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1、.:.;微星H61主板BIOS設(shè)置12021-07-21 17:47BIOS根底設(shè)置可點(diǎn)擊放大可點(diǎn)擊放大 一、主菜單該菜單顯示根本硬件配置和設(shè)置日期時(shí)間可點(diǎn)擊放大 二、高級(jí)設(shè)置菜單該菜單設(shè)置主板的I/O設(shè)備和電源管理可點(diǎn)擊放大 1、PCI子系統(tǒng)設(shè)置可點(diǎn)擊放大 1-1、PCI延遲時(shí)間可點(diǎn)擊放大 設(shè)置PCI延遲時(shí)間。延遲時(shí)間以PCI總線時(shí)鐘為單位。比如第一個(gè)設(shè)置就是延遲32個(gè)PCI總線時(shí)鐘。英特爾在6系列芯片組取消了PCI總線。當(dāng)前主板上的PCI是第3方芯片從PCIE轉(zhuǎn)接的。假設(shè)有些PCI卡呼應(yīng)慢,系統(tǒng)檢測(cè)不到,可以添加延遲時(shí)間。 2、ACPI設(shè)置可點(diǎn)擊放大 2-1、ACPI待機(jī)形狀可點(diǎn)擊放大 A

2、CPI待機(jī)形狀有S1和S3。S1是只封鎖顯示,S3是只堅(jiān)持內(nèi)存有+5V SB供電,其他都停頓供電。都默許是S3,可點(diǎn)擊放大 2種形狀,閃爍和雙色。電源指示燈形狀設(shè)置要與機(jī)箱的只是等配置有關(guān)。并請(qǐng)參看闡明書(shū)有關(guān)指示燈的銜接。 3、整合外圍設(shè)備可點(diǎn)擊放大 3-1、板載網(wǎng)卡可點(diǎn)擊放大開(kāi)啟/封鎖板載網(wǎng)卡。默許是開(kāi)啟。 3-2、網(wǎng)卡ROM可點(diǎn)擊放大 開(kāi)啟/封鎖網(wǎng)卡啟動(dòng)ROM。這項(xiàng)是設(shè)置網(wǎng)卡啟動(dòng)的。開(kāi)啟,就是從網(wǎng)卡ROM啟動(dòng)。普通無(wú)盤網(wǎng)要設(shè)置為開(kāi)啟。 3-3、SATA配置可點(diǎn)擊放大 這是H61的SATA配置。有IDE和AHCI 2種方式。默許是IDE。當(dāng)配置為AHCI時(shí),彈出熱插拔設(shè)置菜單。可點(diǎn)擊放大 開(kāi)

3、起/封鎖熱插拔,默許是封鎖的。硬盤設(shè)置為熱插拔后,這個(gè)SATA接口就可以銜接eSATA HYPERLINK mall.163/mobile/fill.html 挪動(dòng)硬盤,可以在開(kāi)機(jī)是插拔。 3-4、聲卡配置可點(diǎn)擊放大 開(kāi)啟/封鎖板載HD音頻解碼器,默許是開(kāi)啟。 3-5、HPET配置可點(diǎn)擊放大 開(kāi)啟/封鎖HPET,默許是開(kāi)啟。HPET的英文全稱是High Precision Event Timer高精度事件定時(shí)器。HPET是Intel制定的用以替代傳統(tǒng)的8254PIT中斷定時(shí)器與RTC定時(shí)器的新定時(shí)器。這是一個(gè)平安的選項(xiàng),即使他的硬件不支持HPET也不會(huì)呵斥問(wèn)題,由于它會(huì)自動(dòng)用8254交換。 4

