高中化學(xué)選修三34

1、第四節(jié)第四節(jié) 離子晶體離子晶體（離子化合物的固態(tài)形式）（離子化合物的固態(tài)形式）CaFCaF2 2的晶胞的晶胞金屬金屬晶體晶體分子分子晶體晶體原子原子晶體晶體思考并討論：思考并討論：氯化鈉晶體的構(gòu)成微粒是什么氯化鈉晶體的構(gòu)成微粒是什么?構(gòu)構(gòu)成晶體的微粒間的相互作用力是什么？成晶體的微粒間的相互作用力是什么？一、離子鍵一、離子鍵221rQQKF 隨堂練習(xí)隨堂練習(xí):1、下列敘述錯(cuò)誤的是（、下列敘述錯(cuò)誤的是（ ） A、帶相反電荷離子之間的相互吸引稱為離子鍵、帶相反電荷離子之間的相互吸引稱為離子鍵 B、金屬元素與非金屬元素化合時(shí)，不一定形成、金屬元素與非金屬元素化合時(shí)，不一定形成 離子鍵離子鍵 C、某元

2、素的原子最外層只有、某元素的原子最外層只有1個(gè)電子個(gè)電子,它跟鹵素它跟鹵素相互結(jié)合時(shí)所形成的化學(xué)鍵不一定是離子鍵相互結(jié)合時(shí)所形成的化學(xué)鍵不一定是離子鍵 D、非金屬原子間不可能形成離子鍵、非金屬原子間不可能形成離子鍵A D2、下列有關(guān)離子化合物的說(shuō)法正確的是、下列有關(guān)離子化合物的說(shuō)法正確的是( ) A、離子化合物中一定含有金屬元素，含金屬、離子化合物中一定含有金屬元素，含金屬 元素的化合物一定是離子化合物元素的化合物一定是離子化合物 B、離子鍵只存在于離子化合物中，離子化合、離子鍵只存在于離子化合物中，離子化合物中一定含有離子鍵物中一定含有離子鍵 C、離子化合物中不可能含有共價(jià)鍵、離子化合物中不

3、可能含有共價(jià)鍵 D、離子化合物受熱熔化破壞化學(xué)鍵，吸收熱量，、離子化合物受熱熔化破壞化學(xué)鍵，吸收熱量， 屬于化學(xué)變化屬于化學(xué)變化B D 重晶石重晶石 BaSO4 瑩石瑩石 CaF2 膽礬膽礬 CuSO45H2O 明礬明礬 KAl(SO4)212H2O二、離子晶體二、離子晶體NaClNaCl晶體晶體NaNa+ +ClCl- -u有無(wú)單個(gè)分子存在有無(wú)單個(gè)分子存在?無(wú)無(wú)單個(gè)分子存在單個(gè)分子存在;NaCl不不表示分子式。表示分子式。Na+Cl-Cl-Na+Na+Na+Cl-Cl-Na+Cl-Na+Na+Cl-Cl-Na+Cl-Na+Cl-Na+Cl-Cl-Na+Na+Na+Cl-Cl-Na+比 例 模

4、 型4 4、常見(jiàn)的離子晶體晶胞類型：、常見(jiàn)的離子晶體晶胞類型：（1）NaCl型晶胞型晶胞鈉離子和氯離子在晶胞中的位置？鈉離子和氯離子在晶胞中的位置？氯離子：體心和棱心氯離子：體心和棱心鈉離子：鈉離子：頂點(diǎn)頂點(diǎn)和和面心面心NaNa+ +ClCl- -交錯(cuò)排列，或者反之交錯(cuò)排列，或者反之Na+Cl-Cl-Na+Na+Na+Cl-Cl-Na+Cl-Na+Na+Cl-Cl-Na+Cl-Na+Cl-Na+Cl-Cl-Na+Na+Na+Cl-Cl-Na+每個(gè)每個(gè)NaClNaCl晶胞含晶胞含NaNa+ +、ClCl- -的個(gè)數(shù)的個(gè)數(shù)? ?Na+:4216818Cl-:414112【離子晶體中離子的配位數(shù)離子

