半導(dǎo)體材料的應(yīng)用及發(fā)展趨勢(shì)課件

半導(dǎo)體材料(semiconductormaterial)是一類具有半導(dǎo)體性能(導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm)半導(dǎo)體材料(semiconductormaterial)是1路的電子材料。一、半導(dǎo)體材料主要種類半導(dǎo)體材料可按化學(xué)組成來分，再將結(jié)構(gòu)與性能比較特殊的非晶態(tài)與液態(tài)半導(dǎo)體單獨(dú)列為一類。按照這樣分類方法可將半導(dǎo)體材料分為元素半導(dǎo)體、無機(jī)化合物半導(dǎo)體、路的電子材料。一、半導(dǎo)體材料主要種類半導(dǎo)體材料可按化學(xué)組成來2有機(jī)化合物半導(dǎo)體和非晶態(tài)與液態(tài)半導(dǎo)體。1、元素半導(dǎo)體：在元素周期表的ⅢA族至ⅦA族分布著11種具有半導(dǎo)性半導(dǎo)體材料的元素，下表的黑框中即這11種元素半導(dǎo)體,其中C表示金剛石。C、P、S有機(jī)化合物半導(dǎo)體和非晶態(tài)與液態(tài)半導(dǎo)體。1、元素半導(dǎo)體：在元素3e具有絕緣體與半導(dǎo)體兩種形態(tài);B、Si、Ge、Te具有半導(dǎo)性;Sn、As、Sb具有半導(dǎo)體與金屬兩種形態(tài)。P的熔點(diǎn)與沸點(diǎn)太低,Ⅰ的蒸汽壓太高、容易分解，所以它們的實(shí)用價(jià)值不大。As、Sbe具有絕緣體與半導(dǎo)體兩種形態(tài);B、Si、Ge、Te具有半導(dǎo)性4、Sn的穩(wěn)定態(tài)是金屬，半導(dǎo)體是不穩(wěn)定的形態(tài)。B、C、Te也因制備工藝上的困難和性能方面的局限性而尚未被利用。因此這11種元素半導(dǎo)體中只有Ge、Si、Se3種元素已得到利用。Ge、Si、Sn的穩(wěn)定態(tài)是金屬，半導(dǎo)體是不穩(wěn)定的形態(tài)。B、C、Te也因5仍是所有半導(dǎo)體材料中應(yīng)用最廣的兩種材料。（半導(dǎo)體材料）2、無機(jī)化合物半導(dǎo)體：分二元系、三元系、四元系等。二元系包括：①Ⅳ-Ⅳ族:SiC和Ge-Si合金都具有閃鋅礦的結(jié)構(gòu)。②Ⅲ-Ⅴ族:仍是所有半導(dǎo)體材料中應(yīng)用最廣的兩種材料。（半導(dǎo)體材料）2、無6由周期表中Ⅲ族元素Al、Ga、In和V族元素P、As、Sb組成，典型的代表為GaAs。它們都具有閃鋅礦結(jié)構(gòu),它們?cè)趹?yīng)用方面僅次于Ge、Si,有很大的發(fā)展前途。③Ⅱ-Ⅵ族:Ⅱ族元素Zn、由周期表中Ⅲ族元素Al、Ga、In和V族元素P、As、Sb組7Cd、Hg和Ⅵ族元素S、Se、Te形成的化合物，是一些重要的光電材料。ZnS、CdTe、HgTe具有閃鋅礦結(jié)構(gòu)。④Ⅰ-Ⅶ族：Ⅰ族元素Cu、Ag、Au和Ⅶ族元素Cl、Br、I形成的化合Cd、Hg和Ⅵ族元素S、Se、Te形成的化合物，是一些重要的8物，其中CuBr、CuI具有閃鋅礦結(jié)構(gòu)。⑤Ⅴ-Ⅵ族：Ⅴ族元素As、Sb、Bi和Ⅵ族元素S、Se、Te形成的化合物具有的形式,如Bi2Te3、Bi2Se3、Bi2S3、As2Te3等是物，其中CuBr、CuI具有閃鋅礦結(jié)構(gòu)。⑤Ⅴ-Ⅵ族：Ⅴ族元素9重要的溫差電材料。⑥第四周期中的B族和過渡族元素Cu、Zn、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni的氧化物,為主要的熱敏電阻材料。⑦某些稀土族元素Sc、Y、Sm、Eu、Yb、重要的溫差電材料。⑥第四周期中的B族和過渡族元素Cu、Zn10Tm與Ⅴ族元素N、As或Ⅵ族元素S、Se、Te形成的化合物。除這些二元系化合物外還有它們與元素或它們之間的固溶體半導(dǎo)體，例如Si-AlP、Ge-GaAs、InAs-InSb、AlSbTm與Ⅴ族元素N、As或Ⅵ族元素S、Se、Te形成的化合物。11-GaSb、InAs-InP、GaAs-GaP等。研究這些固溶體可以在改善單一材料的某些性能或開辟新的應(yīng)用范圍方面起很大作用。