4、、整合圖形設(shè)備可點(diǎn)擊放大 4-1、內(nèi)部圖形卡可點(diǎn)擊放大 設(shè)置項(xiàng)有IGD/PEG,默許是PEG。這是設(shè)置開(kāi)機(jī)時(shí)從那個(gè)顯卡顯示。IGD是內(nèi)部整合顯卡。PEG就是獨(dú)立顯卡。 小常識(shí): IGD是 內(nèi)置顯卡,設(shè)為首選項(xiàng)時(shí)系統(tǒng)首先初始化IGD。 PEG是PCIE顯卡,設(shè)為首選項(xiàng)時(shí)系統(tǒng)首先初始化PEG。 PCI是PCI顯卡,設(shè)為首選項(xiàng)時(shí)系統(tǒng)首先初始化PCI。 4-2、內(nèi)置顯卡共享內(nèi)存可點(diǎn)擊放大 設(shè)置內(nèi)置顯卡共享內(nèi)存的容量,設(shè)置項(xiàng)有32M/64M/128M。這里設(shè)置的是靜態(tài)共享顯存。實(shí)踐上英特爾的IGD還有動(dòng)態(tài)共享顯存,動(dòng)態(tài)共享顯存很大。 4-3、IGD雙顯設(shè)置可點(diǎn)擊放大 5、USB配置可點(diǎn)擊放大 5-1、U

5、SB控制器開(kāi)啟/封鎖USB控制器,默許是開(kāi)啟可點(diǎn)擊放大 5-2、傳統(tǒng)USB支持可點(diǎn)擊放大 開(kāi)啟/封鎖傳統(tǒng)USB支持,默許是開(kāi)啟。傳統(tǒng)USB就是USB1.0時(shí)代的USB設(shè)備。 5-3、板載USB3.0控制器可點(diǎn)擊放大 開(kāi)啟/封鎖板載USB3.0控制器,默許是開(kāi)啟。假設(shè)主板上有第三方的USB3.0控制器,就會(huì)有這個(gè)選項(xiàng)。 6、超級(jí)I/O配置可點(diǎn)擊放大 6-1、超級(jí)I/O配置菜單超級(jí)I/O芯片是F71869可點(diǎn)擊放大 6-2、串口配置開(kāi)啟/封鎖串口,默許是開(kāi)啟可點(diǎn)擊放大 6-2-1、設(shè)置串口I/O地址和中斷號(hào)可點(diǎn)擊放大 設(shè)置項(xiàng)有自動(dòng)和假設(shè)干IO地址、中斷號(hào)。這些選擇是防止地址、中斷沖突。假設(shè)遇到串口

6、地址、中斷與其他設(shè)備沖突,就要在這里換一個(gè)試試。 6-3、并口配置開(kāi)啟/封鎖并口,默許是開(kāi)啟可點(diǎn)擊放大 6-3-1、設(shè)置并口I/O地址和中斷號(hào)可點(diǎn)擊放大 設(shè)置項(xiàng)有自動(dòng)和假設(shè)干IO地址、中斷號(hào)。這些選擇是防止地址、中斷沖突。假設(shè)遇到并口地址、中斷與其他設(shè)備沖突,就要在這里換一個(gè)試試。 6-3-2、設(shè)備方式可點(diǎn)擊放大 并口設(shè)備有假設(shè)干方式,銜接并口設(shè)備后,要根據(jù)設(shè)備的方式在這里選擇與設(shè)備匹配的方式。 7、硬件監(jiān)控可點(diǎn)擊放大 7-1、監(jiān)控頁(yè)面可點(diǎn)擊放大 7-2、CPU智能風(fēng)扇設(shè)置可點(diǎn)擊放大 默許是封鎖的。開(kāi)啟CPU智能風(fēng)扇首先要設(shè)置目的溫度。目的溫度就是CPU的溫度,從40到70度,設(shè)置時(shí)選定一個(gè)溫

7、度,就是說(shuō)CPU在到達(dá)這個(gè)溫度前風(fēng)扇是低速轉(zhuǎn),到達(dá)這個(gè)溫度后風(fēng)扇加速。 7-2-1、設(shè)置風(fēng)扇最小轉(zhuǎn)速可點(diǎn)擊放大設(shè)定溫度目的后,彈出風(fēng)扇最小轉(zhuǎn)速設(shè)置,這里的轉(zhuǎn)速是按風(fēng)扇的實(shí)踐轉(zhuǎn)速百分比設(shè)置的。由于各種風(fēng)扇的實(shí)踐轉(zhuǎn)速是不一樣,不能按轉(zhuǎn)速設(shè)置,只能按百分比設(shè)置。 7-3、系統(tǒng)風(fēng)扇控制可點(diǎn)擊放大 這里是控制系統(tǒng)風(fēng)扇的轉(zhuǎn)速,有三檔,百分之50、75、100。系統(tǒng)風(fēng)扇1和2設(shè)置方法一樣。微星H61主板BIOS設(shè)置22021-07-21 18:31電源管理設(shè)置 HYPERLINK pingce.people/uploadImages/2021/117/XS158MG3P287_02.JPG t _blank

