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文檔簡介
1、1 內(nèi)存容量內(nèi)存容量是指存放計算機運行所需的程序和數(shù)據(jù)的多少。 內(nèi)存容量直接關(guān)系到計 算機的整體性能,是除CPU之外能表明計算機檔次等級的一個重要指標(biāo)。目前, 主流計算機的內(nèi)存容量一般為 128MB、256MB和512MB。2數(shù)據(jù)帶寬數(shù)據(jù)帶寬是指內(nèi)存一次輸出/輸入的數(shù)據(jù)量,是衡量內(nèi)存性能的重要指標(biāo)。通常 情況下,PC100的SDRAM在額定頻率(100MHz)下工作時,其峰值傳輸率 可以達到800MBps ;工作在133MHz的情況下,其峰值的傳輸率已經(jīng)達到了 1.06GBps ,這一速度比PC100提高了 200MBps。在實際應(yīng)用中,其性能提高 的效果是很明顯的。對于 DDR而言,由于在同
2、一個時鐘的上升沿和下降沿都能 傳輸數(shù)據(jù),所以工作在133MHz時,它的實際傳輸率可以達到2.1GBps。計算內(nèi)存帶寬的公式也很簡單:內(nèi)存帶寬總量(Mbytes )=最大時鐘速頻率(MHz) X總線寬度(bits) X每時鐘數(shù)據(jù)段數(shù)量/ 8。ECC校驗為了防止內(nèi)存中的數(shù)據(jù)發(fā)生錯誤,需要對字節(jié)中的數(shù)據(jù)位進行奇偶校驗。 奇偶校 驗對于保證數(shù)據(jù)的正確讀寫起到很關(guān)鍵的作用,尤其是在數(shù)據(jù)量非常大的計算中。 標(biāo)準(zhǔn)型的內(nèi)存條有的有校驗位,有的沒有;非標(biāo)準(zhǔn)的內(nèi)存條均有奇偶校驗位。ECC 是 Error Correction Coding 或 Error Checking and Correcting 的縮寫,代
3、 表具有自動糾錯功能的內(nèi)存,可以糾正一位二進制數(shù)的錯誤。 ECC內(nèi)存也是在 原來的數(shù)據(jù)位上外加位來實現(xiàn)的。當(dāng)數(shù)據(jù)的位數(shù)增加一倍,Parity也增加一倍,而ECC只需增加一位,當(dāng)數(shù)據(jù)為64位時所用的ECC只需增加一位,當(dāng)數(shù)據(jù)為 64位時所用的ECC和Parity位數(shù)相同。tCKtCK (TCLK)指系統(tǒng)時鐘周期,表示SDRAM所能運行的最大頻率。數(shù)字越小 說明SDRAM芯片所能運行的頻率越高。對于一片普通的PC-100 SRDAM來說, 其芯片上的標(biāo)識-100表示它的運行時鐘周期為10ns,即可以在100MHz的外頻 下正常工作。大多數(shù)內(nèi)存標(biāo)號的尾數(shù)表示的就是 tCK周期。P133標(biāo)準(zhǔn)要求tCK
4、 不大于7.5ns。tACtAC (Access Time from CLK )是最大CAS延遲時的最大數(shù)輸入時鐘。 PC100 規(guī)范要求在CL = 3時,tAC不大于6nso某些內(nèi)存標(biāo)號的位數(shù)表示這個值。目 前大多數(shù)SDRAM芯片的存取時間為5、6、7、8或10ns。這不同于系統(tǒng)時鐘 周期,它們之間有著本質(zhì)的區(qū)別CLCL (CAS Latency )為CAS的延遲時間,是縱向地址脈沖的反應(yīng)時間,也是在 一定頻率下衡量支持不同規(guī)范的內(nèi)存的重要標(biāo)志之一。如現(xiàn)在大多數(shù)的SDRAM都能運行在CAS Latency =2或3的模式下,也就是說這時它們讀取數(shù)據(jù)的延遲 時間可以是2個時鐘周期也可以是3個時
