨刀石造成的損傷層4.CMP40BC研磨東鱗西爪率高，芯片前段工藝，背鍍DBR :電鍍材質(zhì)： sio2(n:1.5)/ti305(n:2.7 )，芯片后段工藝，切割：1.貼片：表面向上沿著膜2切割道切割4 .提升：沿激光切割的痕跡使用提升機完全分離芯片5 .提升：將完全分離的芯片從表面薄膜反轉(zhuǎn)為背面薄膜，容易檢查6 .擴張薄膜：擴大藍薄膜方式，增大芯片間距離，容易篩選芯片常見的光電性異常原因：電壓(Vf):ITO鍍膜、金屬鍍膜、RTA退火、P-GAN損傷、ITO側(cè)蝕、梳齒斷裂、SIO2蝕刻不良、ICP深度反常的等。 亮度(Iv): ITO鍍膜、金屬鍍膜、RTA退火、P-GAN損傷、ITO側(cè)蝕刻、梳齒斷裂、發(fā)光區(qū)域污染漏電(Ir ) :殘馀金屬、版偏移、ITO腐蝕不良、ICP蝕刻異常。 小電流電壓(Vf4):SIO2涂層膜、DBR涂層膜、O2plasma打膠等。 抗靜電能力(ESD ) :剝離膠、ITO退火、SPUTTER鍍膜、ITO腐蝕不良等。 芯片后段工藝、篩選：用不同的光電特性(例如：波長、亮度、電壓等)對晶片上的芯進行分類篩選