8、 可點(diǎn)擊放大可點(diǎn)擊放大 HYPERLINK pingce.people/uploadImages/2021/117/4F726OT0X2MG_01.JPG t _blank 開(kāi)啟/封鎖EUP2021,默許是開(kāi)啟。EUP2021是歐盟新的節(jié)能規(guī)范,要求電腦在待機(jī)形狀時(shí),功耗降低到歐盟的要求。開(kāi)啟EUP2021能夠?qū)е麻_(kāi)機(jī)加電時(shí)間略微延遲。AC掉電恢復(fù)后形狀可點(diǎn)擊放大 有三種形狀:關(guān)機(jī)/開(kāi)機(jī)/掉電前形狀,默許是關(guān)機(jī)。市電有時(shí)會(huì)掉電,這項(xiàng)設(shè)置就是應(yīng)對(duì)市電掉點(diǎn)后再來(lái)電電腦是開(kāi)機(jī),還是關(guān)機(jī),或者堅(jiān)持掉電前的形狀。CPU供電相管理可點(diǎn)擊放大 EUP2021設(shè)置 CPU供電普通是多相的脈寬調(diào)制PWM方式,當(dāng)

9、CPU空閑時(shí)不需求大電流,可以封鎖多余的供電相,降低供電電路的本身耗電。 CPU供電相管理有三項(xiàng)設(shè)置,APS方式/Intel SVID方式/封鎖,默許是Intel SVID方式。 APS方式Active Phase Switching也叫自動(dòng)相變換方式,是微星的動(dòng)態(tài)相位切換功能,其原理是根據(jù)CPU的負(fù)載調(diào)控PWM供電的相數(shù)。 Intel SVID方式Serial Voltage Identification是英特爾VRD12供電規(guī)格采用的串行電壓識(shí)別。英特爾的EIST就是根據(jù)SVID總線偵測(cè)CPU電壓。根據(jù)CPU電壓來(lái)調(diào)控PWM供電的相數(shù)。 封鎖:封鎖CPU供電相切換功能喚醒事件設(shè)置可點(diǎn)擊放大

10、喚醒事件管理可點(diǎn)擊放大 設(shè)置喚醒事件由BIOS管理/OS管理。BIOS管理就需求做下面的設(shè)置。OS管理就要到OS里設(shè)置。時(shí)鐘喚醒 開(kāi)啟/封鎖時(shí)鐘喚醒,默許是封鎖。開(kāi)啟后彈出時(shí)間設(shè)置菜單可點(diǎn)擊放大設(shè)置時(shí)分秒可點(diǎn)擊放大PIC/PCIE設(shè)備喚醒開(kāi)啟/封鎖PIC/PCIE設(shè)備喚醒,默許是封鎖可點(diǎn)擊放大可點(diǎn)擊放大USB設(shè)備喚醒開(kāi)啟/封鎖USB設(shè)備喚醒,默許是封鎖可點(diǎn)擊放大PS2鍵盤喚醒PS2鍵盤喚醒有3項(xiàng)設(shè)置封鎖/任何一鍵/熱鍵可點(diǎn)擊放大開(kāi)啟/封鎖PS2鼠標(biāo)喚醒,默許是封鎖可點(diǎn)擊放大熱鍵設(shè)置熱鍵有Ctrl+Esc/Ctrl+F1/Ctrl+Space可點(diǎn)擊放大超頻菜單該菜單主要設(shè)置CPU、GPU、DRA