（半導(dǎo)體材料元素結(jié)構(gòu)圖）半導(dǎo)體材料三元系包括：族:這是由一-GaSb、InAs-InP、GaAs-GaP等。研究這些固12個(gè)Ⅱ族和一個(gè)Ⅳ族原子去替代Ⅲ-Ⅴ族中兩個(gè)Ⅲ族原子所構(gòu)成的。例如ZnSiP2、ZnGeP2、ZnGeAs2、CdGeAs2、CdSnSe2等。族：這是由一個(gè)Ⅰ族和一個(gè)Ⅲ族原子去替代Ⅱ-Ⅵ個(gè)Ⅱ族和一個(gè)Ⅳ族原子去替代Ⅲ-Ⅴ族中兩個(gè)Ⅲ族原子所構(gòu)成的。例13族中兩個(gè)Ⅱ族原子所構(gòu)成的,如CuGaSe2、AgInTe2、AgTlTe2、CuInSe2、CuAlS2等。：這是由一個(gè)Ⅰ族和一個(gè)Ⅴ族原子去替代族中兩個(gè)Ⅲ族原子所組成,如Cu3A族中兩個(gè)Ⅱ族原子所構(gòu)成的,如CuGaSe2、AgInTe14sSe4、Ag3AsTe4、Cu3SbS4、Ag3SbSe4等。此外，還有它的結(jié)構(gòu)基本為閃鋅礦的四元系(例如Cu2FeSnS4)和更復(fù)雜的無機(jī)化合物。3、有機(jī)化合物半導(dǎo)體：已知的有機(jī)半sSe4、Ag3AsTe4、Cu3SbS4、Ag3SbSe415導(dǎo)體有幾十種，熟知的有萘、蒽、聚丙烯腈、酞菁和一些芳香族化合物等，它們作為半導(dǎo)體尚未得到應(yīng)用。4、非晶態(tài)與液態(tài)半導(dǎo)體：這類半導(dǎo)體與晶態(tài)半導(dǎo)體的最大區(qū)別是不具有嚴(yán)格周期性排列的晶體結(jié)構(gòu)。導(dǎo)體有幾十種，熟知的有萘、蒽、聚丙烯腈、酞菁和一些芳香族化合16二、半導(dǎo)體材料實(shí)際運(yùn)用制備不同的半導(dǎo)體器件對(duì)半導(dǎo)體材料有不同的形態(tài)要求，包括單晶的切片、磨片、拋光片、薄膜等。半導(dǎo)體材料的不同形態(tài)要求對(duì)應(yīng)不同的加工工藝。常用的半導(dǎo)體材料制備工藝有提純二、半導(dǎo)體材料實(shí)際運(yùn)用制備不同的半導(dǎo)體器件對(duì)半導(dǎo)體材料有不同17、單晶的制備和薄膜外延生長(zhǎng)。半導(dǎo)體材料所有的半導(dǎo)體材料都需要對(duì)原料進(jìn)行提純，要求的純度在6個(gè)“9”以上，最高達(dá)11個(gè)“9”以上。提純的方法分兩大類，一類是不改變材料的化學(xué)組成進(jìn)行提純，、單晶的制備和薄膜外延生長(zhǎng)。半導(dǎo)體材料所有的半導(dǎo)體材料都需要18稱為物理提純;另一類是把元素先變成化合物進(jìn)行提純，再將提純后的化合物還原成元素，稱為化學(xué)提純。物理提純的方法有真空蒸發(fā)、區(qū)域精制、拉晶提純等，使用最多的是區(qū)域精制?；瘜W(xué)提純的主要方法有稱為物理提純;另一類是把元素先變成化合物進(jìn)行提純，再將提純后19電解、絡(luò)合、萃取、精餾等，使用最多的是精餾。由于每一種方法都有一定的局限性，因此常使用幾種提純方法相結(jié)合的工藝流程以獲得合格的材料。（半導(dǎo)體材料）絕大多數(shù)半導(dǎo)體器件是在單晶片或以單晶片電解、絡(luò)合、萃取、精餾等，使用最多的是精餾。由于每一種方法都20為襯底的外延片上作出的。成批量的半導(dǎo)體單晶都是用熔體生長(zhǎng)法制成的。直拉法應(yīng)用最廣，80%的硅單晶、大部分鍺單晶和銻化銦單晶是用此法生產(chǎn)的，其中硅單晶的最大直徑已達(dá)300毫米。在熔體中通為襯底的外延片上作出的。成批量的半導(dǎo)體單晶都是用熔體生長(zhǎng)法制21入磁場(chǎng)的直拉法稱為磁控拉晶法，用此法已生產(chǎn)出高均勻性硅單晶。在坩堝熔體表面加入液體覆蓋劑稱液封直拉法，用此法拉制砷化鎵、磷化鎵、磷化銦等分解壓較大的單晶。懸浮區(qū)熔法的熔體不與容器接觸，入磁場(chǎng)的直拉法稱為磁控拉晶法，用此法已生產(chǎn)出高均勻性硅單晶。22用此法生長(zhǎng)高純硅單晶。水平區(qū)熔法用以生產(chǎn)鍺單晶。水平定向結(jié)晶法主要用于制備砷化鎵單晶，而垂直定向結(jié)晶法用于制備碲化鎘、砷化鎵。