標(biāo)準(zhǔn)解讀

GB/T 17574.9-2006是一項(xiàng)中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，專(zhuān)注于半導(dǎo)體器件中的集成電路領(lǐng)域，具體針對(duì)數(shù)字集成電路的子類(lèi)別——紫外光擦除電可編程MOS只讀存儲(chǔ)器(ULSI)，并提供了這類(lèi)存儲(chǔ)器的空白詳細(xì)規(guī)范。下面是對(duì)該標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容的展開(kāi)說(shuō)明：

標(biāo)準(zhǔn)適用范圍

此標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了紫外光擦除電可編程MOS只讀存儲(chǔ)器(簡(jiǎn)稱EPROM)的基本要求、測(cè)試方法、質(zhì)量評(píng)定程序及標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和貯存要求。它適用于那些設(shè)計(jì)用于數(shù)據(jù)非易失性存儲(chǔ)、可通過(guò)紫外線照射擦除原有數(shù)據(jù)并重新編程寫(xiě)入新數(shù)據(jù)的集成電路產(chǎn)品。

技術(shù)參數(shù)與特性

  • 結(jié)構(gòu)與制造工藝：描述了EPROM的基本結(jié)構(gòu)，包括采用MOS（金屬-氧化物-半導(dǎo)體）技術(shù)制造的電路，以及其特定的紫外光擦除窗口設(shè)計(jì)。
  • 電氣特性：規(guī)定了在不同工作條件下的電氣參數(shù)，如電源電壓范圍、輸入/輸出高/低電平、讀寫(xiě)周期時(shí)間等，確保設(shè)備的電氣兼容性和穩(wěn)定性。
  • 性能指標(biāo)：包括數(shù)據(jù)保存時(shí)間、擦寫(xiě)循環(huán)次數(shù)、數(shù)據(jù)編程速度及擦除條件（如所需紫外光強(qiáng)度和擦除時(shí)間）等，以保證數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的可靠性和器件的耐用性。
  • 測(cè)試方法：詳述了對(duì)EPROM進(jìn)行功能測(cè)試、耐久性測(cè)試、數(shù)據(jù)保持能力測(cè)試的具體步驟和接受標(biāo)準(zhǔn)，確保產(chǎn)品符合規(guī)格要求。

質(zhì)量控制與檢驗(yàn)

標(biāo)準(zhǔn)中包含了對(duì)EPROM成品的抽樣檢驗(yàn)方案、不合格品處理流程，以及如何通過(guò)電氣測(cè)試、外觀檢查等手段來(lái)評(píng)估產(chǎn)品質(zhì)量。

標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸與貯存

  • 標(biāo)志要求：規(guī)定了產(chǎn)品上應(yīng)標(biāo)注的信息，如型號(hào)、生產(chǎn)日期、制造商信息及必要的警告標(biāo)志等。
  • 包裝規(guī)范：為保護(hù)器件免受靜電、物理?yè)p傷及環(huán)境因素影響，制定了詳細(xì)的包裝材料、包裝方式及標(biāo)識(shí)要求。
  • 運(yùn)輸與貯存條件：指明了在運(yùn)輸和貯存過(guò)程中應(yīng)避免的極端溫度、濕度條件及防止機(jī)械沖擊的措施，以維持產(chǎn)品的性能穩(wěn)定。

實(shí)施意義

該標(biāo)準(zhǔn)為紫外光擦除電可編程MOS只讀存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、檢驗(yàn)及應(yīng)用提供了一套統(tǒng)一的技術(shù)準(zhǔn)則，有助于提升產(chǎn)品質(zhì)量，促進(jìn)產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化，同時(shí)也便于用戶理解和選用合適的EPROM產(chǎn)品，保障信息系統(tǒng)或電子設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行。