5、晶體中離子的配位數(shù)( (縮寫(xiě)為縮寫(xiě)為C.N.)C.N.)是是指指一個(gè)離子周圍一個(gè)離子周圍最鄰近最鄰近的的異電性離子異電性離子的數(shù)目的數(shù)目】Na+的配位數(shù)為：的配位數(shù)為：Cl-的配位數(shù)為：的配位數(shù)為：66NaClNaCl晶體中陰、陽(yáng)離子配位數(shù)晶體中陰、陽(yáng)離子配位數(shù)Na+Cl-315624154236晶體中，與晶體中，與距離最近的距離最近的共有共有 個(gè)。個(gè)。 -Cl- Na+NaClNaCl的晶體結(jié)構(gòu)模型的晶體結(jié)構(gòu)模型面心立方面心立方晶胞晶胞.每個(gè)每個(gè)Na+緊鄰緊鄰6個(gè)個(gè)Cl-，每個(gè)，每個(gè)Cl-緊鄰緊鄰6個(gè)個(gè)Na+，這，這6個(gè)離子構(gòu)成一個(gè)個(gè)離子構(gòu)成一個(gè)正八面體正八面體。每。每個(gè)個(gè)Na+與與12個(gè)個(gè)

6、Na+等距離緊鄰等距離緊鄰. 簡(jiǎn)單立方結(jié)構(gòu)。簡(jiǎn)單立方結(jié)構(gòu)。Na+和和Cl-交替占據(jù)立方體的頂交替占據(jù)立方體的頂點(diǎn)而向空間延伸點(diǎn)而向空間延伸 在晶體中，每個(gè)在晶體中，每個(gè)Na+同時(shí)著同時(shí)著6個(gè)個(gè)Cl-，每個(gè)，每個(gè)Cl-也也同時(shí)吸引著同時(shí)吸引著6個(gè)個(gè)Na+，陰、陽(yáng)離子的配位數(shù)均為，陰、陽(yáng)離子的配位數(shù)均為6 與與Na+最近等距離的最近等距離的Cl-所圍成的空間構(gòu)型為所圍成的空間構(gòu)型為正八正八面體面體在每個(gè)在每個(gè)Na+周圍最近的等距離的周圍最近的等距離的Na+有有12個(gè)個(gè)（同層（同層4個(gè)、上層個(gè)、上層4個(gè)、下層個(gè)、下層4個(gè)）個(gè)） NaCl晶胞中含晶胞中含Na+4個(gè)，個(gè)，Cl-4個(gè)。個(gè)。Na+與與Cl-

7、個(gè)數(shù)個(gè)數(shù)比為比為4:4=1：1，化學(xué)式，化學(xué)式NaCl是表示該離子晶體中是表示該離子晶體中離子的個(gè)數(shù)比離子的個(gè)數(shù)比NaClNaCl的晶體結(jié)構(gòu)的晶體結(jié)構(gòu)思考思考1.NaCl晶體中，每個(gè)晶體中，每個(gè)Na+周周 圍最近距離的圍最近距離的Cl-有有 個(gè)？個(gè)？ 每個(gè)每個(gè)Cl-周圍最近距離的周圍最近距離的 Na+有有 個(gè)？個(gè)？2.在在NaCl晶體中，每個(gè)晶體中，每個(gè)Na+周周 圍最近距離的圍最近距離的Na+有有 個(gè)個(gè)3.氯化鈉的化學(xué)式用氯化鈉的化學(xué)式用“NaCl”來(lái)表示，原因何在？能否來(lái)表示，原因何在？能否 把把“NaCl”稱為分子式？稱為分子式？ 4.每個(gè)晶胞中平均有每個(gè)晶胞中平均有 個(gè)個(gè)Na+？ 個(gè)個(gè)