用各種方法生產(chǎn)的體單晶再經(jīng)過晶體定向、滾磨、作參考面、切片用此法生長(zhǎng)高純硅單晶。水平區(qū)熔法用以生產(chǎn)鍺單晶。水平定向結(jié)晶23、磨片、倒角、拋光、腐蝕、清洗、檢測(cè)、封裝等全部或部分工序以提供相應(yīng)的晶片。在單晶襯底上生長(zhǎng)單晶薄膜稱為外延。外延的方法有氣相、液相、固相、分子束外延等。工業(yè)生產(chǎn)使用的主要是化學(xué)氣相外、磨片、倒角、拋光、腐蝕、清洗、檢測(cè)、封裝等全部或部分工序以24延，其次是液相外延。金屬有機(jī)化合物氣相外延和分子束外延則用于制備量子阱及超晶格等微結(jié)構(gòu)。非晶、微晶、多晶薄膜多在玻璃、陶瓷、金屬等襯底上用不同類型的化學(xué)氣相沉積、磁控濺射等方法制成。三延，其次是液相外延。金屬有機(jī)化合物氣相外延和分子束外延則用于25、半導(dǎo)體材料發(fā)展現(xiàn)狀相對(duì)于半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)，半導(dǎo)體材料市場(chǎng)長(zhǎng)期處于配角的位置，但隨著芯片出貨量增長(zhǎng)，材料市場(chǎng)將保持持續(xù)增長(zhǎng)，并開始擺脫浮華的設(shè)備市場(chǎng)所帶來的陰影。按銷售收入計(jì)算，半導(dǎo)體材、半導(dǎo)體材料發(fā)展現(xiàn)狀相對(duì)于半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)，半導(dǎo)體材料市場(chǎng)長(zhǎng)期26料日本保持最大半導(dǎo)體材料市場(chǎng)的地位。然而臺(tái)灣、ROW、韓國也開始崛起成為重要的市場(chǎng)，材料市場(chǎng)的崛起體現(xiàn)了器件制造業(yè)在這些地區(qū)的發(fā)展。晶圓制造材料市場(chǎng)和封裝材料市場(chǎng)雙雙獲得增長(zhǎng)，未來增長(zhǎng)料日本保持最大半導(dǎo)體材料市場(chǎng)的地位。然而臺(tái)灣、ROW、韓國也27將趨于緩和，但增長(zhǎng)勢(shì)頭仍將保持。（半導(dǎo)體材料）美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)預(yù)測(cè)，2008年半導(dǎo)體市場(chǎng)收入將接近2670億美元，連續(xù)第五年實(shí)現(xiàn)增長(zhǎng)。無獨(dú)有偶，半導(dǎo)體材料市場(chǎng)也在相同時(shí)間內(nèi)將趨于緩和，但增長(zhǎng)勢(shì)頭仍將保持。（半導(dǎo)體材料）美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)28連續(xù)改寫銷售收入和出貨量的記錄。晶圓制造材料和封裝材料均獲得了增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)今年這兩部分市場(chǎng)收入分別為268億美元和199億美元。日本繼續(xù)保持在半導(dǎo)體材料市場(chǎng)中的領(lǐng)先地位，消耗量占總市場(chǎng)的連續(xù)改寫銷售收入和出貨量的記錄。晶圓制造材料和封裝材料均獲得2922%。2004年臺(tái)灣地區(qū)超過了北美地區(qū)成為第二大半導(dǎo)體材料市場(chǎng)。北美地區(qū)落后于ROW(RestofWorld)和韓國排名第五。ROW包括新加坡、馬來西亞、泰國等東南亞國家和地區(qū)。許多22%。2004年臺(tái)灣地區(qū)超過了北美地區(qū)成為第二大半導(dǎo)體材料30新的晶圓廠在這些地區(qū)投資建設(shè)，而且每個(gè)地區(qū)都具有比北美更堅(jiān)實(shí)的封裝基礎(chǔ)。芯片制造材料占半導(dǎo)體材料市場(chǎng)的60%，其中大部分來自硅晶圓。硅晶圓和光掩膜總和占晶圓制造材料的62%。2007年新的晶圓廠在這些地區(qū)投資建設(shè)，而且每個(gè)地區(qū)都具有比北美更堅(jiān)實(shí)31所有晶圓制造材料，除了濕化學(xué)試劑、光掩模和濺射靶，都獲得了強(qiáng)勁增長(zhǎng)，使晶圓制造材料市場(chǎng)總體增長(zhǎng)16%。