11、M的頻率、電壓可點(diǎn)擊放大調(diào)整CPU倍率可點(diǎn)擊放大 回車彈出倍率選擇菜單,可以從中選擇。H61不支持CPU超頻,倍頻菜單最高倍率是CPU默許的倍率。超內(nèi)部PLL電壓可點(diǎn)擊放大 設(shè)置項(xiàng)有Auto/封鎖/開(kāi)啟,默許是自動(dòng)。這是自動(dòng)提升CPU時(shí)鐘信號(hào)電壓。對(duì)K字CPU超頻很有協(xié)助 。但是在H61主板BIOS中出現(xiàn),沒(méi)有用途了。EIST設(shè)置可點(diǎn)擊放大 開(kāi)啟/封鎖EIST,默許開(kāi)啟。EIST全稱為“Enhanced Intel Speed Step Technology, 是Intel公司專門為挪動(dòng)平臺(tái)和效力器平臺(tái)處置器開(kāi)發(fā)的一種節(jié)電技術(shù)。到后來(lái),新推出的桌面處置器也內(nèi)置了該項(xiàng)技術(shù)。EIST是根據(jù)處置器負(fù)

12、載來(lái)調(diào)理主頻和電壓的模塊,它的觸發(fā)機(jī)制同C1E halt state是不同的。操作系統(tǒng)、BIOS的支持是必需的,操作系統(tǒng)經(jīng)過(guò)ACPI進(jìn)展調(diào)理。EIST提供了更多的CPU頻率和電壓調(diào)理級(jí)別,因此可以比C1E halt更加準(zhǔn)確的調(diào)理處置器的形狀。Turbo Boost設(shè)置可點(diǎn)擊放大 開(kāi)啟/封鎖Turbo Boost,默許開(kāi)啟。英特爾第2代睿頻技術(shù)。CPU可以根據(jù)負(fù)載啟用中心數(shù)量,并自動(dòng)超頻。單核任務(wù)時(shí)頻率可提高20%。微星H61主板BIOS設(shè)置32021-07-21 19:02 OC Genie按鈕可點(diǎn)擊放大 開(kāi)啟/封鎖 OC Genie按鈕,默許是封鎖。這是一鍵超頻功能,在H61主板上沒(méi)有作用。

13、內(nèi)存頻率設(shè)置可點(diǎn)擊放大 回車彈出頻率選擇菜單。H61也不支持內(nèi)存超頻,默許的頻率最高是1333MHz。開(kāi)啟/封鎖XMP,默許是封鎖。XMP在H61主板上也不起作用可點(diǎn)擊放大DRAM時(shí)序方式可點(diǎn)擊放大 這里的設(shè)置有Auto/Link/Unlink,Auto就是按內(nèi)存的SPD參數(shù)自動(dòng)設(shè)置,Link/Unlink是手動(dòng)設(shè)置,Link是雙通道用同一個(gè)時(shí)序設(shè)置,Unlink是2個(gè)通道分開(kāi)設(shè)置時(shí)序。當(dāng)設(shè)置了Link/Unlink后,下面的Advanced DRAM Configuration變?yōu)榭刹僮鞯?,以便于手?dòng)設(shè)置內(nèi)存時(shí)序。內(nèi)存時(shí)序設(shè)置可點(diǎn)擊放大第一梯隊(duì)的六個(gè)參數(shù) 這6個(gè)參數(shù)是最重要的,可以在CPU-

14、Z里面看到。其中CL、RCD、RP是JEDEC規(guī)范排名前三的重要參數(shù)。Command Rate:命令速率,也稱之為CR,Command Mode。設(shè)置參數(shù)有1T/2T/3T。這個(gè)選項(xiàng)是內(nèi)存控制器開(kāi)場(chǎng)發(fā)送命令到命令被送到內(nèi)存芯片的延遲。延遲時(shí)間以周期為單位。1T當(dāng)然比2T快。但是要根據(jù)內(nèi)存條的性能。性能低的設(shè)置1T后一定要藍(lán)屏死機(jī)。普通堅(jiān)持Auto設(shè)置即可,讓BIOS本人去設(shè)置。t CL:參數(shù)范圍5-15T。CL就是CAS# Latency,列地址選通埋伏時(shí)間,指的是“內(nèi)存讀寫(xiě)操作前列地址控制器的埋伏時(shí)間。CAS控制從接受一個(gè)指令到執(zhí)行指令之間的時(shí)間。由于CAS主要控制十六進(jìn)制的地址,或者說(shuō)是內(nèi)