8、Cl-（位于頂（位于頂 點(diǎn)、棱邊、面心、體心上的粒子對(duì)該晶胞的貢獻(xiàn)）點(diǎn)、棱邊、面心、體心上的粒子對(duì)該晶胞的貢獻(xiàn)）5.該晶胞中，若該晶胞中，若Na+和和Cl-間的最近距離為間的最近距離為0.5ax10-10m， 則晶體的密度則晶體的密度= 66121244ClNa+039/a3 （g/cm3）2 21 13 34 4銫離子和氯離子的位置？銫離子和氯離子的位置？銫離子：銫離子：氯離子：氯離子：每個(gè)晶胞含銫離子、氯離每個(gè)晶胞含銫離子、氯離子的個(gè)數(shù)？子的個(gè)數(shù)？銫離子：銫離子：氯離子：氯離子：或者反之或者反之1個(gè)個(gè)1個(gè)個(gè)體心體心頂點(diǎn)頂點(diǎn)ClCl- -CsCs+ +（2）CsCl型晶胞型晶胞 簡(jiǎn)單立方簡(jiǎn)單

9、立方晶胞晶胞.每個(gè)每個(gè)Cs+緊鄰緊鄰8個(gè)個(gè)Cl-，每個(gè)，每個(gè)Cl-緊鄰緊鄰8個(gè)個(gè)Cs+，這，這8個(gè)離子構(gòu)成一個(gè)個(gè)離子構(gòu)成一個(gè)正立方體正立方體。每個(gè)。每個(gè)Cs+與與6個(gè)個(gè)Cs+等距離緊鄰等距離緊鄰. Cs+的配位數(shù)為：的配位數(shù)為：Cl-的配位數(shù)為：的配位數(shù)為：88CsCl晶體中陰、陽(yáng)離子的晶體中陰、陽(yáng)離子的配位數(shù)配位數(shù)-Cs+-Cl-與銫離子距離最近的銫離子有與銫離子距離最近的銫離子有 個(gè)個(gè)6(3)ZnS型晶胞型晶胞陽(yáng)離子的配位數(shù)：陽(yáng)離子的配位數(shù)：陰離子的配位數(shù)：陰離子的配位數(shù)：一個(gè)一個(gè)ZnS晶胞中含：晶胞中含： 個(gè)陽(yáng)離子、個(gè)陽(yáng)離子、 4444（4）CaF2 (螢石螢石)型晶胞型晶胞Ca2+的配

10、位數(shù)：的配位數(shù)：F-的配位數(shù)：的配位數(shù)：2）配位數(shù)）配位數(shù)4個(gè)個(gè)Ca2+和和8個(gè)個(gè)F-CaF2晶體中晶體中Ca2+ 和和F-的位置關(guān)系如何的位置關(guān)系如何? ? CaF2晶胞中含晶胞中含Ca2+ 、F-個(gè)數(shù)個(gè)數(shù)是多少是多少? ?84Ca2+F-3）晶胞中含）晶胞中含Ca2+ 、F-個(gè)數(shù)個(gè)數(shù)1、下列各指定微粒的數(shù)目之比不是、下列各指定微粒的數(shù)目之比不是1:1的是的是 A、Na2O2晶體中的陰離子和陽(yáng)離子晶體中的陰離子和陽(yáng)離子 B、NaHCO3晶體中的鈉離子和碳酸氫根離子晶體中的鈉離子和碳酸氫根離子 C、 離子中的質(zhì)子和中子離子中的質(zhì)子和中子 D、NH4Cl溶液中銨根離子和氯離子溶液中銨根離子和氯離

11、子2、CaF2 晶體中正離子的配位數(shù)晶體中正離子的配位數(shù)8,負(fù)離子的配負(fù)離子的配位數(shù)為位數(shù)為 。TiO2晶體中正離子的配位數(shù)為晶體中正離子的配位數(shù)為6，負(fù)離子的配，負(fù)離子的配位數(shù)為多少？位數(shù)為多少？ZnS晶體中負(fù)離子的配位數(shù)是晶體中負(fù)離子的配位數(shù)是4,正離子的配位正離子的配位數(shù)為多少？數(shù)為多少？43422412MgA D離子晶體的結(jié)構(gòu)特征：離子晶體的結(jié)構(gòu)特征：（1 1）陰、陽(yáng)離子間只存在離子鍵陰、陽(yáng)離子間只存在離子鍵（2 2）不存在小分子，化學(xué)式僅表示晶）不存在小分子，化學(xué)式僅表示晶體中陰、陽(yáng)離子個(gè)數(shù)比的最簡(jiǎn)化體中陰、陽(yáng)離子個(gè)數(shù)比的最簡(jiǎn)化（3 3）陰、陽(yáng)離子采用不等徑圓球的密）陰、陽(yáng)離子采用不