2008年晶圓制造材料市場(chǎng)增長(zhǎng)相對(duì)平緩，增幅為7%。預(yù)計(jì)2009年和2010年，增所有晶圓制造材料，除了濕化學(xué)試劑、光掩模和濺射靶，都獲得了強(qiáng)32幅分別為9%和6%。半導(dǎo)體材料市場(chǎng)發(fā)生的最重大的變化之一是封裝材料市場(chǎng)的崛起。1998年封裝材料市場(chǎng)占半導(dǎo)體材料市場(chǎng)的33%，而2008年該份額預(yù)計(jì)可增至43%。這種變化是由于球柵陣列幅分別為9%和6%。半導(dǎo)體材料市場(chǎng)發(fā)生的最重大的變化之一是封33、芯片級(jí)封裝和倒裝芯片封裝中越來越多地使用碾壓基底和先進(jìn)聚合材料。隨著產(chǎn)品便攜性和功能性對(duì)封裝提出了更高的要求，預(yù)計(jì)這些材料將在未來幾年內(nèi)獲得更為強(qiáng)勁的增長(zhǎng)。此外，金價(jià)大幅上漲使引線鍵、芯片級(jí)封裝和倒裝芯片封裝中越來越多地使用碾壓基底和先進(jìn)聚合34合部分在2007年獲得36%的增長(zhǎng)。與晶圓制造材料相似，半導(dǎo)體封裝材料在未來三年增速也將放緩，2009年和2010年增幅均為5%，分別達(dá)到209億美元和220億美元。除去金價(jià)因素，且碾合部分在2007年獲得36%的增長(zhǎng)。與晶圓制造材料相似，半導(dǎo)35壓襯底不計(jì)入統(tǒng)計(jì)，實(shí)際增長(zhǎng)率為2%至3%。四、半導(dǎo)體材料戰(zhàn)略地位20世紀(jì)中葉，單晶硅和半導(dǎo)體晶體管的發(fā)明及其硅集成電路的研制成功，導(dǎo)致了電子工業(yè)革命;20世紀(jì)70年代初石英光導(dǎo)纖維材料壓襯底不計(jì)入統(tǒng)計(jì)，實(shí)際增長(zhǎng)率為2%至3%。四、半導(dǎo)體材料戰(zhàn)略36和GaAs激光器的發(fā)明，促進(jìn)了光纖通信技術(shù)迅速發(fā)展并逐步形成了高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)，使人類進(jìn)入了信息時(shí)代。超晶格概念的提出及其半導(dǎo)體超晶格、量子阱材料的研制成功，徹底改變了光電器件的設(shè)計(jì)思想，和GaAs激光器的發(fā)明，促進(jìn)了光纖通信技術(shù)迅速發(fā)展并逐步形成37使半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)與制造從“雜質(zhì)工程”發(fā)展到“能帶工程”。納米科學(xué)技術(shù)的發(fā)展和應(yīng)用，將使人類能從原子、分子或納米尺度水平上控制、操縱和制造功能強(qiáng)大的新型器件與電路，深刻地影響著世界的政使半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)與制造從“雜質(zhì)工程”發(fā)展到“能帶工程”。納38治、經(jīng)濟(jì)格局和軍事對(duì)抗的形式，徹底改變?nèi)藗兊纳罘绞浇ㄈA管樁怎么樣?最新建華管樁價(jià)格混凝土攪拌機(jī)型號(hào)最新混凝土攪拌機(jī)價(jià)格大全治、經(jīng)濟(jì)格局和軍事對(duì)抗的形式，徹底改變?nèi)藗兊纳罘绞浇ㄈA管樁39版權(quán)所有，禁止轉(zhuǎn)載，謝謝支持。版權(quán)所有，禁止轉(zhuǎn)載，謝謝支持。401、有時(shí)候讀書是一種巧妙地避開思考的方法。12月-2212月-22Thursday,December22,20222、閱讀一切好書如同和過去最杰出的人談話。11:16:3111:16:3111:1612/22/202211:16:31AM3、越是沒有本領(lǐng)的就越加自命不凡。12月-2211:16:3111:16Dec-2222-Dec-224、越是無能的人，越喜歡挑剔別人的錯(cuò)兒。