15、存矩陣中的列地址,所以它是最為重要的參數(shù),在穩(wěn)定的前提下應(yīng)該盡能夠設(shè)低。 tRCD:參數(shù)范圍4-15T。RCD就是RAS# to CAS# Delay,行地址到列地址的延遲時(shí)間,數(shù)值越小,性能越好。對(duì)內(nèi)存進(jìn)展讀、寫(xiě)或刷新操作時(shí),需求在這兩種脈沖信號(hào)之間插入延遲時(shí)鐘周期。JEDEC規(guī)范中,它是排在第二的參數(shù),降低此延時(shí),可以提高系統(tǒng)性能,假設(shè)該值設(shè)置太低,同樣會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)不穩(wěn)定。tRP:參數(shù)范圍4-15T。RP就是Row# precharge Delay,內(nèi)存行地址選通脈沖預(yù)充電時(shí)間。也叫做“內(nèi)存行地址控制器預(yù)充電時(shí)間,預(yù)充電參數(shù)越小那么內(nèi)存讀寫(xiě)速度就越快。tRP用來(lái)設(shè)定在另一行能被激活之前,RA

16、S需求的充電時(shí)間。tRP參數(shù)大會(huì)導(dǎo)致一切的行激活延遲過(guò)長(zhǎng),參數(shù)小可以減少預(yù)充電時(shí)間,從而更快地激活下一行。該參數(shù)的大小取決于內(nèi)存顆粒的體質(zhì),參數(shù)小將獲取最高的性能,但能夠會(huì)呵斥行激活之前的數(shù)據(jù)喪失,內(nèi)存控制器不能順利地完成讀寫(xiě)操作,從而導(dǎo)致系統(tǒng)不穩(wěn)定。參數(shù)值大將提高系統(tǒng)的穩(wěn)定。 這3個(gè)參數(shù)是JEDEC規(guī)范中最重要的參數(shù),參數(shù)值越低,內(nèi)存讀寫(xiě)操作越快,但穩(wěn)定性下降,相反數(shù)值越高,讀寫(xiě)速度降低,穩(wěn)定性越高。 tRAS:參數(shù)范圍10-40T。RAS就是Row# active Delay,內(nèi)存行地址選通延遲。即“內(nèi)存行有效至預(yù)充電的最短周期,調(diào)整這個(gè)參數(shù)要根據(jù)實(shí)踐情況而定,并不是說(shuō)越大或越小就越好。假

17、設(shè)tRAS的周期太長(zhǎng),系統(tǒng)會(huì)由于無(wú)謂的等待而降低性能。降低tRAS周期,那么會(huì)導(dǎo)致已被激活的行地址會(huì)更早的進(jìn)入非激活形狀。假設(shè)tRAS的周期太短,那么能夠因缺乏足夠的時(shí)間而無(wú)法完成數(shù)據(jù)的突發(fā)傳輸,這樣會(huì)引發(fā)喪失數(shù)據(jù)或損壞數(shù)據(jù)。該值普通設(shè)定為CAS latency + tRCD + 2個(gè)時(shí)鐘周期。為提高系統(tǒng)性能,應(yīng)盡能夠降低tRAS的值,但假設(shè)發(fā)生內(nèi)存錯(cuò)誤或系統(tǒng)死機(jī),那么應(yīng)該增大tRAS的值。 tRFC:參數(shù)范圍48-200T。RFC就是Refresh Cycle Time,刷新周期時(shí)間。它是“SDRAM行刷新周期時(shí)間,它是行單元刷新所需求的時(shí)鐘周期數(shù)。該值也表示向一樣的bank中的另一個(gè)行單元

18、兩次發(fā)送刷新指令(即:REF指令)之間的時(shí)間間隔。tRFC值越小越好,它比tRC的值要稍高一些。DRAM參數(shù)的第二梯隊(duì) tWR:參數(shù)范圍5-16T。WR就是Write Recovery Time,寫(xiě)恢復(fù)延時(shí)。該值指的是在一個(gè)激活的bank中完成有效的寫(xiě)操作及預(yù)充電前,必需等待多少個(gè)時(shí)鐘周期。這段必需的時(shí)鐘周期用來(lái)確保在預(yù)充電發(fā)生前,寫(xiě)緩沖中的數(shù)據(jù)可以被寫(xiě)進(jìn)內(nèi)存單元中。同樣的,過(guò)低的tWD雖然提高了系統(tǒng)性能,但能夠?qū)е聰?shù)據(jù)還未被正確寫(xiě)入到內(nèi)存單元中,就發(fā)生了預(yù)充電操作,會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)的喪失及損壞。 tWTR:參數(shù)范圍4-15T。WTR就是Write to Read Delay,寫(xiě)到讀延時(shí)。這個(gè)參數(shù)設(shè)