5、鐘周期。在SDRAM的制造過程中, 可以將這個特性寫入 SDRAM的EEPROM中,在開機時主板的BIOS就會檢查 此項內(nèi)容,并以CL=2這一默認模式運行。對于PC100內(nèi)存來說,就是要求當(dāng)CL = 3時,tCK的數(shù)值要小于10ns, tAC 要小于6nso至于為什么強調(diào)是CL=3的時候,這是因為對于同一個內(nèi)存條當(dāng) 設(shè)置成不同的CL數(shù)值時,tCK的值可能是不相同的,當(dāng)然tAC的值也是不太可 能相同的??傃舆t時間的計算公式為:總延遲時間=系統(tǒng)時鐘周期+存儲時間, 如某PC100內(nèi)存的存取時間為6ns,假設(shè)CL模式數(shù)為2即CL = 2,則總延遲 時間=10nsX2 + 6ns = 26ns,這就是
6、評價內(nèi)存性能高低的重要數(shù)值。對于將 PC100、PC133內(nèi)存只使用在66MHz或100MHz總線下的用戶,強烈建議將 CL的數(shù)值設(shè)置為2,這樣你的內(nèi)存無疑會有更好的性能。7行地址控制器(CAS)行地址控制器(CAS)可能是最能決定內(nèi)存模塊對數(shù)據(jù)請求進行響應(yīng)的因素之一了。通常把行地址控制器叫做 CAS延遲,一般來說,在SDR SDRAM中,可以 設(shè)定為2或者3 (當(dāng)然是根據(jù)自己內(nèi)存的具體情況而定)。對于DDR內(nèi)存來說, 一般常用的設(shè)定為2或者2.5。內(nèi)存中最基本的存儲單元就是柱面,而這些柱面通過行和列的排列組成了一個矩 陣,每個行和列的坐標(biāo)集就代表了一個惟一的地址。 所以內(nèi)存在存取數(shù)據(jù)的時候
7、是根據(jù)行和列的地址集來進行數(shù)據(jù)搜索的。8 尋址到可用(Trp) /GAS到RAS (CMD)相對而言,Trp以及CMD時間并沒有CAS時間那么重要,但是也足以影響內(nèi)存 的性能。一般這里的設(shè)置值為 3 (時鐘循環(huán)),如果把這個值改小為 2,就可以 提升一點內(nèi)存性能。9列地址控制器(RAS) /其他延遲內(nèi)存本身就是一個非常復(fù)雜的零部件, 可以這么說,計算機內(nèi)部工作過程最復(fù)雜 的就是存儲器了。但是幸好這些煩瑣的工作對于我們這些最終用戶來說是透明的, 而我們平時用來判斷內(nèi)存性能、質(zhì)量好壞的這些參數(shù)也只是其中的一部分而已。在此必須提及RAS延遲和另外兩個延遲。RAS通常為6個始終循環(huán),但是實際 上在超頻
8、中可以將它修改為5。SPD (用的存在探測)SPD是1個8針的SOIC封裝256字節(jié)的EEPROM 芯片。型號多為24LC01B , 一般處于內(nèi)存條正面的右側(cè),里面記錄了諸如內(nèi)存的速度、容量、電壓與行、列 地址帶寬等參數(shù)信息。當(dāng)開機時,計算機的 BIOS將自動讀取SPD中記錄的信 息,如果沒有SPD,就容易出現(xiàn)死機或致命錯誤的現(xiàn)象。ECC (Error Checking and Correcting )錯誤檢查和糾正。與奇偶校驗類似,它不但能檢測到錯誤的地方,還可以糾正絕 大多數(shù)錯誤。它也是在原來的數(shù)據(jù)位上外加位來實現(xiàn)的, 這些額外的位是用來重 建錯誤數(shù)據(jù)的。只有經(jīng)過內(nèi)存的糾錯后,計算機操作指
9、令才可以繼續(xù)執(zhí)行。DIMM (Dual In-line Memory Modules )雙邊接觸內(nèi)存模組。也就是說這種類型接口內(nèi)存的插板兩邊都有數(shù)據(jù)接口觸片,這種接口模式的內(nèi)存廣泛應(yīng)用于現(xiàn)在的計算機中,通常為84針。由于是雙邊的,共有84X2= 168線接觸,所以人們常把這種內(nèi)存稱為 168線內(nèi)存。SIMM (Single In-line Memory Modules )單邊接觸內(nèi)存模組,是5x86及其較早的PC中常采用的內(nèi)存接口方式。在 486 以前,多采用30針的SIMMS口,而在Pentium中更多的是72針的SIMMg口, 或者與DIMMg口類型并存。人們通常把72線的SIM源型內(nèi)存模