11:16:3111:16:3111:16Thursday,December22,20225、知人者智，自知者明。勝人者有力，自勝者強(qiáng)。12月-2212月-2211:16:3111:16:31December22,20226、意志堅(jiān)強(qiáng)的人能把世界放在手中像泥塊一樣任意揉捏。22十二月202211:16:31上午11:16:3112月-227、最具挑戰(zhàn)性的挑戰(zhàn)莫過于提升自我。。十二月2211:16上午12月-2211:16December22,20228、業(yè)余生活要有意義，不要越軌。2022/12/2211:16:3111:16:3122December20229、一個(gè)人即使已登上頂峰，也仍要自強(qiáng)不息。11:16:31上午11:16上午11:16:3112月-2210、你要做多大的事情，就該承受多大的壓力。12/22/202211:16:31AM11:16:3122-12月-2211、自己要先看得起自己，別人才會(huì)看得起你。12/22/202211:16AM12/22/202211:16AM12月-2212月-2212、這一秒不放棄，下一秒就會(huì)有希望。22-Dec-2222December202212月-2213、無論才能知識(shí)多么卓著，如果缺乏熱情，則無異紙上畫餅充饑，無補(bǔ)于事。Thursday,December22,202222-Dec-2212月-2214、我只是自己不放過自己而已，現(xiàn)在我不會(huì)再逼自己眷戀了。12月-2211:16:3122December202211:16謝謝大家1、有時(shí)候讀書是一種巧妙地避開思考的方法。12月-2212月41半導(dǎo)體材料(semiconductormaterial)是一類具有半導(dǎo)體性能(導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm)半導(dǎo)體材料(semiconductormaterial)是42路的電子材料。一、半導(dǎo)體材料主要種類半導(dǎo)體材料可按化學(xué)組成來分，再將結(jié)構(gòu)與性能比較特殊的非晶態(tài)與液態(tài)半導(dǎo)體單獨(dú)列為一類。按照這樣分類方法可將半導(dǎo)體材料分為元素半導(dǎo)體、無機(jī)化合物半導(dǎo)體、路的電子材料。一、半導(dǎo)體材料主要種類半導(dǎo)體材料可按化學(xué)組成來43有機(jī)化合物半導(dǎo)體和非晶態(tài)與液態(tài)半導(dǎo)體。1、元素半導(dǎo)體：在元素周期表的ⅢA族至ⅦA族分布著11種具有半導(dǎo)性半導(dǎo)體材料的元素，下表的黑框中即這11種元素半導(dǎo)體,其中C表示金剛石。C、P、S有機(jī)化合物半導(dǎo)體和非晶態(tài)與液態(tài)半導(dǎo)體。1、元素半導(dǎo)體：在元素44e具有絕緣體與半導(dǎo)體兩種形態(tài);B、Si、Ge、Te具有半導(dǎo)性;Sn、As、Sb具有半導(dǎo)體與金屬兩種形態(tài)。P的熔點(diǎn)與沸點(diǎn)太低,Ⅰ的蒸汽壓太高、容易分解，所以它們的實(shí)用價(jià)值不大。As、Sbe具有絕緣體與半導(dǎo)體兩種形態(tài);B、Si、Ge、Te具有半導(dǎo)性45、Sn的穩(wěn)定態(tài)是金屬，半導(dǎo)體是不穩(wěn)定的形態(tài)。B、C、Te也因制備工藝上的困難和性能方面的局限性而尚未被利用。因此這11種元素半導(dǎo)體中只有Ge、Si、Se3種元素已得到利用。Ge、Si、Sn的穩(wěn)定態(tài)是金屬，半導(dǎo)體是不穩(wěn)定的形態(tài)。B、C、Te也因46仍是所有半導(dǎo)體材料中應(yīng)用最廣的兩種材料。（半導(dǎo)體材料）2、無機(jī)化合物半導(dǎo)體：分二元系、三元系、四元系等。二元系包括：①Ⅳ-Ⅳ族:SiC和Ge-Si合金都具有閃鋅礦的結(jié)構(gòu)。②Ⅲ-Ⅴ族:仍是所有半導(dǎo)體材料中應(yīng)用最廣的兩種材料。（半導(dǎo)體材料）2、無47由周期表中Ⅲ族元素Al、Ga、In和V族元素P、As、Sb組成，典型的代表為GaAs。