19、定向DDR內(nèi)存模塊的同一個(gè)單元中,在最后一次有效的寫(xiě)操作和下一次讀操作之間必需等待的時(shí)鐘周期。tWTR值偏高,降低了讀性能,但提高了系統(tǒng)穩(wěn)定性。偏低那么提高讀寫(xiě)性能,但系統(tǒng)會(huì)不穩(wěn)定。 tRRD:參數(shù)范圍1-15T。RRD就是Row to Row Delay,行到行延遲。也稱為RAS to RAS delay ,表示“行單元到行單元的延時(shí)。該值也表示向一樣的bank中的同一個(gè)行單元兩次發(fā)送激活指令(即:REF指令)之間的時(shí)間間隔。tRRD值越小越好。延遲越低,表示下一個(gè)bank能更快地被激活,進(jìn)展讀寫(xiě)操作。然而,由于需求一定量的數(shù)據(jù),太短的延遲會(huì)引起延續(xù)數(shù)據(jù)膨脹。假設(shè)出現(xiàn)系統(tǒng)不穩(wěn)定的情況,需將此

20、值設(shè)定較高的時(shí)鐘參數(shù)。 tRTP:參數(shù)范圍4-15T。RTP就是DRAM READ to PRE Time,內(nèi)部讀取到預(yù)充電命令時(shí)間。這個(gè)參數(shù)實(shí)踐上就是讀命令和預(yù)充電明令之間的時(shí)間間隔。假設(shè)參數(shù)值過(guò)小,系統(tǒng)運(yùn)轉(zhuǎn)很快,但不穩(wěn)定。 tFAW:參數(shù)范圍4-63T。FAW就是DRAM FOUR ACT WIN Time,內(nèi)存四項(xiàng)動(dòng)作勝利時(shí)間。該選項(xiàng)通常設(shè)置為Auto即可,對(duì)性能以及穩(wěn)定性影響不大。 tWCL:參數(shù)范圍5-15T。WCL就是Write CAS Latency,寫(xiě)指令到行地址控制器延時(shí)。SDRAM內(nèi)存是隨機(jī)訪問(wèn)的,這意味著內(nèi)存控制器可以把數(shù)據(jù)寫(xiě)入恣意的物理地址,大多數(shù)情況下,數(shù)據(jù)通常寫(xiě)入間

21、隔 當(dāng)前列地址最近的頁(yè)面。這個(gè)參數(shù)和tCLCAS-Latency是相對(duì)的,tCL是“讀的延遲,tWCL是“寫(xiě)的延遲。 tCKE:參數(shù)范圍3-15T。CKE是時(shí)鐘有效信號(hào)Clock Enable,在這里這個(gè)參數(shù)叫做CKE Minimum Plus Width,就是CKE最小脈沖寬度。 tRTL:參數(shù)范圍24-64T。RTL就是DRAM Round Trip Latency,在一個(gè)UCLKNB Clock內(nèi)往返讀取假設(shè)干單元之間的最小延遲。高級(jí)通道1時(shí)序配置 這個(gè)梯隊(duì)是讀寫(xiě)通道1內(nèi)存的特殊參數(shù)可點(diǎn)擊放大 tRRDR:Read-Read Different Rank,same DIMM。這個(gè)參數(shù)的含

22、義是在同一個(gè)DIMM就是同一條內(nèi)存內(nèi),讀取不同RANK的延遲。 tRRDD:Read-Read Different Rank。這個(gè)參數(shù)的含義是讀取不同RANK的延遲包括了一切DIMM。tWWDR:Write-Write Different Rank,same DIMM。這個(gè)參數(shù)的含義是在同一個(gè)DIMM就是同一條內(nèi)存內(nèi),寫(xiě)不同RANK的延遲。tWWDD:Write-Write Different Rank。這個(gè)參數(shù)的含義是寫(xiě)不同RANK的延遲包括了一切DIMM。tRWDRDD:Read-Write Different Ranks same or Different DIMM。這個(gè)參數(shù)的含義是在同