10、組直接稱為72 線內(nèi)存。,內(nèi)存的發(fā)展起初,電腦所使用的內(nèi)存是一塊塊的IC ,我們必須把它們焊接到主機板上才能正常使用,一旦某一塊內(nèi)存IC壞了,必須焊下來才能更換,這實在是太費勁了。后來,電腦設(shè)計人員 發(fā)明了模塊化的條裝內(nèi)存,每一條上集成了多塊內(nèi)存IC,相應(yīng)地,在主板上設(shè)計了內(nèi)存插槽,這樣,內(nèi)存條就可隨意拆卸了,從此,內(nèi)存的維修和擴充都變得非常方便。根據(jù)內(nèi)存條上的引腳多少,我們可以把內(nèi)存條分為30線、72線、168線等幾種。30線與72線的內(nèi)存條又稱為單列存儲器模塊SIMM ,168線的內(nèi)存條又稱為雙列存儲器模塊DIMM 。目前30線內(nèi)存條已經(jīng)沒有了;前兩年的流行品種是72線的內(nèi)存條,其容量一般
11、有4兆、8兆、16兆和32兆等幾種;目前市場的主流品種是168線內(nèi)存條,168線內(nèi)存條的容量一般有16兆、32兆、64兆、128兆等幾種,一般的電腦插一條就 OK 了,不過, 只有基于VX、TX、BX芯片組的主板才支持 168線的內(nèi)存條。起初,電腦所使用的內(nèi)存是一塊塊的IC ,我們必須把它們焊接到主機板上才能正常使用,一旦某一塊內(nèi)存IC壞了,必須焊下來才能更換,這實在是太費勁了。后來,電腦設(shè)計 人員發(fā)明了模塊化的條裝內(nèi)存,每一條上集成了多塊內(nèi)存IC,相應(yīng)地,在主板上設(shè)計了內(nèi)存插槽,這樣,內(nèi)存條就可隨意拆卸了,從此,內(nèi)存的維修和擴充都變得非常方便。根據(jù)內(nèi)存條上的引腳多少,我們可以把內(nèi)存條分為30
12、線、72線、168線等幾種。30線與72線的內(nèi)存條又稱為單列存儲器模塊SIMM ,168線的內(nèi)存條又稱為雙列存儲器模塊DIMM 。目前30線內(nèi)存條已經(jīng)沒有了;前兩年的流行品種是72線的內(nèi)存條,其容量一般有4兆、8兆、16兆和32兆等幾種;目前市場的主流品種是168線內(nèi)存條,168線內(nèi)存條的容量一般有16兆、32兆、64兆、128兆等幾種,一般的電腦插一條就 OK 了,不過, 只有基于VX、TX、BX芯片組的主板才支持 168線的內(nèi)存條。內(nèi)存條的分類內(nèi)存條分為DRAM和ROM兩種,前者又叫動態(tài)隨機存儲器,它的一個主要特征是斷電后數(shù)據(jù)會丟失,我們平時說的內(nèi)存就是指這一種;后者又叫只讀存儲器,我們平
13、時開機首先啟動的是存于主板上 ROM中的BIOS程序,然后再由它去調(diào)用硬盤中的Windows98或Windows95 系統(tǒng),ROM的一個主要特征是斷電后數(shù)據(jù)不會丟失。內(nèi)存條的性能指標(biāo)1.速度對內(nèi)存來說,速度就是生命。內(nèi)存的速度用每存取一次數(shù)據(jù)所需要的時間來衡量(單位為ns ,即納秒)。這個時間越短,速度就越快,也就標(biāo)志著內(nèi)存的性能越高。普通EDO內(nèi)存速度約為60ns左右,目前最常見的 SDRAM 速度則在515ns之間。.bit 、數(shù)據(jù)寬度和帶寬內(nèi)存的數(shù)據(jù)寬度是指內(nèi)存單位時間內(nèi)傳輸?shù)臄?shù)據(jù)量,以bit為單位。bit也叫 位”,是計算機中的最小容量單位, 它只有0和1兩種狀態(tài)。8個連續(xù)的比特叫做一