12、等徑圓球的密堆積方式堆積方式5、離子晶體物理性質(zhì)特點(diǎn)、離子晶體物理性質(zhì)特點(diǎn)：(1) (1) 熔點(diǎn)和沸點(diǎn)熔點(diǎn)和沸點(diǎn)較高，難揮發(fā)、難于壓縮。較高，難揮發(fā)、難于壓縮。(2) (2) 硬而脆，無(wú)延展性硬而脆，無(wú)延展性(4) (4) 導(dǎo)電性：固體不導(dǎo)電，水溶液或者熔融狀態(tài)導(dǎo)電性：固體不導(dǎo)電，水溶液或者熔融狀態(tài)下能導(dǎo)電。下能導(dǎo)電。(3) (3) 溶解性：一般易溶于水，而難溶于非極性溶解性：一般易溶于水，而難溶于非極性溶劑溶劑。 結(jié)合氯化鈉晶體的結(jié)構(gòu)結(jié)合氯化鈉晶體的結(jié)構(gòu),閱讀課本閱讀課本P79最后一段，最后一段，你認(rèn)為離子晶體物理性質(zhì)有何特點(diǎn)你認(rèn)為離子晶體物理性質(zhì)有何特點(diǎn)?一般離子帶電荷越多一般離子帶電荷越

13、多,離子半徑越小離子半徑越小,熔沸點(diǎn)越高。熔沸點(diǎn)越高。661:1881:1找出找出NaCl、CsCl兩種離子晶體中兩種離子晶體中陽(yáng)離子和陰離子的配位數(shù)，它們是否相等？陽(yáng)離子和陰離子的配位數(shù)，它們是否相等？ NaCl、CsCl都是堿金屬元素的氯化物都是堿金屬元素的氯化物,且都且都是是AB型，為什么它們的配位數(shù)卻不相同呢型，為什么它們的配位數(shù)卻不相同呢? NaCl、 CsCl陰陽(yáng)離子配位數(shù)的比值都是陰陽(yáng)離子配位數(shù)的比值都是1:1的關(guān)系的關(guān)系,原因是什么呢原因是什么呢? 分析表分析表3-53-5、表、表3-6,3-6,你能得出影響離子晶體中你能得出影響離子晶體中離子配位數(shù)的什么因素？離子配位數(shù)的什么

14、因素？ 晶體中正負(fù)離子的的半徑比晶體中正負(fù)離子的的半徑比(r+/r-)(r+/r-)是決定是決定離子晶體結(jié)構(gòu)的重要因素，簡(jiǎn)稱離子晶體結(jié)構(gòu)的重要因素，簡(jiǎn)稱幾何因素幾何因素。一般一般組成相似的離子晶體，正負(fù)離子的半徑比越大組成相似的離子晶體，正負(fù)離子的半徑比越大, ,配位數(shù)越多。配位數(shù)越多。7 7、決定離子晶體結(jié)構(gòu)的因素、決定離子晶體結(jié)構(gòu)的因素（1）幾何因素）幾何因素（2 2）電荷因素）電荷因素CaF2晶胞晶胞例：例：CaF2的晶體中，的晶體中，Ca2和和F的個(gè)數(shù)之比的個(gè)數(shù)之比_，電荷數(shù)之比，電荷數(shù)之比_，Ca2配位數(shù)是配位數(shù)是_，F(xiàn)的配位數(shù)是的配位數(shù)是_。正負(fù)離子的電荷比也是正負(fù)離子的電荷比也是