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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2006-12-05 頒布
  • 2007-05-01 實(shí)施
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GB/T 17574.9-2006半導(dǎo)體器件集成電路第2-9部分：數(shù)字集成電路紫外光擦除電可編程MOS只讀存儲(chǔ)器空白詳細(xì)規(guī)范_第1頁(yè)
GB/T 17574.9-2006半導(dǎo)體器件集成電路第2-9部分：數(shù)字集成電路紫外光擦除電可編程MOS只讀存儲(chǔ)器空白詳細(xì)規(guī)范_第2頁(yè)
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ICS31.200L56中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T17574.9-2006/IEC60748-2-9:1994QC790106半導(dǎo)體器件集成電路第2-9部分;數(shù)字集成電路紫外光擦除電可編程MOS只讀存儲(chǔ)器空白詳細(xì)規(guī)范Semiconductordevices--IntegratedcircuitsPart2-9:Digitalintegratedcircuits-BlankdetailspecificationforMOSultravioletlighterasableelectricallyprogrammableread-onlymemories（IEC60748-2-9:1994.IDT)2006-12-05發(fā)布2007-05-01實(shí)施中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T17574.9—2006/IEC60748-2-9:1994系列國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《半導(dǎo)體器件：集成電路》中的數(shù)字集成電路部分分為如下幾部分GB/T17574—1998《半導(dǎo)體器件集成電路：第2部分：數(shù)字集成電路》（idtIEC60748-2:1985）GB/T5965—2000《半導(dǎo)體器件集成電路第2部分：數(shù)字集成電路第一篇雙極型單片數(shù)字集成電路門(mén)電路(不包括自由邏輯陣列)空白詳細(xì)規(guī)范》idtIEC60748-2-1:1991)GB/T17023一1997《半導(dǎo)體器件集成電路第2部分：數(shù)字集成電路第二篇HCMOS數(shù)字集成電路54/74HC、54/74HCT、54/74HCU系列族規(guī)范》idtIEC60748-2-2：1992）GB/T17024—1997《半導(dǎo)體器件集成電路第2部分：數(shù)字集成電路第三篇HCMOS數(shù)字集成電路54/74HC、54/74HCT、54/74HCU系列空白詳細(xì)規(guī)范》（idtIEC60748-2-3：1992）GB/T17572—1998《半導(dǎo)體器件集成電路第2部分：數(shù)字集成電路第四篇CMOS數(shù)字集成電路4000B和4000UB系列族規(guī)范》idtIEC60748-2-4:1992)GB/T9424—1998《半導(dǎo)體器件集成電路第2部分：數(shù)字集成電路第五篇CCMOS數(shù)字集成電路4000B和4000UB系列空白詳細(xì)規(guī)范》idtIEC60748-2-5:1992)-GB/T7509—1987《半導(dǎo)體集成電路微處理器空白詳細(xì)規(guī)范》（可供認(rèn)證用）GB/T14119—1993《半導(dǎo)體集成電路雙極熔絲式可編程只讀存儲(chǔ)器空白詳細(xì)規(guī)范》（可供認(rèn)證用）GB/T6648-1986《半導(dǎo)體集成電路靜態(tài)讀/寫(xiě)存儲(chǔ)器空白詳細(xì)規(guī)范》（可供認(rèn)證用)GB/T17574.9—2006《半導(dǎo)體器件集成電路第2-9部分：數(shù)字集成電路紫外光擦除電可編程MOS只讀存儲(chǔ)器空白詳細(xì)規(guī)范》IEC60748-2-9:1994.IDT）GB/T17574.10—2003《半導(dǎo)體器件集成電路第2-10部分：數(shù)字集成電路集成電路動(dòng)態(tài)讀/寫(xiě)存儲(chǔ)器集成電路空白詳細(xì)規(guī)范》IEC60748-2-10:1994.IDT)GB/T17574.11—2006《半導(dǎo)體器件集成電路第2-11部分：數(shù)字集成電路單電源集成電路電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器空白詳細(xì)規(guī)范》(IEC60748-2-11:1999,IDT）GB/T17574.12《半導(dǎo)體器件集成電路第2-12部分：數(shù)字集成電路臺(tái)可編程器件（PLDs)空白詳細(xì)規(guī)范》(IEC60748-2-12）（待轉(zhuǎn)化）GB/T17574.20—2006《半導(dǎo)體器件集成電路第2-20部分：數(shù)字集成電路低壓集成電路族規(guī)范》（IEC60748-2-20:2000.IDT)本規(guī)范等同采用國(guó)際電工委員會(huì)(IEC)標(biāo)準(zhǔn)1EC60748-2-9:1994（QC790106半導(dǎo)體器件集成電路第2-9部分：數(shù)字集成電路紫外光擦除電可編程MOS只讀存儲(chǔ)器空白詳細(xì)規(guī)范》英文版)。本規(guī)范按照（B/T1.1的要求編制國(guó)家標(biāo)準(zhǔn),只對(duì)IEC原文作編輯性修改：1）刪除IEC原文中的前言。2）IEC原文“靜態(tài)特性表中·特性"項(xiàng)漏寫(xiě)·注5）",本規(guī)范已填寫(xiě)。本規(guī)范的附錄A為規(guī)范性附錄，本規(guī)范由中華人民共和國(guó)信息產(chǎn)業(yè)部提出本規(guī)范由全國(guó)半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口本規(guī)范起草單位：中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十七研究所本規(guī)范主要起草人：施華莎

GB/T17574.9—2006/IEC60748-2-9:1994半導(dǎo)體器件集成電路第2-9部分：數(shù)字集成電路紫外光擦除電可編程MOS只讀存儲(chǔ)器空白詳細(xì)規(guī)范引IEC電子元器件質(zhì)量評(píng)定體系遵循IEC的章程，并在IEC的授權(quán)下進(jìn)行工作。該體系的目的是確定質(zhì)量評(píng)定程序,以這種方式使一個(gè)參加國(guó)按有關(guān)規(guī)范要求放行的電子元器件無(wú)需進(jìn)一步試驗(yàn)而為其他所有參加國(guó)同樣接受本空白詳細(xì)規(guī)范是半導(dǎo)體器件的一系列空白詳細(xì)規(guī)范之一.并且與下列標(biāo)準(zhǔn)一起使用，GB/T4728.12—1996電氣簡(jiǎn)圖用圖形符號(hào)第12部分：二進(jìn)制邏輯元件(idtIEC60617-12:1991）GB/T4937-19955半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法(idtIEC60749:1984.修改單1(1991),修改單2（1993））IEC60068-2-17:1978環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)試驗(yàn)QC:密封IEC60134:1961電子管、電真空管和類(lèi)似的半導(dǎo)體器件的額定值體系IEC6O747-10/QC700000:1991半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路第10部分：分立器件和集成電路總規(guī)范IEC60748-11/QC790100:1990半導(dǎo)體器件集成電路第11部分：半導(dǎo)體集成電路分規(guī)范(不包括混合電路）要求的資料本頁(yè)和后面括號(hào)內(nèi)的數(shù)字與下列各項(xiàng)要求的資料相對(duì)應(yīng)，這些資料應(yīng)填人本規(guī)范相應(yīng)的欄中詳細(xì)規(guī)范的識(shí)別【1授權(quán)發(fā)布詳細(xì)規(guī)范的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)名稱L2詳細(xì)規(guī)范的IECQ編號(hào)。L3總規(guī)范和分規(guī)范的編號(hào)及版本號(hào)【47詳細(xì)規(guī)范的國(guó)家編號(hào)、發(fā)布日期及國(guó)

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