14、個字節(jié) (byte )。 而我們所說的內(nèi)存帶寬通常指的是內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸速率。.關(guān)于內(nèi)存的線”我們平時所說的內(nèi)存多少線”,就是指內(nèi)存條與主板插接時有多少個接觸點,這些接觸點就是所謂的 金手指”,有30線、72線和168線的分別。30線的內(nèi)存條為每條8bit的 規(guī)格,72線的內(nèi)存條是每條 32bit的規(guī)格,168線的內(nèi)存條是每條 64bit的規(guī)格。如今的 電腦因為使用64bit數(shù)據(jù)存取方式,若使用 168線的內(nèi)存條一條就可以滿足要求,所以目 前的主板上都配有(甚至是只配有)168線內(nèi)存條插槽。168線內(nèi)存條的容量有16MB、32MB、64MB、128MB 甚至256MB 等。如今30線內(nèi)存條已難覓
15、蹤影,72線內(nèi)存條也漸漸被淘汰,而168線內(nèi)存條已經(jīng)成為時下的主流。.容量每個時期內(nèi)存條的容量都分為多種規(guī)格, 比如早期的30線內(nèi)存條就有256KB、1MB、 4MB、8MB等容量,后來 72線白E EDO內(nèi)存又有4MB、8MB、16MB 等容量,眼下我們 使用的168線SDRAM內(nèi)存以32MB、64MB、128MB 這幾種容量最為常見。.內(nèi)存的電壓現(xiàn)在常用的SDRAM 一般使用3.3V電壓,而早先的FPM內(nèi)存和EDO內(nèi)存均使用5V 電壓(關(guān)于FPM內(nèi)存和EDO內(nèi)存請參見后文)。.SPD ( Serial Presence Detect )SPD 是 1 個 8 針的 EEPROM (Elec
16、trically Erasable Programmable ROM,電可擦寫可編程只讀存儲器)芯片。里面保存著諸如內(nèi)存的速度、容量、芯片及內(nèi)存模組廠商等 信息。每次開機時,BIOS都會自動讀取SPD中所記錄的信息,隨后就能正確識別出內(nèi)存, 使之以最佳狀態(tài)工作,確保系統(tǒng)的穩(wěn)定。.TCK C Clock Cycle Time )即內(nèi)存時鐘周期,由外頻所決定。可簡單定義為TCK=1/F , F為工作時的外頻。例如系統(tǒng)在100MHz 外頻工作時 TCK=10ns ,工作在142.857MHz 外頻時TCK=7ns 。.CAS 等待時間(CAS Latency )CAS等待時間(CL)指的是CAS信號
17、需要經(jīng)過多少個時鐘周期之后才能讀寫數(shù)據(jù)。 目前符合PC100規(guī)范的SDRAM的CAS等待時間值有 2和3兩種,標(biāo)準(zhǔn)值為2 ,但為了 穩(wěn)定也可降為3。頻率相同的條件下,CAS等待時間為2的內(nèi)存較該值為3的內(nèi)存速度更快。在SDRAM 的制造過程中,這些參數(shù)被寫入SDRAM 的EEPROM (就是SPD )中,在開機時主板的 BIOS會自動檢查該參數(shù)。內(nèi)存條的使用注意事項(1)在不同的主板上提供了 30線、72線或168線的內(nèi)存插槽,對應(yīng)的應(yīng)該使用合 適的內(nèi)存。大多數(shù) 586 (以上的)主板上同時提供了72線和168線內(nèi)存插槽,但除少數(shù)主板外,一般不能同時使用兩種內(nèi)存,因為二者的電壓不同。(2)在主板上成組提供了內(nèi)存插槽,1組稱為1個BANK ,內(nèi)存使用時必須成組地至少插滿1個BANK。586主板上必須成對使用 72線內(nèi)存條,而168線內(nèi)存條可以單條使 用。同時成組使用的內(nèi)存必須容量相同,其它參數(shù)也應(yīng)
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