15、影影響響離子晶體的配位數(shù)的重要離子晶體的配位數(shù)的重要因素，稱為電荷因素因素，稱為電荷因素。1:22:184正負(fù)離子電荷比正負(fù)離子電荷比=正負(fù)離子的配位正負(fù)離子的配位數(shù)比數(shù)比=正負(fù)離子的數(shù)目反比正負(fù)離子的數(shù)目反比（3 3）鍵性因素）鍵性因素離子鍵的純粹因素離子鍵的純粹因素科學(xué)視野科學(xué)視野含復(fù)雜離子的離子晶體含復(fù)雜離子的離子晶體碳酸鹽在一定溫度下發(fā)生分解的規(guī)律？碳酸鹽在一定溫度下發(fā)生分解的規(guī)律？碳酸鹽熱分解的實(shí)質(zhì)：碳酸鹽熱分解的實(shí)質(zhì)：組成碳酸鹽的陽(yáng)離組成碳酸鹽的陽(yáng)離子的金屬性越弱、子的金屬性越弱、陽(yáng)離子的半徑越小，碳酸鹽陽(yáng)離子的半徑越小，碳酸鹽的熱穩(wěn)定性越差，反之越好。的熱穩(wěn)定性越差，反之越好。離

16、子晶體中陽(yáng)離子離子晶體中陽(yáng)離子的半徑越小，結(jié)合碳酸根中的氧離子越容易。的半徑越小，結(jié)合碳酸根中的氧離子越容易。NaClCsCl熔點(diǎn)熔點(diǎn)沸點(diǎn)沸點(diǎn) 801 645 1413 1290 為什么為什么NaCl的熔沸點(diǎn)比的熔沸點(diǎn)比CsCl高？高？結(jié)論結(jié)論: :對(duì)于組成和結(jié)構(gòu)相似的物質(zhì)，陰、陽(yáng)離子對(duì)于組成和結(jié)構(gòu)相似的物質(zhì)，陰、陽(yáng)離子半徑越小，半徑越小，所帶電荷越多，所帶電荷越多，離子鍵越強(qiáng)，熔沸點(diǎn)離子鍵越強(qiáng)，熔沸點(diǎn)較高，晶體越穩(wěn)定。較高，晶體越穩(wěn)定。 離子鍵的強(qiáng)弱在一定程度上可以用離子晶體的晶離子鍵的強(qiáng)弱在一定程度上可以用離子晶體的晶格能來(lái)衡量。格能來(lái)衡量。 1 1、概念：氣態(tài)離子形成、概念：氣態(tài)離子形成

17、1 1摩爾離子晶體釋放的摩爾離子晶體釋放的能量能量或或指拆開(kāi)指拆開(kāi)1mol1mol離子晶體使之形成氣態(tài)陰離子離子晶體使之形成氣態(tài)陰離子和氣態(tài)陽(yáng)離子所吸收的能量和氣態(tài)陽(yáng)離子所吸收的能量三、晶格能三、晶格能 晶格能越大，形成的離子晶體越穩(wěn)定；熔點(diǎn)越晶格能越大，形成的離子晶體越穩(wěn)定；熔點(diǎn)越高；硬度越大。高；硬度越大。 晶格能的大小與陰、陽(yáng)離子所帶晶格能的大小與陰、陽(yáng)離子所帶電荷的乘積電荷的乘積成成正正比比，與陰、陽(yáng)離子間的，與陰、陽(yáng)離子間的距離距離成成反比反比3 3、規(guī)律：規(guī)律：2 2、表示：符號(hào)為、表示：符號(hào)為U U 單位是單位是KJ/mol ,KJ/mol ,取正值取正值4 4、影響因素、影響因