23、一內(nèi)存條或不同內(nèi)存條上讀-寫(xiě)不同的RANK的延遲。 tWRDRDD:Write-Read Different Ranks same or Different DIMM。這個(gè)參數(shù)的含義是在同一內(nèi)存條或不同內(nèi)存條上寫(xiě)-讀不同的RANK的延遲。 tRWSR:Read-Write Same Rank。這個(gè)參數(shù)的含義是讀-寫(xiě)同一個(gè)RANK的延遲。JEDEC的DDR3時(shí)序表可點(diǎn)擊放大集顯超頻開(kāi)啟/封鎖集顯超頻,默許是開(kāi)啟可點(diǎn)擊放大可點(diǎn)擊放大 集顯超頻也是設(shè)置GPU的倍率。由于基頻與CPU一樣。可以鍵入數(shù)字,也可以用+/-鍵調(diào)整倍頻。 HYPERLINK pingce.people/uploadImages

24、/2021/117/4F726OT0X2MG_01.JPG t _blank 今日這篇主要引見(jiàn)電源管理、喚醒事件設(shè)置、熱鍵設(shè)置與超頻菜單、內(nèi)存時(shí)序、集顯超頻等設(shè)置方法,大家看明白了嗎?有任何問(wèn)題都可以在下面留言板中進(jìn)展留言,筆者看到后會(huì)第一時(shí)間內(nèi)回復(fù)您,看YESKY主板頻道文章,您將成為DIY圈中高手,朋友們眼中的電腦狂人。微星H61主板BIOS設(shè)置52021-07-21 19:11頻展設(shè)置開(kāi)啟/封鎖頻展,默許是開(kāi)啟。這項(xiàng)設(shè)置有利于超頻穩(wěn)定 HYPERLINK product.yesky/memory/ t _blank 內(nèi)存電壓設(shè)置Auto是內(nèi)存條的默許電壓。假設(shè)有由于內(nèi)存兼容不良而藍(lán)屏死機(jī)

25、,可以適當(dāng)提高高內(nèi)存電壓 HYPERLINK product.yesky/cpu/ t _blank CPU特征設(shè)置 HYPERLINK product.yesky/cpu/ t _blank CPU中心設(shè)置設(shè)置CPU任務(wù)的中心。設(shè)置項(xiàng)隨CPU的中心數(shù)而變化CPUID最大限制開(kāi)啟/封鎖CPUID最大限制,默許是封鎖。這項(xiàng)設(shè)置的含義是限制執(zhí)行CPUID指令前往最大數(shù)值大。CPU ID 包括了用戶計(jì)算機(jī)當(dāng)今的信息處置器的信息。 信息包括型號(hào),信息處置器家庭,高速緩存尺寸,時(shí)鐘速度和制造廠codename 等。 經(jīng)過(guò)查詢可以知道一些信息:晶體管數(shù),針腳類型,尺寸等。較新的 CPU 執(zhí)行 CPUID

26、指令后因前往最大數(shù)值能夠會(huì)呵斥某些 HYPERLINK product.yesky/os/ t _blank 操作系統(tǒng)誤動(dòng)作。WINDOW不需求開(kāi)啟。擴(kuò)展制止位開(kāi)啟/封鎖擴(kuò)展制止位,默許是開(kāi)啟。Execute Disable Bit是Intel在新一代處置器中引入的一項(xiàng)功能,開(kāi)啟該功能后,可以防止病毒、蠕蟲(chóng)、木馬等程序利用溢出、無(wú)限擴(kuò)展等手法去破壞系統(tǒng) HYPERLINK product.yesky/memory/ t _blank 內(nèi)存并獲得系統(tǒng)的控制權(quán)。其任務(wù)原理是:處置器在內(nèi)存中劃分出幾塊區(qū)域,部分區(qū)域可執(zhí)行運(yùn)用程序代碼,而另一些區(qū)域那么不允許。當(dāng)然,要實(shí)現(xiàn)處置器的“Execute Di

