YS/T 840-2012再生硅料分類和技術條件

ICS7715099

H68..

中華人民共和國有色金屬行業(yè)標準

YS/T840—2012

再生硅料分類和技術條件

Classificationandtechnicalspecificationforrenewablecrystalsilicon

2012-11-07發(fā)布2013-03-01實施

中華人民共和國工業(yè)和信息化部發(fā)布

中華人民共和國有色金屬

行業(yè)標準

再生硅料分類和技術條件

YS/T840—2012

*

中國標準出版社出版發(fā)行

北京市朝陽區(qū)和平里西街甲號

2(100013)

北京市西城區(qū)三里河北街號

16(100045)

網(wǎng)址

:

服務熱線

/p>

年月第一版

20131

*

書號

:155066·2-24295

版權專有侵權必究

YS/T840—2012

前言

本標準按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標準由全國有色金屬標準化技術委員會歸口

(SAC/TC243)。

本標準起草單位西安隆基硅材料股份有限公司

:。

本標準主要起草人李振國鐘寶申趙可武張群社

:、、、。

本標準系首次發(fā)布

。

Ⅰ

YS/T840—2012

再生硅料分類和技術條件

1范圍

本標準規(guī)定了再生硅料的技術條件及分類測試方法檢驗規(guī)則以及包裝標志運輸貯存訂貨

、、、、、、

單等

。

本標準適用于從生產(chǎn)加工使用過程中產(chǎn)生的可回收利用的硅料來源包括用于生產(chǎn)太陽能級硅

、、,

晶體的除過碳的碳極多晶硅碳頭料晶體硅頭尾料邊皮料堝底料晶體硅樣塊原生型廢硅片等

()、、、、、。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

非本征半導體材料導電類型測試方法

GB/T1550

硅單晶電阻率測定方法

GB/T1551

硅中代位碳原子含量紅外吸收測量方法

GB/T1558

半導體材料術語

GB/T14264

硅單晶中族雜質(zhì)的光致發(fā)光測試方法

GB/T24574Ⅲ-Ⅴ

酸浸取原子吸收光譜法測定多晶硅表面金屬污染物

GB/T24579

低溫傅立葉變換紅外光譜法測量硅單晶中族雜質(zhì)含量的測試方法

GB/T24581Ⅲ、Ⅴ

酸浸取電感耦合等離子質(zhì)譜儀測定多晶硅表面金屬雜質(zhì)

GB/T24582-

用高分辨率輝光放電光譜測定法測定太陽能級硅中的痕量元素

SEMIPV1

3術語和定義

界定的以及下列術語和定義適用于本文件

GB/T14264。

31

.

碳極多晶硅碳頭料carbonendspolysilicon

()

在多晶硅生產(chǎn)過程中包圍在型多晶硅棒的碳極周圍沾連有石墨的不規(guī)則形狀多晶硅料

,U,。

32

.

單晶硅頭尾料monocrystallinetopandtail

在拉制單晶硅棒過程中形成的頭尾圓錐體也包括拉制單晶失敗產(chǎn)生的多晶硅棒和位錯單晶

。。

33

.

堝底料potscrap

在拉制單晶硅棒的過程中殘留在石英坩堝中的硅料

,。

34

.

晶體硅樣塊testsiliconmaterial

在晶體硅棒的檢測和評估中作為測試用的樣塊

。

35

.

原生型廢硅片bro