18、素 離子晶體中陰、陽(yáng)離子半徑越小，所帶電荷越多，離子晶體中陰、陽(yáng)離子半徑越小，所帶電荷越多，離子鍵越強(qiáng)，晶格能越大離子鍵越強(qiáng)，晶格能越大5、晶格能的作用：晶格能的作用： （1 1）晶格能越大，離子晶體越穩(wěn)定，離子晶體的）晶格能越大，離子晶體越穩(wěn)定，離子晶體的熔沸點(diǎn)越高，硬度越大。熔沸點(diǎn)越高，硬度越大。（2 2）巖漿晶出規(guī)則與晶格能的關(guān)系）巖漿晶出規(guī)則與晶格能的關(guān)系 晶格能越大，更容易在巖漿冷卻過(guò)程中冷卻下晶格能越大，更容易在巖漿冷卻過(guò)程中冷卻下來(lái)，從而先結(jié)晶來(lái)，從而先結(jié)晶 某晶體的濃度越早達(dá)到飽和，越早析出某晶體的濃度越早達(dá)到飽和，越早析出 SiO2析出：總是在硅酸鹽析出后才晶出，原因析出：總

19、是在硅酸鹽析出后才晶出，原因有有1)1)石英的晶格能較小，石英的晶格能較小，2)2)不容易在巖漿中達(dá)到不容易在巖漿中達(dá)到飽和濃度，只有在硅酸鹽析出后才能達(dá)到飽和飽和濃度，只有在硅酸鹽析出后才能達(dá)到飽和 晶格能的數(shù)據(jù)可以用來(lái)說(shuō)明許多典型的離子晶體晶格能的數(shù)據(jù)可以用來(lái)說(shuō)明許多典型的離子晶體的物理化學(xué)性質(zhì)的變化規(guī)律。的物理化學(xué)性質(zhì)的變化規(guī)律。練習(xí)練習(xí) ：1 1、下表列出了有關(guān)晶體的知識(shí)，其中錯(cuò)誤的是（）、下表列出了有關(guān)晶體的知識(shí)，其中錯(cuò)誤的是（）2 2、下列物質(zhì)的晶體，按其熔點(diǎn)由低到高的排列順序正確、下列物質(zhì)的晶體，按其熔點(diǎn)由低到高的排列順序正確的是（）的是（） A AN NC C、S SO O2

20、2、COCO2 2B BN NC C、COCO2 2、S SO O2 2 C CN NC C、M MO O、S SO O2 2D DN NC C、S SO O2 2、M MO OBC3 3、下列物質(zhì)中，化學(xué)式能準(zhǔn)確表示該物質(zhì)分子組成的是、下列物質(zhì)中，化學(xué)式能準(zhǔn)確表示該物質(zhì)分子組成的是 A.NHA.NH4 4Cl B.SiOCl B.SiO2 2 C.P C.P4 4 D.Na D.Na2 2SOSO4 4C4、某離子晶體晶胞的結(jié)構(gòu)如圖所示某離子晶體晶胞的結(jié)構(gòu)如圖所示X()位于立方體頂點(diǎn)，位于立方體頂點(diǎn)，Y()位于立方體位于立方體中心。試分析：中心。試分析：(1)晶體中每個(gè)晶體中每個(gè)Y同時(shí)吸引著

21、同時(shí)吸引著 個(gè)個(gè)X，每個(gè)每個(gè)X同時(shí)吸引著同時(shí)吸引著 個(gè)個(gè)Y，該晶體的化學(xué)式為該晶體的化學(xué)式為 。(2)晶體中每個(gè)晶體中每個(gè)X周圍與它最接近且距離相周圍與它最接近且距離相等的等的X共有共有 個(gè)。個(gè)。(3)晶體中距離最近的晶體中距離最近的2個(gè)個(gè)X與與1個(gè)個(gè)Y形成的形成的 夾角夾角XYX是是 。(4)設(shè)該晶體的摩爾質(zhì)量為設(shè)該晶體的摩爾質(zhì)量為M g/mol，晶體密度，晶體密度為為 g/cm3，阿伏加德羅常數(shù)的值為，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，則晶體中兩個(gè)距離最近的則晶體中兩個(gè)距離最近的X中心間距為中心間距為 cm?！疽?guī)律方法】一、四種晶體的比較【規(guī)律方法】一、四種晶體的比較電荷數(shù)越大，半徑越小電荷數(shù)越大