27、sable Bit功能,還需求操作系統(tǒng)的配合才行。如今Windows系統(tǒng)、Linux 9.2及Red Hat Enterprise Linux 3 Update 3等均支持這一功能。 虛擬機(jī)設(shè)置開(kāi)啟/封鎖虛擬機(jī),默許是封鎖的。安裝虛擬機(jī)時(shí)請(qǐng)開(kāi)啟I/O 虛擬分配技術(shù)設(shè)置開(kāi)啟/封鎖I/O 虛擬分配技術(shù),默許是封鎖。安裝虛擬機(jī)時(shí)請(qǐng)開(kāi)啟。英特爾 VT-d 是英特爾虛擬化技術(shù)硬件架構(gòu)的最新成員。VT-d 可以改良運(yùn)用的兼容性和可靠性,并提供更高程度的可管理性、平安性、隔離性和 I/O 性能,從而協(xié)助 VMM 更好地利用硬件。經(jīng)過(guò)運(yùn)用構(gòu)建在英特爾芯片組內(nèi)部的 VT-d 硬件輔助,VMM 可以獲得更出色的性

28、能、可用性、可靠性、平安性和可信度。 HYPERLINK product.yesky/power/ t _blank 電源技術(shù)設(shè)置設(shè)置項(xiàng)有封鎖Disable/能效Energy Efficient/自選Custom,默許是自選C1E支持開(kāi)啟/封鎖C1E支持,默許封鎖。C1E的全稱是C1E enhanced halt stat,由 HYPERLINK product.yesky/os/ t _blank 操作系統(tǒng)HLT命令觸發(fā),經(jīng)過(guò)調(diào)理倍頻降低處置器的主頻,同時(shí)還可以降低電壓。超頻維護(hù)開(kāi)啟/封鎖超頻維護(hù),默許是開(kāi)啟C-State開(kāi)啟/封鎖C-State,默許是開(kāi)啟。C-State是ACPI定義的處

29、置器的 HYPERLINK product.yesky/power/ t _blank 電源形狀。處置器電源形狀被設(shè)計(jì)為C0,C1, HYPERLINK product.yesky/product/201/202167/ t _blank C2,C3.。C0電源形狀是活潑形狀,即 HYPERLINK product.yesky/cpu/ t _blank CPU執(zhí)行指令。C1到Cn都是處置器睡眠形狀,即和C0形狀相比,處置器耗費(fèi)更少的能源并且釋放更少的熱量。但在這睡眠形狀下,處置器都有一個(gè)恢復(fù)到C0的喚醒時(shí)間,不同的C-State要耗費(fèi)不同的喚醒時(shí)間。 C-State與C1E的區(qū)別:C-Sta

30、te是ACPI控制的休眠機(jī)制,C1E是HLT指令控制的降低CPU頻率節(jié)能。C1E是C0形狀下的節(jié)能。Package C State Limit這是設(shè)置C形狀限制。假設(shè)限制到C0,C1E就不起作用,假設(shè)限制到C2,就不能進(jìn)入C3更節(jié)能的形狀,默許是自動(dòng),超頻時(shí)也可以設(shè)置為No Limit不限制。微星H61主板BIOS設(shè)置62021-07-21 19:24功耗設(shè)置Long Duration power limitW:長(zhǎng)時(shí)間TDP限制瓦。從功耗角度設(shè)定TDP,設(shè)置范圍0-255W。想超頻解開(kāi)TDP限制就得靠它,設(shè)為200曾經(jīng)足夠。Long Duration maintainedms:長(zhǎng)時(shí)間TDP限制

31、毫秒。從時(shí)間角度設(shè)定TDP,設(shè)置范圍0-32000毫秒32秒。Short Duration power limitW:短時(shí)間TDP限制瓦。從功耗角度設(shè)定短時(shí)間TDP,設(shè)置范圍0-255W。這是設(shè)置TurboBoost可以在短時(shí)間內(nèi)超出TDP限制,但是不能超越這個(gè)功耗。以上三項(xiàng)設(shè)置對(duì)于H61沒(méi)有意義。Primary Plane Turbo Power LimitW:第一平臺(tái)Turbo功耗限制瓦,設(shè)置范圍0-255W。這是集顯作為主顯的Turbo超頻功耗限制。Secondary Plane Turbo Power LimitW:第二平臺(tái)Turbo功耗限制瓦設(shè)置范圍0-255W。這是集顯作為副顯的Turbo超頻功耗限制。M-Flash M- HYPERLINK mydown.yesky/soft/multimedia/yinpinzh

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