半導(dǎo)體分立器件文字符號 編制說明

《半導(dǎo)體分立器件文字符號》（征求意見稿）編制說明半導(dǎo)體分立器件文字符號是半導(dǎo)體分立器件廠商制定產(chǎn)品資料必須要用到為半導(dǎo)體分立器件行業(yè)期待解決的問題。自GB/T11499-202024年2月，針對IEC原文進行技術(shù)背景調(diào)研、國內(nèi)外對比分析技術(shù)的適用本標(biāo)準(zhǔn)屬于標(biāo)準(zhǔn)體系中半導(dǎo)體器件-分立器件-基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)-文字符號。為保證量水平與國際接軌，本標(biāo)準(zhǔn)參考IEC60747系列中有關(guān)各類產(chǎn)品（二極管、晶體本標(biāo)準(zhǔn)修訂GB/T11499-2001《半導(dǎo)體分立器件文字符號》。制定本標(biāo)準(zhǔn)對2)刪除了原標(biāo)準(zhǔn)“電流，電壓和功率文字符號規(guī)則匯總表”、“規(guī)則1)刪除了“電壓、電流和功率的下標(biāo)”、“電參數(shù)的下標(biāo)”、文字符2)刪除了文字符號表“電壓”、“電流”、“功率”、“開關(guān)”的部1)刪除了“信號二極管（包括開關(guān)二極管）下標(biāo)的補充規(guī)定”、“電3)刪除了文字符號表“電壓”、“電流”、“其他”的部分內(nèi)容（見，（2)增加了體效應(yīng)二極管的脈沖擊穿電壓文字符號，V(BR)（見6.4.1）。1)增加了雙極型晶體管（微波領(lǐng)域用）文字符號表（見6.5.1）。1)增加了場效應(yīng)晶體管（微波領(lǐng)域用）文字符號表（見6.6.1）。），3)通態(tài)過載電流I(OV)更改為IT(OV)，斷態(tài)直流電流），（）（）5)增加了輸入反射系數(shù)、輸出反射系數(shù)、正向傳輸系數(shù)和反向傳輸系數(shù)在共發(fā)射極組態(tài)、共基極組態(tài)、共集電極組態(tài)下的文字符號表示），VGE(th)”），見）；）；2)刪除了文字符號表“電壓”、“電流”、“耗散功率”、“其他參，（）；（P溝道）源極峰值電流ISMP溝道）規(guī)定柵-漏條件時的源極電）；）；反射系數(shù)、輸出反射系數(shù)、正向傳輸系數(shù)和反向傳輸系數(shù)在共發(fā)射極組態(tài)、共基極組態(tài)、共集電極組態(tài)下的文字符號表示形式（見）；三、試驗驗證的分析、綜述報告，技術(shù)經(jīng)濟論證，預(yù)期的經(jīng)濟效益、社會本標(biāo)準(zhǔn)修訂主要參考IEC60747系列中有關(guān)各類產(chǎn)品文字符號的內(nèi)容，除編輯性修改外，本標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容與IEC60747系列中有關(guān)各類產(chǎn)品文字符號的內(nèi)容保持五、以國際標(biāo)準(zhǔn)為基礎(chǔ)的起草情況，以及是否合規(guī)引用或者采用國際國外本標(biāo)準(zhǔn)采用翻譯法，主要參考IEC60747系列中各類產(chǎn)品文字符號的內(nèi)容，標(biāo)準(zhǔn)的技術(shù)內(nèi)容與IEC標(biāo)準(zhǔn)一致。值得注意的是，國體管的文字符號表，其余內(nèi)容均參考IEC60747系列各類訂。本標(biāo)準(zhǔn)參考標(biāo)準(zhǔn)的章節(jié)結(jié)構(gòu)根據(jù)行文自擬。本標(biāo)準(zhǔn)與IEC本標(biāo)準(zhǔn)在體系中的位置為半導(dǎo)體器件-分立器件-基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)-文字符號,與現(xiàn)——GB/T15291《半導(dǎo)體器件第6）；——《半導(dǎo)體器件分立器件第3部分：信號、開關(guān)和調(diào)整二極管》（計劃——GB/T20516《半導(dǎo)體器件分立器件第4部分：微波二極管和晶體管》——《半導(dǎo)體器件第14-2部分：半導(dǎo)體傳——《半導(dǎo)體器件第14-5部分：半