22、，半徑越小分子的極性越大分子的極性越大例題：下列各物質(zhì)中，按熔點(diǎn)由高到低的順序例題：下列各物質(zhì)中，按熔點(diǎn)由高到低的順序 排列正確的是排列正確的是()ACH4SiH4GeH4SnH4BKClNaClMgCl2MgOCRbKNaLiD石墨金剛石石墨金剛石SiO2鈉鈉D（3 3）常溫常壓下?tīng)顟B(tài)）常溫常壓下?tīng)顟B(tài)熔點(diǎn)：固態(tài)物質(zhì)熔點(diǎn)：固態(tài)物質(zhì) 液體物質(zhì)液體物質(zhì)沸點(diǎn)：液體物質(zhì)沸點(diǎn)：液體物質(zhì) 氣體物質(zhì)氣體物質(zhì)三、三、判斷晶體類型的依據(jù)判斷晶體類型的依據(jù)1 1依據(jù)組成晶體的晶格質(zhì)點(diǎn)和質(zhì)點(diǎn)間的作用判依據(jù)組成晶體的晶格質(zhì)點(diǎn)和質(zhì)點(diǎn)間的作用判斷斷(1)(1)離子晶體的晶格質(zhì)點(diǎn)是陰、陽(yáng)離子，質(zhì)點(diǎn)間離子晶體的晶格質(zhì)點(diǎn)是陰、

23、陽(yáng)離子，質(zhì)點(diǎn)間的作用是離子鍵。的作用是離子鍵。(2)(2)原子晶體的晶格質(zhì)點(diǎn)是原子，質(zhì)點(diǎn)間的作用原子晶體的晶格質(zhì)點(diǎn)是原子，質(zhì)點(diǎn)間的作用是共價(jià)鍵。是共價(jià)鍵。(3)(3)分子晶體的晶格質(zhì)點(diǎn)是分子，質(zhì)點(diǎn)間的作用分子晶體的晶格質(zhì)點(diǎn)是分子，質(zhì)點(diǎn)間的作用為分子間作用力，即范德華力。為分子間作用力，即范德華力。(4)(4)金屬晶體的晶格質(zhì)點(diǎn)是金屬陽(yáng)離子和自由電金屬晶體的晶格質(zhì)點(diǎn)是金屬陽(yáng)離子和自由電子，質(zhì)點(diǎn)間的作用是金屬鍵。子，質(zhì)點(diǎn)間的作用是金屬鍵。 2 2依據(jù)物質(zhì)的分類判斷依據(jù)物質(zhì)的分類判斷(1)(1)金屬氧化物金屬氧化物( (如如K2O、Na2O2等等) )、強(qiáng)堿、強(qiáng)堿( (如如NaOH、KOH等等) )

24、和絕大多數(shù)的鹽類是離子晶體。和絕大多數(shù)的鹽類是離子晶體。(2)(2)大多數(shù)非金屬單質(zhì)大多數(shù)非金屬單質(zhì)( (除金剛石、石墨、晶體硅、晶除金剛石、石墨、晶體硅、晶體硼外體硼外) )、氣態(tài)氫化物、非金屬氧化物、氣態(tài)氫化物、非金屬氧化物( (除除SiO2外外) )、酸、酸、絕大多數(shù)有機(jī)物絕大多數(shù)有機(jī)物( (除有機(jī)鹽外除有機(jī)鹽外) )是分子晶體。是分子晶體。(3)(3)常見(jiàn)的原子晶體單質(zhì)有金剛石、晶體硅、晶體硼等常見(jiàn)的原子晶體單質(zhì)有金剛石、晶體硅、晶體硼等，常見(jiàn)的原子晶體化合物有碳化硅、二氧化硅、四氮化，常見(jiàn)的原子晶體化合物有碳化硅、二氧化硅、四氮化三硅等。三硅等。(4)(4)金屬單質(zhì)與合金是金屬晶體。金屬單質(zhì)與合金是金屬晶體。3 3依據(jù)晶體的熔點(diǎn)判斷依據(jù)晶體的熔點(diǎn)判斷(1)(1)離子晶體的熔點(diǎn)較高，常在數(shù)百至離子晶體的熔點(diǎn)較高，常在數(shù)百至10001000