它們都具有閃鋅礦結(jié)構(gòu),它們?cè)趹?yīng)用方面僅次于Ge、Si,有很大的發(fā)展前途。③Ⅱ-Ⅵ族:Ⅱ族元素Zn、由周期表中Ⅲ族元素Al、Ga、In和V族元素P、As、Sb組48Cd、Hg和Ⅵ族元素S、Se、Te形成的化合物，是一些重要的光電材料。ZnS、CdTe、HgTe具有閃鋅礦結(jié)構(gòu)。④Ⅰ-Ⅶ族：Ⅰ族元素Cu、Ag、Au和Ⅶ族元素Cl、Br、I形成的化合Cd、Hg和Ⅵ族元素S、Se、Te形成的化合物，是一些重要的49物，其中CuBr、CuI具有閃鋅礦結(jié)構(gòu)。⑤Ⅴ-Ⅵ族：Ⅴ族元素As、Sb、Bi和Ⅵ族元素S、Se、Te形成的化合物具有的形式,如Bi2Te3、Bi2Se3、Bi2S3、As2Te3等是物，其中CuBr、CuI具有閃鋅礦結(jié)構(gòu)。⑤Ⅴ-Ⅵ族：Ⅴ族元素50重要的溫差電材料。⑥第四周期中的B族和過渡族元素Cu、Zn、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni的氧化物,為主要的熱敏電阻材料。⑦某些稀土族元素Sc、Y、Sm、Eu、Yb、重要的溫差電材料。⑥第四周期中的B族和過渡族元素Cu、Zn51Tm與Ⅴ族元素N、As或Ⅵ族元素S、Se、Te形成的化合物。除這些二元系化合物外還有它們與元素或它們之間的固溶體半導(dǎo)體，例如Si-AlP、Ge-GaAs、InAs-InSb、AlSbTm與Ⅴ族元素N、As或Ⅵ族元素S、Se、Te形成的化合物。52-GaSb、InAs-InP、GaAs-GaP等。研究這些固溶體可以在改善單一材料的某些性能或開辟新的應(yīng)用范圍方面起很大作用。（半導(dǎo)體材料元素結(jié)構(gòu)圖）半導(dǎo)體材料三元系包括：族:這是由一-GaSb、InAs-InP、GaAs-GaP等。研究這些固53個(gè)Ⅱ族和一個(gè)Ⅳ族原子去替代Ⅲ-Ⅴ族中兩個(gè)Ⅲ族原子所構(gòu)成的。例如ZnSiP2、ZnGeP2、ZnGeAs2、CdGeAs2、CdSnSe2等。族：這是由一個(gè)Ⅰ族和一個(gè)Ⅲ族原子去替代Ⅱ-Ⅵ個(gè)Ⅱ族和一個(gè)Ⅳ族原子去替代Ⅲ-Ⅴ族中兩個(gè)Ⅲ族原子所構(gòu)成的。例54族中兩個(gè)Ⅱ族原子所構(gòu)成的,如CuGaSe2、AgInTe2、AgTlTe2、CuInSe2、CuAlS2等。：這是由一個(gè)Ⅰ族和一個(gè)Ⅴ族原子去替代族中兩個(gè)Ⅲ族原子所組成,如Cu3A族中兩個(gè)Ⅱ族原子所構(gòu)成的,如CuGaSe2、AgInTe55sSe4、Ag3AsTe4、Cu3SbS4、Ag3SbSe4等。此外，還有它的結(jié)構(gòu)基本為閃鋅礦的四元系(例如Cu2FeSnS4)和更復(fù)雜的無機(jī)化合物。3、有機(jī)化合物半導(dǎo)體：已知的有機(jī)半sSe4、Ag3AsTe4、Cu3SbS4、Ag3SbSe456導(dǎo)體有幾十種，熟知的有萘、蒽、聚丙烯腈、酞菁和一些芳香族化合物等，它們作為半導(dǎo)體尚未得到應(yīng)用。4、非晶態(tài)與液態(tài)半導(dǎo)體：這類半導(dǎo)體與晶態(tài)半導(dǎo)體的最大區(qū)別是不具有嚴(yán)格周期性排列的晶體結(jié)構(gòu)。導(dǎo)體有幾十種，熟知的有萘、蒽、聚丙烯腈、酞菁和一些芳香族化合57二、半導(dǎo)體材料實(shí)際運(yùn)用制備不同的半導(dǎo)體器件對(duì)半導(dǎo)體材料有不同的形態(tài)要求，包括單晶的切片、磨片、拋光片、薄膜等。半導(dǎo)體材料的不同形態(tài)要求對(duì)應(yīng)不同的加工工藝。常用的半導(dǎo)體材料制備工藝有提純二、半導(dǎo)體材料實(shí)際運(yùn)用制備不同的半導(dǎo)體器件對(duì)半導(dǎo)體材料有不同58、單晶的制備和薄膜外延生長(zhǎng)。半導(dǎo)體材料所有的半導(dǎo)體材料都需要對(duì)原料進(jìn)行提純，要求的純度在6個(gè)“9”以上，最高達(dá)11個(gè)“9”以上。提純的方法分兩大類，一類是不改變材料的化學(xué)組成進(jìn)行提純，、單晶的制備和薄膜外延生長(zhǎng)。半導(dǎo)體材料所有的半導(dǎo)體材料都需要59稱為物理提純;另一類是把元素先變成化合物進(jìn)行提純，再將提純后的化合物還原成元素，稱為化學(xué)提純。物理提純的方法有真空蒸發(fā)、區(qū)域精制、拉晶提純等，使用最多的是區(qū)域精制?；瘜W(xué)提純的主要方法有稱為物理提純;另一類是把元素先變成化合物進(jìn)行提純，再將提純后60電解、絡(luò)合、萃取、精餾等，使用最多的是精餾。由于每一種方法都有一定的局限性，因此常使用幾種提純方法相結(jié)合的工藝流程以獲得合格的材料。（半導(dǎo)體材料）絕大多數(shù)半導(dǎo)體器件是在單晶片或以單晶片電解、絡(luò)合、萃取、精餾等，使用最多的是精餾。由于每一種方法都61為襯底的外延片上作出的。成批量的半導(dǎo)體單晶都是用熔體生長(zhǎng)法制成的。直拉法應(yīng)用最廣，80%的硅單晶、大部分鍺單晶和銻化銦單晶是用此法生產(chǎn)的，其中硅單晶的最大直徑已達(dá)300毫米。在熔體中通為襯底的外延片上作出的。成批量的半導(dǎo)體單晶都是用熔體生長(zhǎng)法制62入磁場(chǎng)的直拉法稱為磁控拉晶法，用此法已生產(chǎn)出高均勻性硅單晶。在坩堝熔體表面加入液體覆蓋劑稱液封直拉法，用此法拉制砷化鎵、磷化鎵、磷化銦等分解壓較大的單晶。懸浮區(qū)熔法的熔體不與容器接觸，入磁場(chǎng)的直拉法稱為磁控拉晶法，用此法已生產(chǎn)出高均勻性硅單晶。63用此法生長(zhǎng)高純硅單晶。水平區(qū)熔法用以生產(chǎn)鍺單晶。水平定向結(jié)晶法主要用于制備砷化鎵單晶，而垂直定向結(jié)晶法用于制備碲化鎘、砷化鎵。用各種方法生產(chǎn)的體單晶再經(jīng)過晶體定向、滾磨、作參考面、切片用此法生長(zhǎng)高純硅單晶。水平區(qū)熔法用以生產(chǎn)鍺單晶。水平定向結(jié)晶64、磨片、倒角、拋光、腐蝕、清洗、檢測(cè)、封裝等全部或部分工序以提供相應(yīng)的晶片。在單晶襯底上生長(zhǎng)單晶薄膜稱為外延。外延的方法有氣相、液相、固相、分子束外延等。工業(yè)生產(chǎn)使用的主要是化學(xué)氣相外、磨片、倒角、拋光、腐蝕、清洗、檢測(cè)、封裝等全部或部分工序以65延，其次是液相外延。金屬有機(jī)化合物氣相外延和分子束外延則用于制備量子阱及超晶格等微結(jié)構(gòu)。非晶、微晶、多晶薄膜多在玻璃、陶瓷、金屬等襯底上用不同類型的化學(xué)氣相沉積、磁控濺射等方法制成。三延，其次是液相外延。金屬有機(jī)化合物氣相外延和分子束外延則用于66、半導(dǎo)體材料發(fā)展現(xiàn)狀相對(duì)于半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)，半導(dǎo)體材料市場(chǎng)長(zhǎng)期處于配角的位置，但隨著芯片出貨量增長(zhǎng)，材料市場(chǎng)將保持持續(xù)增長(zhǎng)，并開始擺脫浮華的設(shè)備市場(chǎng)所帶來的陰影。按銷售收入計(jì)算，半導(dǎo)體材、半導(dǎo)體材料發(fā)展現(xiàn)狀相對(duì)于半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)，半導(dǎo)體材料市場(chǎng)長(zhǎng)期67料日本保持最大半導(dǎo)體材料市場(chǎng)的地位。然而臺(tái)灣、ROW、韓國也開始崛起成為重要的市場(chǎng)，材料市場(chǎng)的崛起體現(xiàn)了器件制造業(yè)在這些地區(qū)的發(fā)展。晶圓制造材料市場(chǎng)和封裝材料市場(chǎng)雙雙獲得增長(zhǎng)，未來增長(zhǎng)料日本保持最大半導(dǎo)體材料市場(chǎng)的地位。然而臺(tái)灣、ROW、韓國也68將趨于緩和，但增長(zhǎng)勢(shì)頭仍將保持。（半導(dǎo)體材料）美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)預(yù)測(cè)，2008年半導(dǎo)體市場(chǎng)收入將接近2670億美元，連續(xù)第五年實(shí)現(xiàn)增長(zhǎng)。無獨(dú)有偶，半導(dǎo)體材料市場(chǎng)也在相同時(shí)間內(nèi)將趨于緩和，但增長(zhǎng)勢(shì)頭仍將保持。（半導(dǎo)體材料）美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)69連續(xù)改寫銷售收入和出貨量的記錄。晶圓制造材料和封裝材料均獲得了增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)今年這兩部分市場(chǎng)收入分別為268億美元和199億美元。日本繼續(xù)保持在半導(dǎo)體材料市場(chǎng)中的領(lǐng)先地位，消耗量占總市場(chǎng)的連續(xù)改寫銷售收入和出貨量的記錄。晶圓制造材料和封裝材料均獲得7022%。2004年臺(tái)灣地區(qū)超過了北美地區(qū)成為第二大半導(dǎo)體材料市場(chǎng)。北美地區(qū)落后于ROW(RestofWorld)和韓國排名第五。ROW包括新加坡、馬來西亞、泰國等東南亞國家和地區(qū)。許多22%。2004年臺(tái)灣地區(qū)超過了北美地區(qū)成為第二大半導(dǎo)體材料71新的晶圓廠在這些地區(qū)投資建設(shè)，而且每個(gè)地區(qū)都具有比北美更堅(jiān)實(shí)的封裝基礎(chǔ)。芯片制造材料占半導(dǎo)體材料市場(chǎng)的60%，其中大部分來自硅晶圓。硅晶圓和光掩膜總和占晶圓制造材料的62%。2007年新的晶圓廠在這些地區(qū)投資建設(shè)，而且每個(gè)地區(qū)都具有比北美更堅(jiān)實(shí)72所有晶圓制造材料，除了濕化學(xué)試劑、光掩模和濺射靶，都獲得了強(qiáng)勁增長(zhǎng)，使晶圓制造材料市場(chǎng)總體增長(zhǎng)16%。2008年晶圓制造材料市場(chǎng)增長(zhǎng)相對(duì)平緩，增幅為7%。預(yù)計(jì)2009年和2010年，增所有晶圓制造材料，除了濕化學(xué)試劑、光掩模和濺射靶，都獲得了強(qiáng)73幅分別為9%和6%。半導(dǎo)體材料市場(chǎng)發(fā)生的最重大的變化之一是封裝材料市場(chǎng)的崛起。1998年封裝材料市場(chǎng)占半導(dǎo)體材料市場(chǎng)的33%，而2008年該份額預(yù)計(jì)可增至43%。這種變化是由于球柵陣列幅分別為9%和6%。半導(dǎo)體材料市場(chǎng)發(fā)生的最重大的變化之一是封74、芯片級(jí)封裝和倒裝芯片封裝中越來越多地使用碾壓基底和先進(jìn)聚合材料。隨著產(chǎn)品便攜性和功能性對(duì)封裝提出了更高的要求，預(yù)計(jì)這些材料將在未來幾年內(nèi)獲得更為強(qiáng)勁的增長(zhǎng)。此外，金價(jià)大幅上漲使引線鍵、芯片級(jí)封裝和倒裝芯片封裝中越來越多地使用碾壓基底和先進(jìn)聚合75合部分在2007年獲得36%的增長(zhǎng)。與晶圓制造材料相似，半導(dǎo)體封裝材料在未來三年增速也將放緩，2009年和2010年增幅均為5%，分別達(dá)到209億美元和220億美元。除去金價(jià)因素，且碾合部分在2007年獲得36%的增長(zhǎng)。與晶圓制造材料相似，半導(dǎo)76壓襯底不計(jì)入統(tǒng)計(jì)，實(shí)際增長(zhǎng)率為2%至3%。四、半導(dǎo)體材料戰(zhàn)略地位20世紀(jì)中葉，單晶硅和半導(dǎo)體晶體管的發(fā)明及其硅集成電路的研制成功，導(dǎo)致了電子工業(yè)革命;20世紀(jì)70年代初石英光導(dǎo)纖維材料壓襯底不計(jì)入統(tǒng)計(jì)，實(shí)際增長(zhǎng)率為2%至3%。四、半導(dǎo)體材料戰(zhàn)略77和GaAs激光器的發(fā)明，促進(jìn)了光纖通信技術(shù)迅速發(fā)展并逐步形成了高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)，使人類進(jìn)入了信息時(shí)代。超晶格概念的提出及其半導(dǎo)體超晶格、量子阱材料的研制成功，徹底改變了光電器件的設(shè)計(jì)思想，和GaAs激光器的發(fā)明，促進(jìn)了光纖通信技術(shù)迅速發(fā)展并逐步形成78使